覆盖结构、发声封装及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种覆盖结构、发声封装及其制造方法，所述覆盖结构设置在一发声封装内，该覆盖结构包括一第一部分，配置来形成具有一第一直径的一第一声音出口；一第二部分，配置来形成具有一第二直径的一腔室；一第三部分，配置来形成具有一第三直径的一第二声音出口。其中，该第一声音出口、该腔室及该第二声音出口提供一声音路径，该第一直径小于该第二直径，且该第三直径小于该第二直径。其中，该第二部分设置于该第一部分及该第三部分之间。部分设置于该第一部分及该第三部分之间。部分设置于该第一部分及该第三部分之间。

【技术实现步骤摘要】
覆盖结构、发声封装及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种发声封装的覆盖结构及其制造方法，尤其涉及一种用于抑制高频声波的发声封装的覆盖结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]微型发声装置(micro sound producing devices)，例如，微机电系统(micro electro mechanical system，MEMS)扬声器，由于其体积小而迅速发展并广泛应用于各种电子装置中。例如，MEMS扬声器可以使用薄膜压电材料作为一致动器，以及使用由至少一种半导体工艺形成的一薄单晶硅层作为一振膜。
[0003]由于MEMS扬声器体积小且结构脆弱，因此可以采用一覆盖结构来覆盖和保护MEMS扬声器。一般而言，覆盖结构可以由具有一声音出口的薄金属盖构成，其声音出口用以当作传播声音的一路径。由MEMS扬声器产生并在声音出口外接收的声波通常在较高频处有较大的一频率响应，这可能会产生较高的一总谐波失真(total harmonic distortion，THD)。不必要的总谐波失真可能会降低声音质量，且在音响应用中被要求去除。因此，需要对现有技术进行改进。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术的主要目的即在于提供一种发声封装的覆盖结构及其制造方法，从而解决上述问题。
[0005]本专利技术的一实施例公开了一种覆盖结构，设置在一发声封装内。该覆盖结构包括一第一部分，配置来形成具有一第一直径的一第一声音出口；一第二部分，配置来形成具有一第二直径的一腔室；以及一第三部分，配置来形成具有一第三直径的一第二声音出口。其中，该第一声音出口、该腔室及该第二声音出口提供一声音路径，该第一直径小于该第二直径，且该第三直径小于该第二直径。其中，该第二部分设置于该第一部分及该第三部分之间。
[0006]本专利技术的一实施例公开了一种发声封装，包括一发声装置及一覆盖结构。该发声装置配置以产生一声波。该覆盖结构配置以覆盖该发声装置，该覆盖结构包括一第一部分，配置来形成具有一第一直径的一第一声音出口；一第二部分，配置来形成具有一第二直径的一腔室；一第三部分，配置来形成具有一第三直径的一第二声音出口。其中，该第一声音出口、该腔室及该第二声音出口提供一声音路径，该第一直径小于该第二直径，且该第三直径小于该第二直径。其中，该第二部分设置于该第一部分及该第三部分之间。
[0007]本专利技术的一实施例公开了一种发声封装的制造方法。该方法包括形成一发声装置，其中，该发声装置配置以产生一声波；以及形成一覆盖结构以覆盖该发声装置，其中，该覆盖结构包括一第一部分，配置来形成具有一第一直径的一第一声音出口；一第二部分，配置来形成具有一第二直径的一腔室；一第三部分，配置来形成具有一第三直径的一第二声音出口。其中，该第一声音出口、该腔室及该第二声音出口提供一声音路径，该第一直径小
于该第二直径，且该第三直径小于该第二直径，其中，该第二部分设置于该第一部分及该第三部分之间。
附图说明
[0008]图1为本专利技术实施例一发声封装的示意图。
[0009]图2示出一覆盖结构的一立体剖视图。
[0010]图3为测量的声压级(sound pressure level，SPL)相对于频率的波形图。
[0011]图4为声压级的一模拟结果的波形图。
[0012]图5另示出对应于SPL的总谐波失真。
[0013]图6为本专利技术实施例的一流程的流程图。
[0014]其中，附图标记说明如下：
[0015]10
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发声封装
[0016]102
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覆盖结构
[0017]102A、102B、102C
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部分
[0018]102D
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支撑架构
[0019]110
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发声装置
[0020]112
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衬底
[0021]114
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附着材料
[0022]60
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流程
[0023]600、602、604、606
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步骤
[0024]R1、R2、R3
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直径
具体实施方式
[0025]图1为本专利技术实施例一发声封装10的示意图，其显示了发声封装10的横截面图。如图1所示，发声封装10包括一覆盖结构102，其包括一第一部分102A、一第二部分102B、一第三部分102C以及一支撑架构102D。发声封装10还包括一发声装置110(sound producing device，SPD)以及一衬底112。发声装置110可以是一微机电系统(micro electro mechanical system，MEMS)扬声器，可以通过诸如一晶片粘结薄膜(die attach film)或一环氧树脂(epoxy paste)的一附着材料114附着到衬底112。在一实施例中，发声装置110可以包括一个或多个振膜和相对应的致动器，其可按照美国专利案号10,805,751B1和/或11,057,716B1中的方式布署，但不限于此。包括在发声封装10中的发声装置110及振膜可以压缩空气粒子来产生声波，声波通过覆盖结构102的一声音路径以向外传递。
[0026]在一实施例中，覆盖结构102的第一部分102A、第二部分102B及第三部分102C可以使用一模具塑料制成。在组装过程中，覆盖结构102的支撑架构102D可以通过例如环氧树脂附着到衬底112。支撑架构102D配置为形成用于容纳发声装置110的空间。
[0027]在发声封装10中，覆盖结构102被适当地布署以在覆盖结构102内形成一腔室，从而抑制/衰减由发声装置110产生的声波中的一高频总谐波失真(total harmonic distortion，THD)。详细来说，覆盖结构102的第一部分102A可以是一上层，其具有一直径R1的一上侧声音出口。覆盖结构102的第三部分102C可以是一下层，其具有一直径R3的一下侧
声音出口。覆盖结构102的第二部分102B可以是布署于上层及下层间的一中层，中层具有一直径R2的一腔室。上侧声音出口、腔室及下侧声音出口提供/形成用于传递发声装置110产生的声音的一声音路径。上侧声音出口的直径R1和下侧声音出口的直径R3均应小于腔室的直径R2，从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆盖结构，其特征在于，设置在一发声封装内，所述覆盖结构包括：一第一部分，配置来形成具有一第一直径的一第一声音出口；一第二部分，配置来形成具有一第二直径的一腔室；以及一第三部分，配置来形成具有一第三直径的一第二声音出口；其中，所述第一声音出口、所述腔室及所述第二声音出口提供一声音路径，所述第一直径小于所述第二直径，且所述第三直径小于所述第二直径；其中，所述第二部分设置于所述第一部分及所述第三部分之间。2.如权利要求1所述的覆盖结构，其特征在于，所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分由一模具塑料制成。3.如权利要求1所述的覆盖结构，其特征在于，所述第三部分为所述覆盖结构的一内侧部分，所述第一部分为所述覆盖结构的一外侧部分，且所述第一直径小于所述第三直径。4.如权利要求1所述的覆盖结构，其特征在于，一驻波形成于所述腔室内。5.如权利要求4所述的覆盖结构，其特征在于，所述驻波对应于大于或等于10千赫兹的一特定频率，且所述特定频率为所述腔室的一峰值传输损耗频率。6.如权利要求5所述的覆盖结构，其特征在于，所述腔室的一高度被选择以使得所述特定频率大于或等于10千赫兹。7.如权利要求5所述的覆盖结构，其特征在于，所述第二直径及所述第一直径的一比值被选择以使得在所述特定频率处的声压级的一抑制程度至少为10分贝；其中，所述抑制程度是相对于内部没有形成腔室的覆盖结构的情况。8.一种发声封装，其特征在于，包括：一发声装置，配置以产生一声波；以及一覆盖结构，配置以覆盖所述发声装置，所述覆盖结构包括：一第一部分，配置来形成具有一第一直径的一第一声音出口；一第二部分，配置来形成具有一第二直径的一腔室；以及一第三部分，配置来形成具有一第三直径的一第二声音出口；其中，所述第一声音出口、所述腔室及所述第二声音出口提供一声音路径，所述第一直径小于所述第二直径，且所述第三直径小于所述第二直径；其中，所述第二部分设置于所述第一部分及所述第三部分之间。9.如权利要求8所述的发声封装，其特征在于，所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分由一模具塑料制成。10.如权利要求8所述的发声封装，其特征在于，所述第三部分为所述覆盖结构的一内侧部分，所述第一部分为所述覆盖结构的一外侧部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：温海宏，李维洋，
申请(专利权)人：知微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：