显示面板及其衬底基板的对位方法、电子设备技术

技术编号:35914405 阅读:61 留言:0更新日期:2022-12-10 10:55
本申请实施例提供了一种显示面板及其衬底基板的对位方法、电子设备,其中,显示面板包括第一衬底基板和第二衬底基板,第一衬底基板上设置有定位孔,第二衬底基板设置有第一执行器薄膜;第一执行器薄膜表面设置有微孔阵列结构,可对自然光进行周期性调制显现结构色;第一执行器薄膜为形状记忆材料,能够在预定驱动工艺作用下产生预定形变;定位孔限制第一执行器薄膜产生的形变;对位过程中,定位孔与第一执行器薄膜位置相对,通过采集实际结构色与预定形变下产生的结构色色度对比,判断实际形变是否受到定位孔限制,确定第一衬底基板和第二衬底基板的对位情况。通过结构色判断对位准确度更加快速、直观,其准确程度可达到几十纳米量级。量级。量级。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其衬底基板的对位方法、电子设备


[0001]本申请涉及显示
,特别是涉及一种显示面板及其衬底基板的对位方法、电子设备。

技术介绍

[0002]随着电子产品集成度的提升,产品内部的空间愈发紧张,对内部器件的轻、薄,甚至是满足狭小扭曲的空间的柔性化都提出了需求。多层柔性电子器件层对位时,由于上下两层之间的位置有时对位不精确,导致集成后存在性能降低、短路或者电路没有按照要求印在印制电路板表面导致废板等问题。
[0003]相关技术中的多层柔性电子器件层对位又需要专业设备,不仅增加了电子产品的制作成本,且对位过程较为复杂,所以如何保证对位精度的同时简化对位过程是一个亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种显示面板及其衬底基板的对位方法、电子设备,用以在保证多层柔性电子器件层对位精度的同时简化对位过程。具体技术方案如下:
[0005]本申请第一方面实施例提供了一种显示面板,至少包括第一衬底基板和第二衬底基板,所述第一衬底基板上设置有至少一个定位孔,所述第二衬底基板朝向所述第一衬底基板的表面,设置有与所述定位孔位置相对且数量相等的第一执行器薄膜;
[0006]所述第一执行器薄膜朝向所述第一衬底基板的表面设置有微孔阵列结构,所述微孔阵列结构能够对穿过所述定位孔照射在所述微孔阵列结构表面的自然光进行周期性调制,并显现结构色;
[0007]所述第一执行器薄膜为形状记忆材料,所述第一执行器薄膜能够在预定驱动工艺作用下产生预定形变;所述定位孔用于限制所述第一执行器薄膜在预定驱动工艺下产生的形变;
[0008]所述第一执行器薄膜显现的结构色能够穿过所述定位孔,用于在所述显示面板制作过程中,实现基于采集到的所述第一执行器薄膜产生形变后显现的结构色,对所述第一衬底基板和第二衬底基板进行对位。
[0009]本申请实施例提供的显示器面板,以定位孔和第一执行器薄膜为定位点,定位孔与第一执行器薄膜位置相对进行对位。在第一执行器薄膜上设置微孔阵列结构,自然光照射在微孔阵列结构上发生衍射和干涉而显现结构色。第一执行器薄膜采用了形状记忆材料,在驱动工艺作用下产生形变。通过定位孔限制第一执行器薄膜形变程度来判断对位精准程度,形变程度表现为结构色差异,结构色差异在几十纳米级,有效提高对位精度,通过结构色表示对位精准程度,更加快速直观,仅需要通过结构色色度即可判断对位精准性,从而避免使用专业设备和复杂的工艺,且对位过程简单易行。
[0010]在本申请的一些实施例中,所述定位孔在所述第一执行器薄膜上的正投影落入所
述第一执行器薄膜范围内。
[0011]在本申请的一些实施例中,所述第一执行器薄膜为热致形状记忆材料、光致形状记忆材料、pH致形状记忆材料、电致形状记忆材料或磁致形状记忆材料中的一者,分别在加热、光照、PH值调节、施加电场或施加磁场的驱动工艺作用下产生预定形变。
[0012]在本申请的一些实施例中,所述微孔阵列结构中微孔的直径为0.5μm

2μm,所述微孔之间的间距为0.5μm

2μm。
[0013]在本申请的一些实施例中,所述第一执行器薄膜包括单层或者双层有机薄膜。
[0014]在本申请的一些实施例中,所述第一执行器薄膜还包括设于所述单层有机薄膜或者所述双层有机薄膜表面的无机薄膜;或者所述第一执行器薄膜还包括设于所述双层有机薄膜之间的无机薄膜。
[0015]在本申请的一些实施例中,所述定位孔为圆形孔、方形孔或者封闭多边形孔。
[0016]在本申请的一些实施例中,所述定位孔的等效圆的直径为10μm

400μm。
[0017]在本申请的一些实施例中,所述第二衬底基板朝向所述第一衬底基板的表面还设有第二执行器薄,所述第二执行器薄膜设于所述第二衬底基板的边缘;所述第一执行器薄膜穿过所述定位孔实际显现的结构色用于与所述第二执行器薄膜显现的结构色比对,以对所述第一衬底基板和所述第二衬底基板进行对位。
[0018]第二方面,本申请提出一种电子设备,包括上述第一方面任一实施例中的显示面板。
[0019]第三方面,本申请提出一种衬底基板的对位方法,用于上述第一方面任一实施例所述的显示面板中的所述第一衬底基板和所述第二衬底基板进行对位;
[0020]提供所述第一衬底基板和所述第二衬底基板,所述第一衬底基板设有所述定位孔,所述第二衬底基板朝向所述第一衬底基板的表面对应设有所述第一执行器薄膜,所述第一执行器薄膜表面形成有微孔阵列结构;
[0021]获取所述第一执行器薄膜在所述预定形变条件下显现的预定结构色;
[0022]将所述定位孔和所述第一执行器薄膜位置相对;
[0023]提供自然光,将所述自然光以第一角度通过所述定位孔斜射至所述微孔阵列结构,所述微孔阵列能够对自然光进行周期性调制,并显现结构色;
[0024]采用与所述预定形变相同的驱动工艺,驱动所述第一执行器薄膜产生形变,所述定位孔对所述第一执行薄膜器的变形进行限制,并透过所述定位孔采集所述形变对应的实际显现的结构色;
[0025]基于采集到的所述第一执行器薄膜产生预定形变后显现的结构色与透过所述定位孔采集到的实际显现的结构色,对所述第一衬底基板和第二衬底基板进行对位。
[0026]在本申请的一些实施例中,在所述衬底基板的对位过程中,通过CCD相机采集所述第一执行器薄膜显现的结构色,所述CCD相机透过所述定位孔拍摄的实际显现的结构色与所述第一执行器薄膜在预定形变条件下所对应的预定结构色一致时,所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对位完成;
[0027]所述CCD相机与所述定位孔的法线方向呈预设夹角,所述预设夹角为0
°
~90
°

[0028]在本申请的一些实施例中,所述第二衬底基板朝向所述第一衬底基板的表面还设有第二执行器薄膜,所述第二执行器薄膜设于所述第二衬底基板的边缘;
[0029]基于预定形变条件下的所述第二执行器薄膜显现的预定结构色与透过所述定位孔采集到的第一执行器薄膜实际显现的结构色,对所述第一衬底基板和第二衬底基板进行对位。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的实施例。
[0031]图1为本申请实施例的显示面板结构示意图;
[0032]图2为图1中A

A

截面图;
[0033]图3为本申请实施例的第一执行器薄膜俯视图;
[0034]图4为本申请实施例的第一执行器薄膜主视图;
[0035]图5为本申请实施例的第一衬底基板与第一执行器薄膜结构示意图;
[0036]图6为本申本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,至少包括第一衬底基板和第二衬底基板,所述第一衬底基板上设置有至少一个定位孔,所述第二衬底基板朝向所述第一衬底基板的表面,设置有与所述定位孔位置相对且数量相等的第一执行器薄膜;所述第一执行器薄膜朝向所述第一衬底基板的表面设置有微孔阵列结构,所述微孔阵列结构能够对穿过所述定位孔照射在所述微孔阵列结构表面的自然光进行周期性调制,并显现结构色;所述第一执行器薄膜为形状记忆材料,所述第一执行器薄膜能够在预定驱动工艺作用下产生预定形变;所述定位孔用于限制所述第一执行器薄膜在预定驱动工艺下产生的形变;所述第一执行器薄膜显现的结构色能够穿过所述定位孔,用于在所述显示面板制作过程中,实现基于采集到的所述第一执行器薄膜产生形变后显现的结构色,对所述第一衬底基板和第二衬底基板进行对位。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述定位孔在所述第一执行器薄膜上的正投影落入所述第一执行器薄膜范围内。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一执行器薄膜为热致形状记忆材料、光致形状记忆材料、pH致形状记忆材料、电致形状记忆材料或磁致形状记忆材料中的一者,分别在加热、光照、PH值调节、施加电场或施加磁场的驱动工艺作用下产生预定形变。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述微孔阵列结构中微孔的直径为0.5μm

2μm,所述微孔之间的间距为0.5μm

2μm。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一执行器薄膜包括单层或者双层有机薄膜。6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一执行器薄膜还包括设于所述单层有机薄膜或者所述双层有机薄膜表面的无机薄膜;或者所述第一执行器薄膜还包括设于所述双层有机薄膜之间的无机薄膜。7.根据权利要求1

6中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述定位孔为圆形孔、方形孔或者封闭多边形孔。8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述定位孔的直径或者所述定位孔的等效圆的直径为10μm

400μm。9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二衬底基板朝向所述第一衬底基板的表面还设有第二执行器薄膜,所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:周超梁魁王迎姿
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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