钝化接触电池及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种钝化接触电池及其制造方法，其中，该该钝化接触电池的制造方法包括：在电池多晶硅层表面设置与副栅线区域相对应的掩膜层；对多晶硅层进行刻蚀，并去除掩膜层。该方法通过掩膜法使得硅片背面副栅线区域的多晶硅膜薄膜层在刻蚀过程中仍就可以保持厚度，仅降低不具有掩膜层保护区域的厚度；因而可以在有效减少硅片背面多晶硅层在长波段的寄生吸收，提升长波段的光谱响应；同时还可以保证充分的欧姆接触，进而有效的提升电池转换效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
钝化接触电池及其制造方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池生产制造领域，特别是涉及一种钝化接触电池及其制造方法。

技术介绍

[0002]TOPCon(隧穿氧化层钝化金属接触)电池技术，即在电池硅片背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅层，二者共同形成了钝化接触结构，该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流，进而极大地提升太阳能电池的效率。但是，现有的电池片背面多晶硅层在长波段的寄生吸收较高，不利于TOPCon电池的效率提升。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种钝化接触电池的制造方法，用以在有效减少硅片背面多晶硅层在长波段的寄生吸收、提升长波段的光谱响应的同时，保证充分的欧姆接触，进而有效提升电池的转换效率，该钝化接触电池的制造方法包括：
[0004]在电池多晶硅层表面设置掩膜层，所述掩膜层与副栅线区域相对应；
[0005]对多晶硅层进行刻蚀；
[0006]去除掩膜层。
[0007]具体实施中，所述在电池多晶硅层表面设置掩膜层，进一步包括：
[0008]通过丝网印刷的方式在电池多晶硅层表面印刷掩膜层。
[0009]具体实施中，所述掩膜层由氧化硅、纤维素及树脂组成。
[0010]具体实施中，所述氧化硅、纤维素及树脂组的配比为1:1:20
‑
1:1:10。
[0011]具体实施中，所述在电池多晶硅层表面设置掩膜层，进一步包括：
[0012]通过喷涂方式在电池多晶硅层表面喷涂掩膜层。
[0013]具体实施中，所述掩膜层由氮氧化硅、氮化硅或氧化铝中的一种组成或他们之间的任意组合组成。
[0014]具体实施中，所述对多晶硅层进行刻蚀，进一步包括：
[0015]利用碱刻蚀设备对多晶硅层进行刻蚀。
[0016]具体实施中，所述去除掩膜层，进一步包括：
[0017]利用氢氟酸清洗去除掩膜层。
[0018]本专利技术还提供了一种钝化接触电池，电池片背面的多晶硅层具有第一区域及第二区域，所述第二区域与副栅线区域相对应，且所述第二区域的厚度小于所述第一区域。
[0019]具体实施中，所述多晶硅层的第一区域厚度为120纳米至300纳米，第二区域厚度为50纳米至70纳米。
[0020]本专利技术提供的一种钝化接触电池及其制造方法，其中，该该钝化接触电池的制造
方法包括：在电池多晶硅层表面设置与副栅线区域相对应的掩膜层；对多晶硅层进行刻蚀，并去除掩膜层。该方法通过掩膜法使得硅片背面副栅线区域的多晶硅膜薄膜层在刻蚀过程中仍就可以保持厚度，仅降低不具有掩膜层保护区域的厚度；因而可以在有效减少硅片背面多晶硅层在长波段的寄生吸收，提升长波段的光谱响应；同时还可以保证充分的欧姆接触，进而有效的提升电池转换效率。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些具体实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0022]图1是根据本专利技术一个具体实施方式中钝化接触电池的制造方法流程示意图；
[0023]图2是根据本专利技术一个具体实施方式中钝化接触电池的结构示意图。
具体实施方式
[0024]为使本专利技术具体实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本专利技术具体实施方式做进一步详细说明。在此，本专利技术的示意性具体实施方式及其说明用于解释本专利技术，但并不作为对本专利技术的限定。
[0025]如图1、图2所示，申请人考虑到硅片背面多晶硅层在长波段的寄生吸收，对TOPCon电池的转化效率具有较大的限制，因而本专利技术提供了一种钝化接触电池的制造方法，用以在有效减少硅片背面多晶硅层在长波段的寄生吸收、提升长波段的光谱响应的同时，保证充分的欧姆接触，进而有效提升电池的转换效率，该钝化接触电池的制造方法包括：
[0026]101：在电池多晶硅层表面设置掩膜层，所述掩膜层与副栅线区域相对应；
[0027]102：对多晶硅层进行刻蚀；
[0028]103：去除掩膜层。
[0029]具体实施中，利用该制造方法来制造钝化解除电池的整体过程可以包括：
[0030]对硅片的正面进行碱制绒及硼扩散；
[0031]去除硅片背面的硼硅玻璃及抛光硅片背面；
[0032]在硅片的背面生长氧化硅薄膜作为隧穿氧化层；
[0033]在隧穿氧化层的表面沉积多晶硅层并对多晶硅层进行掺杂；
[0034]在多晶硅层的表面设置掩膜层，所述掩膜层与副栅线区域相对应；
[0035]对多晶硅层进行刻蚀，以及去除掩膜层；
[0036]去除硅片正面绕镀的多晶硅并清洗；
[0037]在硅片的正面生成氧化铝薄膜；
[0038]依次在硅片的正面及背面沉积氮化硅薄膜；
[0039]丝网印刷硅片两面的电池栅线并完成烧结。
[0040]具体实施中，为了有效保证掩膜层的保护效果，避免被掩膜层覆盖的区域在后续工序中降低多晶硅厚度，所述步骤101：在电池多晶硅层表面设置掩膜层，所述掩膜层与副栅线区域相对应，可以进一步包括：通过丝网印刷的方式在电池多晶硅层表面印刷掩膜层，
所述掩膜层与副栅线区域相对应。进一步的，掩膜层的选用可以有多种实施方案。例如，所述掩膜层可以由氧化硅、纤维素及树脂组成，所述氧化硅、纤维素及树脂组的配比为1:1:20
‑
1:1:10。再例如，所述步骤101：在电池多晶硅层表面设置掩膜层，所述掩膜层与副栅线区域相对应，还可以进一步包括：通过喷涂方式在电池多晶硅层表面喷涂掩膜层，所述掩膜层与副栅线区域相对应。进一步的，在喷涂掩膜层时，所述掩膜层由氮氧化硅、氮化硅或氧化铝中的一种组成或他们之间的任意组合组成。
[0041]具体实施中，对多晶硅层进行刻蚀以降低不具有掩膜层保护区域的多晶硅层厚度，可以有多种实施方案。例如，由于碱刻蚀具有较为优异的刻蚀效果，而氢氟酸可以在碱刻蚀后有效去除掩膜层，因而所述步骤102：对多晶硅层进行刻蚀，以及所述步骤103：去除掩膜层，可以进一步包括：
[0042]利用碱刻蚀设备对多晶硅层进行刻蚀，以降低不具有掩膜层保护区域的多晶硅层厚度；
[0043]利用氢氟酸清洗去除掩膜层。
[0044]具体实施中，多晶硅层的厚度在设置时可以有多种实施方案。在隧穿氧化层上可以沉积120纳米至300纳米后的多晶硅，而在后续工艺中，由于具有掩膜层的保护，硅片硅片背面副栅线区域的多晶硅不会在刻蚀过程中降低厚度，即具有掩膜层保护区域的多晶硅层厚度仍为120纳米至300纳米，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触电池的制造方法，其特征在于，包括：在电池多晶硅层表面设置掩膜层，所述掩膜层与副栅线区域相对应；对多晶硅层进行刻蚀；去除掩膜层。2.如权利要求1所述的钝化接触电池的制造方法，其特征在于，所述在电池多晶硅层表面设置掩膜层，进一步包括：通过丝网印刷的方式在电池多晶硅层表面印刷掩膜层。3.如权利要求2所述的钝化接触电池的制造方法，其特征在于，所述掩膜层由氧化硅、纤维素及树脂组成。4.如权利要求3所述的钝化接触电池的制造方法，其特征在于，所述氧化硅、纤维素及树脂组的配比为1:1:20
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1:1:10。5.如权利要求1所述的钝化接触电池的制造方法，其特征在于，如权利要求1所述的钝化接触电池的制造方法，其特征在于，所述在电池多晶硅层表面设置掩膜层，进一步包括：通过喷涂方...

【专利技术属性】
技术研发人员：马玉超，徐伟智，叶巨洋，丰明璋，林全键，蔡永梅，何胜，
申请(专利权)人：正泰新能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：