一种碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及人工智能领域，公开了一种碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法及装置，用于提高碳化硅涂层石墨盘的检测准确率。所述方法包括：将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的碳化硅涂层检测模型进行表面涂层检测，得到每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果；将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘形变检测模型进行石墨盘形变检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果；根据每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果生成目标表面检测曲线，并根据每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果生成目标形变检测曲线；根据目标表面检测曲线和目标形变检测曲线生成最佳工作温度数据。标形变检测曲线生成最佳工作温度数据。标形变检测曲线生成最佳工作温度数据。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法及装置


[0001]本专利技术涉及人工智能领域，尤其涉及一种碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法及装置。

技术介绍

[0002]石墨盘常用于半导体制造行业中的承载和导热作用，因此石墨盘的表面设计要求是使各区域温度一致，从而达到工业设计的目的。石墨盘在生产制造之后会涂敷一层碳化硅涂层，这个涂层可以提升石墨盘的使用性能。
[0003]目前，对于碳化硅涂层和石墨盘与温度之间的关系分析，其分析方法常采用人工经验进行碳化硅涂层石墨盘检测，人工经验检测的准确率较低，进而导致关系分析的准确率较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法及装置，用于提高碳化硅涂层石墨盘的检测准确率。
[0005]本专利技术第一方面提供了一种碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法，所述碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法包括：获取待检测碳化硅涂层石墨盘的属性数据，并根据所述属性数据确定温度检测集合，其中，所述温度检测集合包括：多个温度检测节点；根据所述温度检测集合对所述碳化硅涂层石墨盘进行检测，并对所述碳化硅涂层石墨盘进行检测图像采集，得到每个温度检测节点对应的检测图像；将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的碳化硅涂层检测模型进行表面涂层检测，得到每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果；将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘形变检测模型进行石墨盘形变检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果；根据所述每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果生成目标表面检测曲线，并根据所述每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果生成目标形变检测曲线；根据所述目标表面检测曲线和所述目标形变检测曲线生成最佳工作温度数据。
[0006]可选的，在本专利技术第一方面的第一种实现方式中，所述获取待检测碳化硅涂层石墨盘的属性数据，并根据所述属性数据确定温度检测集合，其中，所述温度检测集合包括：多个温度检测节点，包括：从预置的云数据库中查询待检测碳化硅涂层石墨盘对应的属性数据；对所述属性数据进行解析，得到工作温度阈值；根据所述工作温度阈值和预置的石墨盘检测策略生成温度检测集合，其中，所述温度检测集合包括：多个温度检测节点。
[0007]可选的，在本专利技术第一方面的第二种实现方式中，所述将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的碳化硅涂层检测模型进行表面涂层检测，得到每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果，包括：将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的碳化硅涂层检测模型，其中，所述碳化硅涂层检测模型包括：第一卷积网络、第一全连接网络、第二卷积网络、第二全连接网络和输出层；通过所述第一卷积网络对每个温度检测节点对应的
检测图像进行特征提取，得到第一卷积特征；将所述第一卷积特征输入所述第一全连接网络进行特征预测，得到第一预测特征；将所述第一预测特征输入所述第二卷积网络进行特征提取，得到第二卷积特征；将所述第二卷积特征输入所述第二全连接网络进行特征预测，得到第二预测特征；将所述第二预测特征输入所述输出层进行碳化硅涂层破损检测，得到每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果，其中，所述碳化硅涂层检测结果用于指示碳化硅涂层是否存在破损以及破损点位和破损面积。
[0008]可选的，在本专利技术第一方面的第三种实现方式中，所述将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘形变检测模型进行石墨盘形变检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果，包括：将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘形变检测模型，其中，所述石墨盘形变检测模型包括：区域检测网络、特征提取网络和特征比对网络；通过所述区域检测网络对每个温度检测节点对应的检测图像进行石墨盘凹槽区域提取，得到多个石墨盘凹槽区域图像；将所述多个石墨盘凹槽区域图像输入所述特征提取网络进行区域特征提取，得到每个石墨盘凹槽区域图像对应的区域特征数据；将每个石墨盘凹槽区域图像对应的区域特征数据输入所述特征比对网络进行形变检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果，其中，所述石墨盘形变检测结果用于指示石墨盘是否发生形变以及形变点位和形变数据。
[0009]可选的，在本专利技术第一方面的第四种实现方式中，所述根据所述每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果生成目标表面检测曲线，并根据所述每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果生成目标形变检测曲线，包括：对每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果进行涂层破损指标值映射，得到每个温度检测节点对应的涂层破损映射值；根据所述多个温度检测节点和每个温度检测节点对应的涂层破损映射值构建表面检测曲线，得到目标形变检测曲线；对每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果进行石墨盘形变指标值映射，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变映射值；根据所述多个温度检测节点和每个温度检测节点对应的石墨盘形变映射值构建形变检测曲线，得到目标形变检测曲线。
[0010]可选的，在本专利技术第一方面的第五种实现方式中，所述根据所述目标表面检测曲线和所述目标形变检测曲线生成最佳工作温度数据，包括：计算所述目标表面检测曲线中的多个第一特征值，以及计算所述目标形变检测曲线中的多个第二特征值；基于预设的曲线解析规则生成第一预测值和第二预测值；对所述多个第一特征值和所述第一预测值进行比较，得到第一特征分析结果；对所述多个第二特征值和所述第二预测值进行比较，得到第二特征分析结果；根据所述第一特征分析结果和所述第二特征分析结果生成最佳工作温度数据。
[0011]可选的，在本专利技术第一方面的第六种实现方式中，所述碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法还包括：将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘边缘检测模型进行石墨盘边缘检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘边缘检测结果；根据每个温度检测节点对应的石墨盘边缘检测结果生成温度和石墨盘边缘之间的关联关系。
[0012]本专利技术第二方面提供了一种碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测装置，所述碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测装置包括：获取模块，用于获取待检测碳化硅涂层石墨盘的属性数据，并根据所述属性数据确定温度检测集合，其中，所述温度检测集合包括：多个温度
检测节点；采集模块，用于根据所述温度检测集合对所述碳化硅涂层石墨盘进行检测，并对所述碳化硅涂层石墨盘进行检测图像采集，得到每个温度检测节点对应的检测图像；第一检测模块，用于将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的碳化硅涂层检测模型进行表面涂层检测，得到每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果；第二检测模块，用于将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘形变检测模型进行石墨盘形变检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果；生成模块，用于根据所述每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果生成目标表面检测曲线，并根据所述每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果生成目标形变检测曲线；输出模块，用于根据所述目标表面检测曲线和所述目标形变检测曲线生成最佳工作温度数据。
[0013]可选的，在本专利技术第二方面的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法，其特征在于，所述碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法包括：获取待检测碳化硅涂层石墨盘的属性数据，并根据所述属性数据确定温度检测集合，其中，所述温度检测集合包括：多个温度检测节点；根据所述温度检测集合对所述碳化硅涂层石墨盘进行检测，并对所述碳化硅涂层石墨盘进行检测图像采集，得到每个温度检测节点对应的检测图像；将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的碳化硅涂层检测模型进行表面涂层检测，得到每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果；将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘形变检测模型进行石墨盘形变检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果；根据所述每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果生成目标表面检测曲线，并根据所述每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果生成目标形变检测曲线；根据所述目标表面检测曲线和所述目标形变检测曲线生成最佳工作温度数据。2.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法，其特征在于，所述获取待检测碳化硅涂层石墨盘的属性数据，并根据所述属性数据确定温度检测集合，其中，所述温度检测集合包括：多个温度检测节点，包括：从预置的云数据库中查询待检测碳化硅涂层石墨盘对应的属性数据；对所述属性数据进行解析，得到工作温度阈值；根据所述工作温度阈值和预置的石墨盘检测策略生成温度检测集合，其中，所述温度检测集合包括：多个温度检测节点。3.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法，其特征在于，所述将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的碳化硅涂层检测模型进行表面涂层检测，得到每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果，包括：将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的碳化硅涂层检测模型，其中，所述碳化硅涂层检测模型包括：第一卷积网络、第一全连接网络、第二卷积网络、第二全连接网络和输出层；通过所述第一卷积网络对每个温度检测节点对应的检测图像进行特征提取，得到第一卷积特征；将所述第一卷积特征输入所述第一全连接网络进行特征预测，得到第一预测特征；将所述第一预测特征输入所述第二卷积网络进行特征提取，得到第二卷积特征；将所述第二卷积特征输入所述第二全连接网络进行特征预测，得到第二预测特征；将所述第二预测特征输入所述输出层进行碳化硅涂层破损检测，得到每个温度检测节点对应的碳化硅涂层检测结果，其中，所述碳化硅涂层检测结果用于指示碳化硅涂层是否存在破损以及破损点位和破损面积。4.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨盘的表面缺陷检测方法，其特征在于，所述将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘形变检测模型进行石墨盘形变检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果，包括：将每个温度检测节点对应的检测图像输入预置的石墨盘形变检测模型，其中，所述石墨盘形变检测模型包括：区域检测网络、特征提取网络和特征比对网络；
通过所述区域检测网络对每个温度检测节点对应的检测图像进行石墨盘凹槽区域提取，得到多个石墨盘凹槽区域图像；将所述多个石墨盘凹槽区域图像输入所述特征提取网络进行区域特征提取，得到每个石墨盘凹槽区域图像对应的区域特征数据；将每个石墨盘凹槽区域图像对应的区域特征数据输入所述特征比对网络进行形变检测，得到每个温度检测节点对应的石墨盘形变检测结果，其中，所述石墨盘形变检测结果用于指示石墨盘是否发生形变以及形变点位和形变数据。5.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨盘的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佰喜，薛抗美，
申请(专利权)人：深圳市志橙半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：