液晶元件及其制造方法技术

液晶元件10包括：第一基材11，设置有第一电极；第二基材12，设置有第二电极且与第一基材11相向配置；以及液晶层13，与第一基材11及第二基材12邻接配置且使含有液晶及聚合性化合物的液晶组合物硬化而形成。液晶元件10中，自第一基材11及第二基材12中的至少一者剥离液晶层13，将剥离了液晶层13的基材在己烷中在23℃下浸渍30秒并进行干燥，对干燥后的剥离面侧的基材表面通过X射线光电子分光法进行测定时，相对于碳原子、氧原子与硅原子的合计量，硅原子的比例为0.05％以上且10％以下。原子的比例为0.05％以上且10％以下。原子的比例为0.05％以上且10％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶元件及其制造方法
[0001]关联申请的相互参照
[0002]本申请基于2020年5月21日提出申请的日本专利申请编号2020
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89042号，将其记载内容引用于本申请中。


[0003]本公开涉及一种液晶元件及其制造方法。

技术介绍

[0004]作为液晶元件，已知有在表面形成有透明电极的一对膜基材之间配置有包含液晶与高分子的复合材料的液晶层的高分子分散型液晶元件。近年来，提出了将高分子分散型液晶元件用作调光元件(例如，参照专利文献1或专利文献2)。专利文献1及专利文献2的调光元件通过透明电极的电压施加/未施加电压的切换，透明性发生变化，从而显现出调光功能。另外，正在研究利用高分子分散型液晶元件的调光功能，赋予展示窗或智能手机、电视、监视器、建筑物、家具等新的功能。作为高分子分散型液晶，已知有聚合物分散液晶(Polymer Dispersed Liquid Cristal，PDLC)或聚合物网络液晶(Polymer Network Liquid Cristal，PNLC)等。
[0005]作为高分子分散型液晶元件，之前提出了通过将高分子/液晶复合膜的构成材料与硅烷偶合剂一起注入至单元中并进行光照射，在一对基板的表面不形成液晶取向膜而获得均匀且稳定的液晶取向状态(例如，参照专利文献3)。根据所述专利文献3的技术，可不形成控制液晶的取向的液晶取向膜，因此可实现制造步骤的简化。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本专利特开2013
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3319号公报
[0009]专利文献2：日本专利特开2013
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148744号公报
[0010]专利文献3：日本专利特开2000
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321562号公报

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的问题
[0012]通过不使用液晶取向膜来控制液晶分子的取向的无取向膜技术制造的液晶元件由于不进行利用取向膜进行的液晶的初期取向的控制，因此难以决定液晶的初期取向，有时无法形成充分透明的状态。另外，设想高分子分散型液晶元件在室外或高温环境下使用。因此，高分子分散型液晶元件要求耐热性或重复驱动耐性、弯曲后的光学特性高。
[0013]本公开是鉴于所述课题而成，其主要目的在于提供一种即使不具有液晶取向膜，透明性及光散射性也高且耐热性、重复驱动耐性及弯曲后的光学特性也良好的液晶元件。
[0014]解决问题的技术手段
[0015]本公开为了解决所述课题而采用以下方法。
[0016]<1>一种液晶元件，包括：第一基材，设置有第一电极；第二基材，设置有第二电极且与所述第一基材相向配置；以及液晶层，与所述第一基材及所述第二基材邻接配置且使含有液晶及聚合性化合物的液晶组合物硬化而形成，所述液晶元件不具有液晶取向膜，自所述第一基材及所述第二基材中的至少一者剥离所述液晶层，将剥离了所述液晶层的基材在己烷中在23℃下浸渍30秒并进行干燥，对干燥后的剥离面侧的基材表面通过X射线光电子分光法进行测定时，相对于碳原子、氧原子与硅原子的合计量，硅原子的比例为0.05％以上且10％以下。
[0017]<2>一种液晶元件的制造方法，包括：将设置有第一电极的第一基材与设置有第二电极的第二基材经由包含含有液晶及聚合性化合物的液晶组合物的层相向配置来构筑液晶单元的步骤；以及通过对所述液晶单元进行光照射，使所述液晶组合物硬化而形成液晶层的步骤，
[0018]所述液晶元件不具有液晶取向膜，自所述第一基材及所述第二基材中的至少一者剥离所述液晶层，将剥离了所述液晶层的基材在己烷中在23℃下浸渍30秒并进行干燥，对干燥后的剥离面侧的基材表面通过X射线光电子分光法进行测定时，相对于碳原子、氧原子与硅原子的合计量，硅原子的比例为0.05％以上且10％以下。
[0019]<3>一种液晶元件的制造方法，包括：将设置有第一电极的第一基材与设置有第二电极的第二基材经由包含含有液晶及聚合性化合物的液晶组合物的层相向配置来构筑液晶单元的步骤；以及通过对所述液晶单元进行光照射，使所述液晶组合物硬化的步骤，
[0020]所述液晶元件不具有液晶取向膜，通过以50mW/cm2以上的照射量照射150秒以下波长313nm的光或以150mW/cm2以上的照射量照射150秒以下波长365nm的光来进行所述液晶组合物的硬化。
[0021]专利技术的效果
[0022]根据所述结构，可获得一种即使在基材上不具有液晶取向膜，透明性及光散射性也高且耐热性、重复驱动耐性及弯曲后的光学特性也良好的液晶元件。
附图说明
[0023][图1]图1为表示液晶元件的概略结构的图。
[0024][图2]图2为说明液晶元件的功能的图。
具体实施方式
[0025]以下，对与本公开的方式相关的事项进行详细说明。
[0026](第一实施方式)
[0027]<液晶元件>
[0028]本实施方式的液晶元件为高分子分散型液晶元件。如图1所示，液晶元件10包括：包含第一基材11及第二基材12的一对基材、以及配置于第一基材11与第二基材12之间的液晶层13。液晶元件10为如下调光元件：利用电场来控制液晶层13中所形成的聚合物网络13a中存在的液晶分子13b的取向，由此切换透过光的透过状态与散射光的不透过状态。
[0029]第一基材11及第二基材12为包含玻璃或树脂材料的透明基材。作为构成基材的树脂材料，例如可列举：硅、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚
丙烯、聚氯乙烯、芳香族聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、三乙酰基纤维素(Triacetyl Cellulose，TAC)、聚甲基丙烯酸甲酯等材料。第一基材11及第二基材12可为玻璃基板，就可实现液晶元件10的薄型化及轻量化的方面而言，优选为塑料基板。
[0030]在第一基材11及第二基材12中，透明电极16、透明电极17分别配置于彼此相向的面，电极对由这些透明电极16、透明电极17构筑。透明电极16、透明电极17为透明导电膜，例如为包含氧化锡(SnO2)的奈塞(NESA)膜(美国PPG公司注册商标)、包含氧化铟
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氧化锡(In2O3‑
SnO2)的氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)膜、或包含碳材料的膜。透明电极16、透明电极17也可具有梳齿状等的规定的图案。
[0031]液晶层13通过对含有液晶与聚合性化合物的液晶组合物进行硬化而形成。液晶层13为聚合物与液晶分子13b混合存在的高分子/液晶复合材料层，液晶层13中，构筑有使聚合性化合物进行聚合而形成的聚合物网络13a。液晶元件10中，在第一基材11及第二基材12未形成用于使液晶层13中的液晶分子13b取向的液晶取向膜。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种液晶元件，包括：第一基材，设置有第一电极；第二基材，设置有第二电极且与所述第一基材相向配置；以及液晶层，与所述第一基材及所述第二基材邻接配置且使含有液晶及聚合性化合物的液晶组合物硬化而形成，所述液晶元件不具有液晶取向膜，自所述第一基材及所述第二基材中的至少一者剥离所述液晶层，将剥离了所述液晶层的基材在己烷中在23℃下浸渍30秒并进行干燥，对干燥后的剥离面侧的基材表面通过X射线光电子分光法进行测定时，相对于碳原子、氧原子与硅原子的合计量，硅原子的比例为0.05％以上且10％以下。2.根据权利要求1所述的液晶元件，其中所述液晶包含选自由含环己基氰基的液晶及含二苯乙炔结构的液晶所组成的群组中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的液晶元件，其中所述液晶组合物含有聚有机硅氧烷。4.根据权利要求3所述的液晶元件，其中所述聚有机硅氧烷具有液晶取向性基。5.根据权利要求3或4所述的液晶元件，其中所述聚有机硅氧烷具有聚合性基。6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶元件，其中所述聚合性化合物含有分子量1000以下的含(甲基)丙烯酰基的化合物。7.根据权利要求1至6中任一项所述的液晶元件，其中所述液晶组合物含有选自由酰基氧化膦系聚合引发剂、α
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氨基苯烷基酮系聚合引发剂、α
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羟基苯乙酮系聚合引发剂及肟酯系聚合引发剂所组成的群组中的至少一种。8.一种液晶元件的制造方法，包括：将设置有第一电极的第一基材与设置有第二电极的第二基材经由包含含有液晶及聚合性化合物的液晶组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：樫下幸志，大场佑树，栗田慎也，植阪裕介，绫部真嗣，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：