一种高稳定性充电复位电路及电子产品制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高稳定性充电复位电路及电子产品，充电复位电路包括限流电阻R155；限流电阻R155的一端与VBUS端口相连接，限流电阻R155的另一端分别与稳压二极管ZD1的阴极、滤波电容C624的一端、耦合电容C623的一端相连接，稳压二极管ZD1的阳极、GND端口、滤波电容C624的另一端均接地；耦合电容C623的另一端与限流电阻R133的一端相连接，限流电阻R133的另一端分别与三极管Q100的基极、抗干扰电阻R134的一端相连接，三极管Q100的集电极与单片机的复位引脚相连接，三极管Q100的发射极、抗干扰电阻R134的另一端均接地；所述电子产品含有上述高稳定性充电复位电路。有上述高稳定性充电复位电路。有上述高稳定性充电复位电路。

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定性充电复位电路及电子产品


[0001]本技术涉及电子产品领域，尤其涉及一种高稳定性充电复位电路。

技术介绍

[0002]复位电路涉及到小家电产品，便携式电子产品，智能穿戴产品等电子产品中的充电复位运用，可以复位解决电子产品在使用过程中芯片死机不能操作使用的情况；现有的复位方式有两种，第一种为：产品设计中专门预留复位机械按键，但是机械按键寿命有限，同时其占用了结构空间，不便于产品小型化，另外增加了产品防水设计的成本，影响外观美观度及体验感。第二种为：使用充电插入动作+专用复位芯片来实现复位动作，这种复位方式电路复杂，成本高，不能对输入电压波动进行处理，电路稳定及可靠性较差。因此，有必要研究一种高稳定性充电复位电路来解决上述问题。

技术实现思路

[0003]本技术目的是针对上述问题，提供一种结构简单、成本低廉的高稳定性充电复位电路。
[0004]为了实现上述目的，本技术的技术方案是：
[0005]一种高稳定性充电复位电路，所述充电复位电路包括限流电阻R155、稳压二极管ZD1、滤波电容C624、耦合电容C623、限流电阻R133、抗干扰电阻R134、三极管Q100；所述限流电阻R155的一端与VBUS端口相连接，限流电阻R155的另一端分别与稳压二极管ZD1的阴极、滤波电容C624的一端、耦合电容C623的一端相连接，稳压二极管ZD1的阳极、GND端口、滤波电容C624的另一端均接地；耦合电容C623的另一端与限流电阻R133的一端相连接，限流电阻R133的另一端分别与三极管Q100的基极、抗干扰电阻R134的一端相连接，三极管Q100的集电极与单片机的复位引脚相连接，三极管Q100的发射极、抗干扰电阻R134的另一端均接地。
[0006]进一步的，所述限流电阻R155的阻值范围为100～2000Ω。
[0007]进一步的，所述稳压二极管ZD1的稳压范围为0.7～4.7V。
[0008]进一步的，所述滤波电容C624的电容值为1PF～10UF。
[0009]进一步的，所述耦合电容C623的电容范围为0.001～10UF。
[0010]进一步的，所述限流电阻R133的阻值范围为0.1～20000欧姆。
[0011]进一步的，所述抗干扰电阻R134的阻值范围为1000～470000欧姆。
[0012]进一步的，所述三极管Q100为NPN三极管。
[0013]一种电子产品，所述电子产品含有高稳定性充电复位电路。
[0014]与现有技术相比，本技术具有的优点和积极效果是：
[0015]在进行使用时，将电源插入充电接口内，在电源作用下，VBUS端口的瞬间充电电压经过限流电阻R155、稳压二极管ZD1、滤波电容C624后，会产生一个限压后的瞬间电压，再通过耦合电容C623把此瞬间电压从电容的一端耦合到电容的另一端，经过限流电阻R133和接
地抗干扰电阻R134后，送到三极管Q100的基极驱动三极管Q100瞬间导通，使连接到MCU单片机的REST复位信号强制瞬间的拉低，由于单片机有RC复位电路的存在，迫使MCU单片机重新复位启动运行，从而保证产品正常工作和使用；该复位电路元件少、成本低、抗输入电压波动性好，同时其不需要设置机械按键，便于产品小型化。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为复位电路的电路结构图；
[0018]图2为复位电路的连接框架逻辑图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
[0020]如图1所示，本实施例公开了一种高稳定性充电复位电路，所述充电复位电路包括限流电阻R155、稳压二极管ZD1、滤波电容C624、耦合电容C623、限流电阻R133、抗干扰电阻R134、三极管Q100；所述限流电阻R155的一端与VBUS端口相连接，限流电阻R155的另一端分别与稳压二极管ZD1的阴极、滤波电容C624的一端、耦合电容C623的一端相连接，稳压二极管ZD1的阳极、GND端口、滤波电容C624的另一端均接地；耦合电容C623的另一端与限流电阻R133的一端相连接，限流电阻R133的另一端分别与三极管Q100的基极、抗干扰电阻R134的一端相连接，三极管Q100的集电极与单片机的复位引脚相连接，三极管Q100的发射极、抗干扰电阻R134的另一端均接地。
[0021]图1中，VBUS端口和GND端口分别连接电源充电输入的正极和负极，R155是输入电压限流电阻(阻值选型范围100欧姆～2000欧姆)，ZD1是稳压二极管(稳压选型范围0.7V～4.7V)，C624是滤波电容(电容选型范围，可以悬空不贴和1PF～10UF)，C623是耦合电容(电容选型范围0.001UF～10UF)，R133(电阻选型范围是0.1欧姆～20000欧姆)是三极管Q100的限流电阻，R134(电阻选型范围是1000欧姆～470000欧姆)是三极管Q100的接地抗干扰电阻，三极管Q100是连接MCU单片机复位引脚的NPN三极管(也包括内部集成R133和R134电阻型NPN三极管)。
[0022]另外，本实施例还公开了一种电子产品，所述电子产品含有高稳定性充电复位电路，其可以实现死机后的复位效果。
[0023]如图2所示，当电子产品死机时，将电源插入充电接口后，电源可以通过电源管理系统给系统中的各个子系统供电，同时输入电压正极通过充电复位电路处理后，把充电插入信号传递给MCU单片机的复位引脚，迫使MCU单片机进行复位重启，重启后MCU单片机就可
以正常控制各个模块，从而保证产品的正常工作和使用。
[0024]在进行使用时，将电源插入电子产品的充电接口内，在电源作用下，VBUS端口的瞬间充电电压经过限流电阻R155、稳压二极管ZD1、滤波电容C624后，会产生一个限压后的瞬间电压，再通过耦合电容C623把此瞬间电压从电容的一端耦合到电容的另一端，经过限流电阻R133和接地抗干扰电阻R134后，送到三极管Q100的基极驱动三极管Q100瞬间导通，使连接到MCU单片机的REST复位信号强制瞬间的拉低，由于单片机有RC复位电路的存在，迫使MCU单片机重新复位启动运行，从而保证产品正常工作和使用；该复位电路元件少、成本低、抗输入电压波动性好，同时其不需要设置机械按键，便于产品小型化。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述充电复位电路包括限流电阻R155、稳压二极管ZD1、滤波电容C624、耦合电容C623、限流电阻R133、抗干扰电阻R134、三极管Q100；所述限流电阻R155的一端与VBUS端口相连接，限流电阻R155的另一端分别与稳压二极管ZD1的阴极、滤波电容C624的一端、耦合电容C623的一端相连接，稳压二极管ZD1的阳极、GND端口、滤波电容C624的另一端均接地；耦合电容C623的另一端与限流电阻R133的一端相连接，限流电阻R133的另一端分别与三极管Q100的基极、抗干扰电阻R134的一端相连接，三极管Q100的集电极与单片机的复位引脚相连接，三极管Q100的发射极、抗干扰电阻R134的另一端均接地。2.如权利要求1所述的高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述限流电阻R155的阻值范围为100...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建飞，
申请(专利权)人：北京吾星球科技有限公司，
类型：新型
国别省市：