显示器件及其制备方法技术

技术编号:35847110 阅读:27 留言:0更新日期:2022-12-07 10:27
本申请属于显示器件技术领域,尤其涉及一种显示器件及其制备方法。其中,显示器件的制备方法包括步骤:提供像素衬底;在所述像素衬底上制备第一子像素单元和第二子像素单元,所述第一子像素单元和所述第二子像素单元之间具有间隙;沉积隔离层,所述隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度;在所述隔离层上制备器件层,得到显示器件。本申请制备方法,工艺简单,容易操作,适用于工业化大规模生产和应用,制备的显示器件稳定性好,通过不同发光颜色的子像素单元可以灵活调节器件的发光颜色,光电性能优异。性能优异。性能优异。

【技术实现步骤摘要】
显示器件及其制备方法


[0001]本申请属于显示器件
,尤其涉及一种显示器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于量子点独特的光电性质,例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等,基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外,QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势,因而有望成为下一代的显示技术。QLED器件工作时需要注入电子和空穴,最简单的QLED器件由阴极、电子传输层、量子点层、空穴传输层和阳极组成。在QLED器件中,量子点薄膜夹在电荷传输层中间,当正向偏压加到QLED器件两端时,电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入量子点发光层,并在量子点发光层复合发光。
[0003]目前,喷墨打印(inkjet printing)是一种重要的实现红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色像素的溶液加工技术,采用该技术的材料利用率高,且无需使用掩膜板可实现图案化,同时具有工艺简单、成本低廉的特点;是制作QLED显示屏最具潜力的彩色化成膜技术。但是,溶液在基板上形成固态薄膜的相转变过程十分复杂,所以采用喷墨打印制备有机薄膜的均匀性以及表面粗糙度会影响QLED器件性能。而且受到喷墨打印喷头以及设备精度的限制,喷墨打印技术无法实现更高分辨率QLED器件的制备。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种显示器件及其制备方法,旨在一定程度上解决现有喷墨打印制备的全彩显示器件稳定性有待提高的问题。<br/>[0005]为实现上述申请目的,本申请采用的技术方案如下:
[0006]第一方面,本申请提供一种显示器件的制备方法,包括以下步骤:
[0007]提供像素衬底;
[0008]在所述像素衬底上制备第一子像素单元和第二子像素单元,所述第一子像素单元和所述第二子像素单元之间具有间隙;
[0009]沉积隔离层,所述隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度;
[0010]在所述隔离层上制备器件层,得到显示器件。
[0011]第二方面,本申请提供一种显示器件,所述显示器件包括像素衬底、形成在所述像素衬底表面间隔设置的第一子像素单元和第二子像素单元、设置在所述第一子像素单元和所述第二子像素单元表面以及间隙处的隔离层和设置在所述隔离层表面的器件层;其中,所述隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度。
[0012]本申请第一方面提供的显示器件的制备方法,在像素衬底表面间隔制备第一子像素单元和第二子像素单元,在不同子像素单元之间设置隔离层,隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度,使得各子像素单元内部接触导通,确保载流子的迁移传输,同时防止不同子像素单元之间相互接触短路,确保器件结构的安全性和稳定性。本申请显示器件的制备方法,工艺简单,容易操作,适用于工业化大规模生产和应用,且制备的显示器件稳定性好,通过不同发光颜色的子像素单元可以灵活调节器件的发光颜色,光电性能优异。
[0013]本申请第二方面提供的显示器件,在不同子像素单元之间设置隔离层,其厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度,既使得子像素单元内接触导通,确保载流子的迁移传输,又防止不同子像素单元之间相互接触短路,使得器件稳定性好,通过不同发光颜色的子像素单元可以灵活调节器件的发光颜色,分辨率高,光电性能优异。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是本申请实施例提供的显示器件的制备的流程示意图;
[0016]图2是本申请实施例提供的沉积有第一电极层和空穴功能层的像素衬底的结构示意图;
[0017]图3是本申请实施例提供的依次制备第一发光层、第一电子传输层和光刻胶层后的结构示意图;
[0018]图4是本申请实施例提供的对光刻胶层、第一电子传输层和第一发光层进行曝光处理示意图;
[0019]图5是本申请实施例提供的形成第一子像素单元后的结构示意图;
[0020]图6是本申请实施例提供的形成第一、二子像素单元后的结构示意图;
[0021]图7是本申请实施例提供的形成第一、二、三子像素单元后的结构示意图;
[0022]图8是本申请实施例提供的制备隔离层后的结构示意图一;
[0023]图9是本申请实施例提供的制备隔离层后的结构示意图二;
[0024]图10是本申请实施例提供的制备第二电子传输层后的结构示意图;
[0025]图11是本申请实施例提供的制备第二电极后的结构示意图;
[0026]图12是本申请对比例1显示器件结构的制备流程示意图。
具体实施方式
[0027]为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释
本申请,并不用于限定本申请。
[0028]本申请中,术语“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B的情况。其中A,B可以是单数或者复数。
[0029]本申请中,“至少一个”是指一个或者多个,“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达,是指的这些项中的任意组合,包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如,“a,b,或c中的至少一项(个)”,或,“a,b,和c中的至少一项(个)”,均可以表示:a,b,c,a

b(即a和b),a

c,b

c,或a

b

c,其中a,b,c分别可以是单个,也可以是多个。
[0030]应理解,在本申请的各种实施例中,上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后,部分或全部步骤可以并行执行或先后执行,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”和“该”也旨在包括多数形式,除本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供像素衬底;在所述像素衬底上制备第一子像素单元和第二子像素单元,所述第一子像素单元和所述第二子像素单元之间具有间隙;沉积隔离层,所述隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度;在所述隔离层上制备器件层,得到显示器件。2.如权利要求1所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述像素衬底表面依次沉积有第一电极层和第一传输层;所述第一子像素单元和所述第二子像素单元制备在所述第一传输层表面;和/或,所述第一子像素单元和所述第二子像素单元为不同的发光颜色;和/或,制备所述第一子像素单元和所述第二子像素单元的方法为光刻胶法。3.如权利要求2所述的显示器件的制备方法,其特征在于,制备所述第一子像素单元和所述第二子像素单元的步骤包括:在所述像素衬底的表面依次制备第一发光层、第二传输层和光刻胶层,对所述光刻胶层、所述第二传输层和所述第一发光层进行光刻蚀处理,在所述像素衬底表面形成第一发光层

第二传输层

光刻胶层的第一子像素单元;在所述像素衬底的表面依次制备第二发光层、第二传输层和光刻胶层,对所述光刻胶层、所述第二传输层和所述第二发光层进行光刻蚀处理,在所述像素衬底表面形成第二发光层

第二传输层

光刻胶层的第二子像素单元;和/或,所述沉积隔离层的步骤包括:在所述第一子像素单元和所述第二子像素单元的表面以及间隙处沉积隔离层;和/或,在所述隔离层上制备器件层的步骤包括:在形成有所述第一子像素单元、所述第二子像素单元和所述隔离层的像素衬底上依次制备第三传输层和第二电极,得到所述显示器件;所述第一传输层为电子传输层或者空穴传输层;所述第二传输层和所述第三传输层为电子传输层或者空穴传输层,且不同于所述第一传输层。4.如权利要求3所述的显示器件的制备方法,其特征在于,在所述像素衬底表面形成所述第二子像素单元后,还包括步骤:采用光刻胶法,至少在所述像素衬底表面制备形成包括第三发光层

第二传输层

光刻胶层的第三子像素单元;其中,所述第三发光层与所述第一发光层、所述第二发光层为不同的发光颜色;和/或,所述第一传输层为空穴传输层;所述第二传输层和所述第三传输层为电子传输层。5.如权利要求4所述的显示器件的制备方法,其特征在于,制备所述光刻胶层的步骤包括:将光刻胶浆料沉积到传输层表面后,在压强小于10pa的条件下处理0.5~5min,在温度为90~150℃的条件下处理1~5min;和/或,所述光刻蚀处理依次包括曝光处理和显影处理。6.如权利要求5所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述曝光处理的波长为300~450nm,强度为40~300mj/cm2;和/或,对所述光刻胶层进行显影处理的显影液选自:醇甲醚醋酸酯、四甲基氢氧化铵、
KOH中的至少一种;和/或,对所述电子传输层进行显影处理的显影液分别独立地选自:乙醇、丙醇、异丁醇、乙二醇单甲醚中的至少一种;和/或,对所述空穴传输层进行显影处理的显影液选自:环己基苯、甲苯、氯苯中的至少一种;和/或,对所述第一发光层、所述第二发光层和...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯文军杨一行
申请(专利权)人:TCL科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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