【技术实现步骤摘要】
一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板及其制备方法
[0001]本专利技术涉及覆铜板
,更具体地说,本专利技术涉及一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板及其制备方法。
技术介绍
[0002]覆铜板一般指覆铜箔层压板;覆铜箔层压板是将电子玻纤布或其它增强材料浸以树脂,一面或双面覆以铜箔并经热压而制成的一种板状材料,简称为覆铜板。覆铜板制造行伴随电子信息、通讯业的不断发展,具有广阔的发展前景,覆铜板制造技术属于一项多学科相互交叉、相互渗透、相互促进的高新技术。环氧树脂由于具有优异的粘结性、耐腐蚀性、优良的介电性能以及可制备工艺性优点,因此被广泛应用于电气设备绝缘与微电子设备封装。
[0003]现有的环氧树脂基覆铜板,环氧树脂由于自身缺陷,耐高温性能不佳,且耐老化性能不高。
技术实现思路
[0004]为了克服现有技术的上述缺陷,本专利技术的实施例提供一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板及其制备方法。
[0005]一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板,包括电子玻纤布、铜箔和浸渍料,所述电子玻纤布在浸渍料中浸渍处理后制成半固化片,铜箔设于半固化片外壁两侧;所述浸渍料按照重量百分比计算包括:14.6~15.6%的活性稀释剂、15.4~16.4%的复配固化剂、32.6~34.6%的改性剂,其余为氢化双酚A型环氧树脂。
[0006]进一步的,所述改性剂按照重量百分比计算包括:9.6~10.6%的纳米氮化铝、0.2~0.4%的硅烷偶联剂KH560、41.6~43.6%的去离子水,其余为碳硼烷;所述复配固化剂按照重量百 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板,其特征在于:包括电子玻纤布、铜箔和浸渍料,所述电子玻纤布在浸渍料中浸渍处理后制成半固化片,铜箔设于半固化片外壁两侧;所述浸渍料按照重量百分比计算包括:14.6~15.6%的活性稀释剂、15.4~16.4%的复配固化剂、32.6~34.6%的改性剂,其余为氢化双酚A型环氧树脂。2.根据权利要求1所述的一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板,其特征在于:所述改性剂按照重量百分比计算包括:9.6~10.6%的纳米氮化铝、0.2~0.4%的硅烷偶联剂KH560、41.6~43.6%的去离子水,其余为碳硼烷;所述复配固化剂按照重量百分比计算包括:38.6~40.6%的4,4
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二氨基二苯甲烷,其余为4,4
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二氨基二苯砜。3.根据权利要求2所述的一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板,其特征在于:所述浸渍料按照重量百分比计算包括:14.6%的活性稀释剂、15.4%的复配固化剂、32.6%的改性剂,其余为氢化双酚A型环氧树脂;所述改性剂按照重量百分比计算包括:9.6%的纳米氮化铝、0.2%的硅烷偶联剂KH560、41.6%的去离子水,其余为碳硼烷;所述复配固化剂按照重量百分比计算包括:38.6%的4,4
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二氨基二苯甲烷,其余为4,4
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二氨基二苯砜。4.根据权利要求2所述的一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板,其特征在于:所述浸渍料按照重量百分比计算包括:15.6%的活性稀释剂、16.4%的复配固化剂、34.6%的改性剂,其余为氢化双酚A型环氧树脂;所述改性剂按照重量百分比计算包括:10.6%的纳米氮化铝、0.4%的硅烷偶联剂KH560、43.6%的去离子水,其余为碳硼烷;所述复配固化剂按照重量百分比计算包括:40.6%的4,4
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二氨基二苯甲烷,其余为4,4
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二氨基二苯砜。5.根据权利要求2所述的一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板,其特征在于:所述浸渍料按照重量百分比计算包括:15.1%的活性稀释剂、15.9%的复配固化剂、33.6%的改性剂,其余为氢化双酚A型环氧树脂;所述改性剂按照重量百分比计算包括:10.1%的纳米氮化铝、0.3%的硅烷偶联剂KH560、42.6%的去离子水,其余为碳硼烷;所述复配固化剂按照重量百分比计算包括:39.6%的4,4
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二氨基二苯甲烷,其余为4,4
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二氨基二苯砜。6.根据权利要求1所述的一种耐高温低频环氧树脂基覆铜板,其特征在于:所述活性稀释剂为丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、2
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甲基丙烯酸甲酯和2
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甲基丙烯酸乙酯中的一种或两种复配制成。7.一种耐高温低频环氧树脂基覆铜...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈应峰,吴海兵,
申请(专利权)人:江苏耀鸿电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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