提供了非易失性存储器装置、操作控制器和操作存储装置的方法。所述操作控制器的方法包括：根据来自主机的读取请求，将第一命令随机地发送到非易失性存储器装置；从非易失性存储器装置接收与第一命令对应的第一读取数据；确定第一读取数据的第一错误位的数量是否大于第一参考值；当第一错误位的数量不大于第一参考值时，确定第一错误位的数量是否大于第二参考值；当第一错误位的数量大于第二参考值时，将目标字线存储在健康缓冲器中；将第二命令周期性地发送到非易失性存储器装置；以及从非易失性存储器装置接收与第二命令对应的第二读取数据。取数据。取数据。
【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置、操作控制器和操作存储装置的方法
[0001]本申请要求于2021年6月2日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0071352号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
[0002]本公开涉及一种非易失性存储器装置、用于控制非易失性存储器装置的控制器、包括非易失性存储器装置的存储装置和操作非易失性存储器装置的方法。
技术介绍
[0003]通常，广泛地使用了包括NAND闪存的存储装置(诸如，固态驱动器(SSD)、存储器卡等)。NAND闪存可以通过改变存储器单元的阈值电压来存储数据，并且可以使用预定的读取电压电平来读取数据。然而，随着存储器单元的阈值电压由于存储器单元的劣化而改变，可能发生读取故障。
技术实现思路
[0004]本公开的一方面可以是提供一种用于改善数据可靠性的非易失性存储器装置、用于控制非易失性存储器装置的控制器、包括非易失性存储器装置的存储装置和操作非易失性存储器装置的方法。
[0005]根据本公开的一方面，一种操作存储装置的方法包括：根据来自主机的读取请求，对至少一条第一目标字线执行第一读取操作；确定根据第一读取操作的读取数据的第一错误位的数量是否大于第一参考值；当第一错误位的数量不大于第一参考值时，确定第一错误位的数量是否大于第二参考值；当第一错误位的数量大于第二参考值时，将与所述至少一条第一目标字线对应的字线信息存储在健康缓冲器中；对至少一条第二目标字线执行第二读取操作；确定根据第二读取操作的读取数据的第二错误位的数量是否大于第一参考值；当第二错误位的数量不大于第一参考值时，确定健康缓冲器是否为空；当健康缓冲器不为空时，使用存储在健康缓冲器中的字线信息来执行第三读取操作；以及确定根据第三读取操作的读取数据的第三错误位的数量是否大于第一参考值。
[0006]根据本公开的一方面，一种操作控制器的方法包括：根据来自主机的读取请求，将第一命令随机地发送到非易失性存储器装置；从非易失性存储器装置接收与第一命令对应的第一读取数据；确定第一读取数据的第一错误位的数量是否大于第一参考值；当第一错误位的数量不大于第一参考值时，确定第一错误位的数量是否大于第二参考值；当第一错误位的数量大于第二参考值时，将目标字线存储在健康缓冲器中；将第二命令周期性地发送到非易失性存储器装置；以及从非易失性存储器装置接收与第二命令对应的第二读取数据。
[0007]根据本公开的一方面，一种存储装置包括：多个存储器块，包括在各条位线与共源极线之间的至少两个串，所述至少两个串中的每个串包括串联连接在位线之一与共源极线之间的至少一个串选择晶体管、多个存储器单元和至少一个地晶体管。所述至少一个串选
择晶体管具有连接到串选择线的栅极。所述多个存储器单元中的每个存储器单元从与其对应的字线接收字线电压。所述至少一个地晶体管具有连接到地选择线的栅极。控制逻辑被配置为：响应于第一命令而对连接到所述多个存储器块之中的一个存储器块的第一字线的存储器单元执行至少一个片上谷搜索(OVS)读取操作，将所述至少一个OVS读取操作的检测信息输出到外部装置，响应于第二命令而执行与连接到第一字线的存储器单元连接的读取操作，并且将读取操作的读取数据输出到外部装置。
[0008]根据本公开的一方面，一种存储装置包括至少一个非易失性存储器装置。控制器控制所述至少一个非易失性存储器装置。控制器包括对操作所需要的数据进行存储的缓冲存储器。纠错电路纠正从所述至少一个非易失性存储器装置读取的数据的错误。处理器驱动多个健康检查单元。所述多个健康检查单元中的每个健康检查单元被配置为：控制所述至少一个非易失性存储器装置执行读取操作、机器学习操作或单元计数操作，以检查存储器单元的健康。缓冲存储器包括至少一个健康缓冲器，所述至少一个健康缓冲器共享与所述多个健康检查单元对应的健康信息。
[0009]根据本公开的一方面，一种操作存储装置的方法包括：周期性地执行与每个存储器块的固定目标字线对应的第一巡查读取操作；执行与除了固定目标字线之外的可变目标字线对应的第二巡查读取操作；以及当根据第一巡查读取操作或第二巡查读取操作的错误位的数量大于参考值时，对与该错误位的数量对应的存储器块执行回收操作。
[0010]根据本公开的一方面，一种非易失性存储器装置包括：存储器单元区，具有第一金属垫；以及外围电路区，具有第二金属垫，并且通过第一金属垫和第二金属垫竖直地连接。存储器单元区包括包含多个存储器块的存储器单元阵列，所述多个存储器块具有连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元。外围电路区包括行解码器，行解码器在所述多条字线之中选择字线。外围电路区包括页缓冲器电路，页缓冲器电路具有连接到所述多条位线的多个页缓冲器。外围电路区包括控制逻辑，控制逻辑被配置为：通过控制引脚接收命令锁存使能(CLE)信号、地址锁存使能(ALE)信号、芯片使能(CE)信号、写入使能(WE)信号、读取使能(RE)信号和数据选通(DQS)信号，并且根据CLE信号和ALE信号在WE信号的沿处锁存命令或地址，以执行第一后台读取操作和第二后台读取操作。控制逻辑被配置为：通过第一后台读取操作对连接到第一字线的存储器单元执行第一读取操作；通过第二后台读取操作对连接到第二字线的存储器单元周期性地执行第二读取操作；以及通过第二后台读取操作对连接到第一字线的存储器单元执行第三读取操作。
附图说明
[0011]从下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和优点。
[0012]图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的示图。
[0013]图2是示出图1中示出的非易失性存储器装置的示图。
[0014]图3是示出根据本公开的实施例的存储器块的电路图的示图。
[0015]图4是示出根据本公开的实施例的控制器的示图。
[0016]图5A、图5B、图5C和图5D是概念性地示出根据本公开的实施例的共享健康缓冲器的示图。
[0017]图6是示出根据本公开的实施例的各种健康监视方法的示图。
[0018]图7是示出根据本公开的另一实施例的存储装置的操作的示图。
[0019]图8是示出根据本公开的另一实施例的存储装置的操作的示图。
[0020]图9是示出根据本公开的实施例的健康检查单元(HCU)的示图。
[0021]图10是示出根据本公开的实施例的回收管理单元的示图。
[0022]图11是示出根据本公开的另一实施例的存储装置的示图。
[0023]图12是示出根据本公开的实施例的存储装置的操作的流程图。
[0024]图13是示出根据本公开的另一实施例的存储装置的操作的流程图。
[0025]图14是示出根据本公开的实施例的存储装置的后台读取方法的梯形图。
[0026]图15是示出根据本公开的另一实施例的存储装置的后台读取方法的梯形图。
[0027]图16是示出根据本公开的另一实施例的存储装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种操作存储装置的方法，所述方法包括：响应于来自主机装置的读取请求，对至少一条第一目标字线执行第一读取操作；确定根据第一读取操作的读取数据的第一错误位的数量是否大于第一参考值；当第一错误位的数量不大于第一参考值时，确定第一错误位的数量是否大于第二参考值；当第一错误位的数量大于第二参考值时，将与所述至少一条第一目标字线对应的字线信息存储在健康缓冲器中；对至少一条第二目标字线执行第二读取操作；确定根据第二读取操作的读取数据的第二错误位的数量是否大于第一参考值；当第二错误位的数量不大于第一参考值时，确定健康缓冲器是否为空；当健康缓冲器不为空时，使用存储在健康缓冲器中的字线信息来执行第三读取操作；以及确定根据第三读取操作的读取数据的第三错误位的数量是否大于第一参考值。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：当第一错误位的数量大于第一参考值时，将所述至少一条第一目标字线登记为回收目标。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：当第二错误位的数量大于第一参考值时，将所述至少一条第二目标字线登记为回收目标。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：当第三错误位的数量大于第一参考值时，将与存储在健康缓冲器中的字线信息对应的字线登记为回收目标。5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一读取操作被随机地执行，第二读取操作被周期性地执行，并且第二读取操作针对预定地址而被周期性地执行，并且针对存储在健康缓冲器中的地址而被附加地执行。6.根据权利要求1所述的方法，其中，第一读取操作被周期性地执行，并且第二读取操作被随机地执行。7.根据权利要求1所述的方法，其中，第一参考值大于第二参考值。8.根据权利要求7所述的方法，其中，第一参考值和第二参考值能够根据错误位的数量、防御代码的深度、温度信息或导通/截止单元计数信息而变化。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用错误信息、单元计数信息、编程/擦除循环、读取循环或温度信息来发起对登记的目标字线的回收操作。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法，其中，第一读取操作、第二读取操作和第三读取操作中的至少一个包括后台读取操作。11.一种操作控制器的方法，所述方法包括：响应于来自主机装置的读取请求，将第一命令随机地发送到非易失性存储器装置；从非易失性存储器装置接收与第一命令对应的第一读取数据；确定第一读取数据的第一错误位的数量是否大于第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：车相守，李世雄，千允洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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