太阳能光伏电池的制备方法技术

本申请公开了一种太阳能光伏电池的制备方法，具体涉及光伏电池技术领域，根据本申请实施例的太阳能光伏电池的制备方法，包括：对N型硅片的正反面进行制绒；对制绒后的N型硅片的正反面进行磷扩散，得到N型硅片正反面的n+区；对磷扩散后的N型硅片的背面进行碱抛光；对碱抛光后的N型硅片的背面进行氧化，形成隧穿氧化层和n+掺杂多晶硅层；通过激光刻蚀的方式对n+掺杂多晶硅层进行激光开槽；对沉积减反射膜后的N型硅片进行印刷和共烧，形成p+区和正负电极，形成太阳能光伏电池。本申请的太阳能光伏电池的制备方法有效简化了TBC电池的制备步骤，提高了TBC电池的生产效率。提高了TBC电池的生产效率。提高了TBC电池的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能光伏电池的制备方法


[0001]本申请涉及光伏电池
，特别涉及一种太阳能光伏电池的制备方法。

技术介绍

[0002]随着光伏技术发展，度电成本不断下降，而度电成本取决于制造成本和电池转换效率，电池转换效率的不断提升和制造成本的不断下降将大幅度降低光伏发电成本，推动了光伏电力大范围的商业运用。TBC电池(Tunneling Oxide Passivated Contact Back Contact，隧穿氧化层钝化接触背接触电池)由于具有良好的钝化效果被广泛应用，但当前TBC电池的制备过程涉及工艺复杂，且步骤繁多，因此TBC电池的制备过程中对制备要求较高，导致其废品率较高，降低了TBC电池的生产效率。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出了一种太阳能光伏电池的制备方法，有效简化了TBC电池的制备步骤，提高了TBC电池的生产效率。
[0004]根据本申请实施例的太阳能光伏电池的制备方法，包括：
[0005]对N型硅片的正反面进行制绒；
[0006]对制绒后的所述N型硅片的正反面进行磷扩散，得到所述N型硅片正反面的n+区；
[0007]对磷扩散后的所述N型硅片的背面进行碱抛光；
[0008]对碱抛光后的所述N型硅片的背面进行氧化，形成隧穿氧化层和n+掺杂多晶硅层；
[0009]通过激光刻蚀的方式对所述n+掺杂多晶硅层进行激光开槽；
[0010]通过化学腐蚀方法去除激光开槽后的所述N型硅片背面的损伤层、激光区域的n+区、和正反面的玻璃层；
[0011]对化学腐蚀后的所述N型硅片的所述n+掺杂多晶硅层沉积钝化膜；
[0012]对沉积钝化膜后的所述N型硅片正面的n+区和背面的钝化膜沉积减反射膜；
[0013]对沉积减反射膜后的所述N型硅片进行印刷和共烧，形成p+区和正负电极，形成太阳能光伏电池。
[0014]根据本申请实施例的太阳能光伏电池的制备方法，至少具有如下有益效果：本申请通过采用激光刻蚀的方式，控制了激光能量，通过采用功率较低的激光能量，在避免形成掺杂浓度过高的n+区的同时减少了激光对n+掺杂多晶硅层的破坏，还降低了激光过程中磷的重掺杂浓度和深度，无需在制备过程中多次对N型硅片进行清洗，有效简化了现有技术复杂的工艺过程，提高了TBC电池的生产效率。
[0015]根据本申请的一些实施例，所述对磷扩散后的所述N型硅片的背面进行碱抛光，包括：
[0016]通过链式设备去除磷扩散后的所述N型硅片背面的磷硅玻璃层；
[0017]采用氢氧化钠或氢氧化钾对去除磷硅玻璃层的所述N型硅片背面进行抛光。
[0018]根据本申请的一些实施例，所述对碱抛光后的所述N型硅片的背面进行氧化，形成
隧穿氧化层和n+掺杂多晶硅层，包括：
[0019]通过等离子增强化学气相沉淀方法制备原位掺杂的多晶硅，使得所述多晶硅在碱抛光后的所述N型硅片的背面形成所述n+掺杂多晶硅层；
[0020]对制备所述n+掺杂多晶硅层的设备通入氧气，以在所述N型硅片的背面形成所述隧穿氧化层，以保护所述n+掺杂多晶硅层。
[0021]根据本申请的一些实施例，所述通过激光刻蚀的方式对所述n+掺杂多晶硅层进行激光开槽，包括：
[0022]控制所述激光的功率为7.0w～8.0w，并通过激光刻蚀的方式对所述n+掺杂多晶硅层进行激光开槽，使得激光开槽后的所述n+掺杂多晶硅层的厚度大于等于50nm。
[0023]根据本申请的一些实施例，所述激光的光斑直径为90um～120um。
[0024]根据本申请的一些实施例，所述通过化学腐蚀方法去除激光开槽后的所述N型硅片背面的损伤层、激光区域的n+区、和正反面的玻璃层，包括：
[0025]控制温度处于40℃到50℃的区间内，通过氢氧化钠或氢氧化钾对所述N型硅片背面的损伤层和激光区域的n+区进行去除，其中，所述氢氧化钠或所述氢氧化钾的质量分数为3％～6％；
[0026]通过氢氟酸对所述N型硅片正反面的所述磷硅玻璃层和所述硼硅玻璃层进行去除，其中，所述玻璃层包括所述磷硅玻璃层和所述硼硅玻璃层。
[0027]根据本申请的一些实施例，所述对化学腐蚀后的所述N型硅片的所述n+掺杂多晶硅层沉积钝化膜，包括：
[0028]通过等离子增强化学气相沉淀方法或原子层沉积方法对所述N型硅片的背面镀氧化铝，使得化学腐蚀后的所述N型硅片的所述n+掺杂多晶硅层沉积钝化膜。
[0029]根据本申请的一些实施例，所述对沉积钝化膜后的所述N型硅片正面的n+区和背面的钝化膜沉积减反射膜，包括：
[0030]通过等离子增强化学气相沉淀方法对所述N型硅片的正反面镀氮化硅，使得沉积钝化膜后的所述N型硅片正面的n+区和背面的钝化膜沉积减反射膜。
[0031]根据本申请的一些实施例，所述对沉积减反射膜后的所述N型硅片进行印刷和共烧，形成p+区和正负电极，包括：
[0032]在沉积减反射膜后的所述N型硅片的激光开槽处印刷含硼铝浆；
[0033]在所述N型硅片背面的所述n+掺杂多晶硅层上印刷高粘度导电银浆；
[0034]对所述N型硅片上印刷的含硼铝浆和高粘度导电银浆进行共烧，形成p+区和正负电极。
[0035]根据本申请的一些实施例，所述对所述N型硅片上印刷的含硼铝浆和高粘度导电银浆进行共烧，形成p+区和正负电极，包括：
[0036]对所述N型硅片上印刷的含硼铝浆和高粘度导电银浆进行共烧，并将共烧的温度控制在680℃到720℃的区间内，使得所述含硼铝浆中的硼掺杂至所述N型硅片，形成所述p+区，所述铝浆和所述银浆分别形成正电极和负电极。
[0037]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0038]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0039]图1为本申请一些实施例提供的太阳能光伏电池的结构示意图。
[0040]附图标记：N型硅片100；n+前表面场200；隧穿氧化层300；n+掺杂多晶硅层400；钝化膜500；正面减反射膜610；背面减反射膜620；p+区700；银栅线800；铝栅线900。
具体实施方式
[0041]下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0042]在本申请的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能光伏电池的制备方法，其特征在于，包括：对N型硅片的正反面进行制绒；对制绒后的所述N型硅片的正反面进行磷扩散，得到所述N型硅片正反面的n+区；对磷扩散后的所述N型硅片的背面进行碱抛光；对碱抛光后的所述N型硅片的背面进行氧化，形成隧穿氧化层和n+掺杂多晶硅层；通过激光刻蚀的方式对所述n+掺杂多晶硅层进行激光开槽；通过化学腐蚀方法去除激光开槽后的所述N型硅片背面的损伤层、激光区域的n+区、和正反面的玻璃层；对化学腐蚀后的所述N型硅片的所述n+掺杂多晶硅层沉积钝化膜；对沉积钝化膜后的所述N型硅片正面的n+区和背面的钝化膜沉积减反射膜；对沉积减反射膜后的所述N型硅片进行印刷和共烧，形成p+区和正负电极，形成太阳能光伏电池。2.根据权利要求1所述的太阳能光伏电池的制备方法，其特征在于，所述对磷扩散后的所述N型硅片的背面进行碱抛光，包括：通过链式设备去除磷扩散后的所述N型硅片背面的磷硅玻璃层；采用氢氧化钠或氢氧化钾对去除磷硅玻璃层的所述N型硅片背面进行抛光。3.根据权利要求1所述的太阳能光伏电池的制备方法，其特征在于，所述对碱抛光后的所述N型硅片的背面进行氧化，形成隧穿氧化层和n+掺杂多晶硅层，包括：通过等离子增强化学气相沉淀方法制备原位掺杂的多晶硅，使得所述多晶硅在碱抛光后的所述N型硅片的背面形成所述n+掺杂多晶硅层；对制备所述n+掺杂多晶硅层的设备通入氧气，以在所述N型硅片的背面形成所述隧穿氧化层，以保护所述n+掺杂多晶硅层。4.根据权利要求1所述的太阳能光伏电池的制备方法，其特征在于，所述通过激光刻蚀的方式对所述n+掺杂多晶硅层进行激光开槽，包括：控制所述激光的功率为7.0w～8.0w，并通过激光刻蚀的方式对所述n+掺杂多晶硅层进行激光开槽，使得激光开槽后的所述n+掺杂多晶硅层的厚度大于等于50nm。5.根据权利要求4所述的太阳能光伏电池的制备方法，其特征在于，所述激光的光斑直径为90um～120um。6.根据权利要求1所述的太阳能光伏电池的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁嘉铭，刘泉，陈太昌，方贵允，陈家健，
申请(专利权)人：中国南玻集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：