互补金属氧化物半导体图像传感器及用其的图像传感方法技术

技术编号:3588793 阅读:233 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块,每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括:两个具有六边形形状的光电二极管;由两个单元像素共享的浮置扩散;分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管;连接到浮置扩散的重置晶体管;栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管;和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器,具有多个单元块,该多个单元块中的每个单元块具有两个单元像素,每个单元块包括:两个具有六边形形状的光电二极管;由两个单元像素共享的浮置扩散;分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管;连接到浮置扩散的重置晶体管;栅极连接到浮置扩散的驱动晶体管;以及与驱动晶体管串联的选择晶体管。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔成浩安正查金利泰金永灿孔海庆
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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