量子点LED显示设备制造技术

量子点LED显示设备包括基板，其上设置有多个堤。多个红色发光LED子像素、绿色发光LED子像素及蓝色发光LED子像素被单独地设置在所述堤之间。所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素及所述蓝色发光LED子像素的每一个均具有发光层，其中，所述发光层的每一个包括量子点、有机基质和光引发剂。蓝色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第一浓度低于红色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第二浓度，并低于绿色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第三浓度。发剂的第三浓度。发剂的第三浓度。

【技术实现步骤摘要】
量子点LED显示设备


[0001]本专利技术涉及在量子点LED内的发光层，该发光层发射蓝光且可以通过暴露于紫外光或近紫外光来空间图案化。得到的量子点LED可以作为显示装置中的蓝色子像素。

技术介绍

[0002]已知使用红、绿、蓝量子点LED作为显示装置中子像素的几种方式。例如，可以将电致发光量子点LED图案化，以在宽色域显示装置中形成R、G、B子像素。生成图案化发光层的一种方法是使用喷墨印刷。量子点油墨配方可用于通过将油墨沉积到期望的位置中来形成发光层。可以加热油墨以去除溶剂，然后，干燥油墨以留下固态量子点层。
[0003]量子点空间图案化的另一种方法是使用光刻。包含纳米级荧光材料(如量子点)的光敏混合物通过暴露于光下图案化以形成色彩转换膜。目前存在许多此类色彩转换膜的其他实例，其具有附加特征，例如可与LCD或OLED显示器组合使用的光散射粒子或抗氧化剂。本专利技术还提供了详细说明使用正型或负型量子点光刻胶通过光刻法形成色彩转换膜的步骤的方法。
[0004]通过光刻直接图案化用于电致发光器件的量子点LED发光层是较不为人所知的，但也存在实例。量子点可与对紫外光敏感的可交联配体一起使用。另外，用于量子点LED的发光层可以包括在通过暴露于紫外光而交联的电荷传输基质中的量子点。
[0005]在光刻过程中，残留膜可能会残留在光刻过程中没有直接暴露于UV光下的显影区域中。减少剩余的残留膜的其中一种方法是改变用于沉积量子点光致抗蚀剂的液体的组成。另一种方法是将黑色吸光材料用于像素界定层(例如，“堤”)以减少在固化过程期间散射的UV光的影响。

技术实现思路

[0006]量子点发光二极管LED显示设备包括基板，其上设置有多个堤。多个红色发光LED子像素、绿色发光LED子像素及蓝色发光LED子像素被单独地设置在所述堤之间。所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素及所述蓝色发光LED子像素的每一个均具有发光层，所述发光层的每一个包括量子点、有机基质和光引发剂。蓝色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第一浓度低于红色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第二浓度，并低于绿色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第三浓度。
[0007]在所述量子点LED显示设备中，所述蓝色发光LED子像素中的光引发剂对波长400nm与500nm之间的蓝光的吸收系数低于所述红色发光LED子像素中的光引发剂和所述绿色发光LED子像素中的光引发剂低。此外，蓝色发光LED子像素中的光引发剂的吸收波长可以在0nm至400nm的紫外波长范围内。
[0008]所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点的表面积与所述绿色发光LED子像素中的所述量子点的表面积相同或更大。在所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点包括Cd
x
Zn1‑
x
Se(0≤x<1)或ZnSe
y
Te1‑
y
(0<y≤1)的核。在所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点
包括Cd
x
Zn1‑
x
Se
y
S1‑
y
(0≤x≤1；0≤y＜1)的壳。所述有机基质包括交联的电荷传输材料。
[0009]所述量子点LED显示设备包括一个或多个第二电极，所述第二电极形成为所有所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素共用的连续层。还包括多个第一电荷传输层，在所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素中分别具有一个或多个所述第一电荷传输层。所述红色发光LED子像素中的一个或多个所述第一电荷传输层、所述绿色发光LED子像素中的一个或多个所述第一电荷传输层以及所述蓝色发光LED子像素中的一个或多个所述第一电荷传输层具有不同的厚度。
[0010]所述量子点LED显示设备包括设置在所述发光层之上的一个或多个第二电荷传输层。一个或多个所述第二电荷传输层被所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素的全部共用。所述量子点LED显示设备进一步包括在所述基板与多个第一电极之间的反射器，其中，一个或多个第二电极是部分透明的，且所述量子点LED显示设备通过一个或多个所述第二电极发光。
[0011]一个或多个所述第二电极被所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素共用。所述量子点LED显示设备还包括多个部分透射的第一电极、一个或多个反射性第二电极，其中，所述量子点LED显示设备发射光穿过所述基板。在该实施方式中，一个或多个所述反射性第二电极被所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素共用。
附图说明
[0012]结合附图一起阅读时，从以下详细描述中最佳地理解示例性公开的方面。不同特征不是按比例绘制的，为了讨论的清楚起见，不同特征的尺寸可以任意增大或缩小。
[0013]图1示出了QLED设备的剖视图。
[0014]图2示出了通过光刻形成的有机基质中具有量子点的QLED发光层。
[0015]图3示出了用于形成QLED的发光层的光刻步骤的剖视图。
[0016]图4示出由图3的光刻工艺得到的发光层和其他结构的剖视图。
[0017]图5示出了具有红色、绿色和蓝色子像素的QLED显示设备的剖视图。
[0018]图6示出了根据本公开的示例性实施方式，当用紫外光照射时有机层中的量子点的光致发光发射特性。
[0019]图7示出了根据本公开的示例性实施方式，比较蓝色、红色和绿色量子点光致发光的波长的光引发剂吸收系数的曲线图。
[0020]图8示出了根据本公开的示例性实施方式的子像素的剖视图，该子像素延伸至子像素界定层的界限之外并延伸到相邻的子像素中。
[0021]图9示出了根据本公开的示例性实施方式的具有光引发剂的红色发光层光致抗蚀剂。
[0022]图10示出了根据本公开的示例性实施方式的具有光引发剂的绿色发光层光致抗蚀剂。
[0023]图11示出了根据本公开的示例性实施方式的具有减少的光引发剂的蓝色发光层光致抗蚀剂。
[0024]图12示出了根据本公开的示例性实施方式的将蓝色光致抗蚀剂光引发剂吸收光谱与红色和绿色光致抗蚀剂光引发剂吸收光谱相比较的曲线图。
[0025]图13示出了根据本公开的示例性实施方式的红色发光层光致抗蚀剂的替代性实施方式。
[0026]图14示出了根据本公开的示例性实施方式的绿色发光层光致抗蚀剂的替代性实施方式。
[0027]图15示出了根据本公开的示例性实施方式的一种替代性实施方式蓝色发光层光致抗蚀剂。
具体实施方式
[0028]以下描述包含与本公开中的实施例有关的具体信息。本公开中的附图及其附图说明仅涉及实施例。然而，本公开并不仅限于这些实施例。本领域技术人员将想到本公开的其他变形和实施方式。除非另外指出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点LED显示设备，其特征在于，包括：基板，其上设置有多个堤；以及多个红色发光LED子像素、绿色发光LED子像素及蓝色发光LED子像素，这些子像素被单独地设置在所述堤之间，所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素及所述蓝色发光LED子像素的每一个均具有发光层；其中，所述发光层的每一个包括量子点、有机基质和光引发剂；并且蓝色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第一浓度低于红色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第二浓度，并低于绿色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第三浓度。2.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，所述蓝色发光LED子像素中的光引发剂对波长400nm与500nm之间的蓝光的吸收系数低于所述红色发光LED子像素中的光引发剂和所述绿色发光LED子像素中的光引发剂。3.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，所述蓝色发光LED子像素中的光引发剂的吸收波长在200nm至400nm的紫外波长范围内。4.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点的表面积与所述绿色发光LED子像素中的所述量子点的表面积相同或更大。5.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，在所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点包括Cd
x
Zn1‑
x
Se或ZnSe
y
Te1‑
y
的核，其中，0≤x<1，0<y≤1。6.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，在所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点包括Cd
x
Zn1‑
x
Se
y
S1‑
y
的壳，其中，0≤x≤1；0≤y＜1。7.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，所述有机基质...

【专利技术属性】
技术研发人员：爱德华，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：