用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置，所述线圈高度调整装置包括：内环柱，用于固定在蚀刻机的匹配器上；外环柱，套置在所述内环柱的外部，且所述外环柱与所述内环柱之间可进行电信号传输；升降调节组件，设置在所述内环柱和所述外环柱之间，所述升降调节组件用于使所述外环柱沿所述内环柱的轴向移动，所述升降调节组件与蚀刻机的内线圈连接，且所述内线圈与所述外环柱同步移动。该线圈高度调整装置结构简单，且可方便的调节蚀刻机的内线圈的高度。的调节蚀刻机的内线圈的高度。的调节蚀刻机的内线圈的高度。

【技术实现步骤摘要】
用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置


[0001]本技术涉及半导体设备
，尤其涉及一种用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置。

技术介绍

[0002]蚀刻指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去处，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版。
[0003]ICP蚀刻机基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
[0004]而对于目前常用的ICP蚀刻机，其内线圈与外线圈的高度一般保持一致，并且内线圈的高度无法调整。申请人在研究中发现，高度一致的内线圈和外线圈会使中心片源与边缘片源的蚀刻率不均匀，因此如何方便的调整线圈的高度以改善片源蚀刻率的均匀性是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术提供了一种用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置，以解决现有技术存在的一个或多个技术问题。
[0006]根据本技术的一方面，公开了一种用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置，该线圈调整装置包括：
[0007]内环柱，用于固定在蚀刻机的匹配器上；
[0008]外环柱，套置在所述内环柱的外部，且所述外环柱与所述内环柱之间可进行电信号传输；
[0009]升降调节组件，设置在所述内环柱和所述外环柱之间，所述升降调节组件用于使所述外环柱沿所述内环柱的轴向移动，所述升降调节组件与所述蚀刻机的内线圈连接，且所述内线圈与所述外环柱同步移动。
[0010]在本技术的一些实施例中，所述升降调节组件包括齿条和齿轮，所述齿条竖直设置，且所述齿条固定在所述内环柱上，所述齿轮设置在所述外环柱上，旋转所述齿轮可实现所述外环柱的升降；或
[0011]所述升降调节组件为磁齿轮传动机构。
[0012]在本技术的一些实施例中，所述内环柱的外表面与所述外环柱的内表面直接且完全接触。
[0013]在本技术的一些实施例中，所述线圈高度调整装置还包括铜排及第一连接柱，所述铜排的一端与所述外环柱的顶端固定，所述第一连接柱的两端分别与所述铜排及
所述内线圈的第一端连接。
[0014]在本技术的一些实施例中，所述线圈高度调整装置还包括接地铜排，所述内线圈的第二端与所述接地铜排连接，且所述内线圈相对于所述接地铜排可升降运动。
[0015]在本技术的一些实施例中，所述线圈高度调整装置还包括第二连接柱，所述接地铜排和所述内线圈之间通过所述第二连接柱连接。
[0016]在本技术的一些实施例中，所述线圈高度调整装置还包括辅助连接件，所述第二连接柱与所述接地铜排之间通过所述辅助连接件连接。
[0017]在本技术的一些实施例中，所述接地铜排上竖直设置有导向槽，所述辅助连接件可沿所述导向槽移动。
[0018]在本技术的一些实施例中，所述外环柱为开口环柱，所述齿条固定在在所述内环柱的外表面，所述齿轮位于所述外环柱的开口之间。
[0019]在本技术的一些实施例中，所述线圈高度调整装置还包括锁紧螺钉，所述锁紧螺钉用于锁紧所述外环柱的开口。
[0020]通过利用本技术实施例中的用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置，可以获得的有益效果至少在与：
[0021]该用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置基于升降调节组件可使外环柱以及与外环柱连接的线圈同步升降，从而可使蚀刻机的内线圈高于外线圈，进而确保中心片源与边缘片源的时刻速率保持一致。该线圈高度调整装置结构简单，可方便的调整内线圈的高度。
[0022]除上述之外，内环柱的外表面与所述外环柱的内表面直接且完全接触，从而在调节了内线圈的高度的情况下，也能保证电信号传输的准确度，从而确保蚀刻精度。
[0023]本技术的附加优点、目的，以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述，且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显，或者可以根据本技术的实践而获知。本技术的目的和其它优点可以通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。
[0024]本领域技术人员将会理解的是，能够用本技术实现的目的和优点不限于以上具体所述，并且根据以下详细说明将更清楚地理解本技术能够实现的上述和其他目的。
附图说明
[0025]此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术的限定。附图中的部件不是成比例绘制的，而只是为了示出本技术的原理。为了便于示出和描述本技术的一些部分，附图中对应部分可能被放大，即，相对于依据本技术实际制造的示例性装置中的其它部件可能变得更大。在附图中：
[0026]图1为本技术一实施例的用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置的结构示意图。
[0027]图2为本技术另一实施例的用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置的结构示意图。
[0028]图3为片源蚀刻率的仿真结果示意图。
具体实施方式
[0029]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本技术实施例做进一步详细说明。在此，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，但并不作为对本技术的限定。
[0030]在此，需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本技术，在附图中仅仅示出了与根据本技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本技术关系不大的其他细节。
[0031]应该强调，术语“包括/包含/具有”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。
[0032]在此，还需要说明的是，本说明书内容中所出现的方位名词是相对于附图所示的位置方向；如果没有特殊说明，术语“连接”在本文不仅可以指直接连接，也可以表示存在中间物的间接连接。直接连接为两个零部件之间不借助中间部件进行连接，间接连接为两个零部件之间借助其他零部件进行连接。
[0033]在下文中，将参考附图描述本专利技术的实施例。在附图中，相同的附图标记代表相同或类似的部件。
[0034]图1为本技术一实施例的用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置的结构示意图，如图1所示，该线圈高度调整装置至少包括内环柱110、外环柱120以及升降调节组件。内环柱110用于固定在蚀刻机的匹配器上；外环柱120套置在内环柱110的外部，且外环柱120与内环柱110之间可进行电信号传输；升降调节组件设置在内环柱110 和外环柱120之间，升降调节组件用于使外环柱120沿内环柱1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置，其特征在于，所述线圈高度调整装置包括：内环柱，用于固定在蚀刻机的匹配器上；外环柱，套置在所述内环柱的外部，且所述外环柱与所述内环柱之间可进行电信号传输；升降调节组件，设置在所述内环柱和所述外环柱之间，所述升降调节组件用于使所述外环柱沿所述内环柱的轴向移动，所述升降调节组件与所述蚀刻机的内线圈连接，且所述内线圈与所述外环柱同步移动。2.根据权利要求1所述的用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置，其特征在于，所述升降调节组件包括齿条和齿轮，所述齿条竖直设置，且所述齿条固定在所述内环柱上，所述齿轮设置在所述外环柱上，旋转所述齿轮可实现所述外环柱的升降；或，所述升降调节组件为磁齿轮传动机构。3.根据权利要求2所述的用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置，其特征在于，所述内环柱的外表面与所述外环柱的内表面直接且完全接触。4.根据权利要求1所述的用于改善蚀刻中心片蚀刻率的线圈高度调整装置，其特征在于，所述线圈高度调整装置还包括铜排及第一连接柱，所述铜排的一端与所述外环柱的顶端固定，所述第一连接柱的两端分别与所述铜排及所述内线圈的第一端连接。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜凡稳，徐翊翔，段学超，杨方，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：