一种电源缓启动电路制造技术

本发明专利技术公开一种电源缓启动电路，涉及电源技术领域。电路包括：缓启动开关模块，第一阻容网络，第二阻容网络，第三电阻，第四电阻；开关第一端口串联第四电阻后接电源，开关第一端口与第一阻容端口电性连接，第二阻容端口与开关第二端口电性连接，开关第一端口与第三阻容端口电性连接，第四阻容端口与开关第三端口电性连接，开关第四端口串联第三电阻后接地。本发明专利技术公开的一种电源缓启动电路利用MOSFET开启过程中的弥勒效应，漏极

【技术实现步骤摘要】
一种电源缓启动电路


[0001]本专利技术涉及电源
，特别涉及一种电源缓启动电路。

技术介绍

[0002]随着电子产品向社会生活各个领域的普及，电源技术也随之获得了越来越多的关注度。以通信设备为例，目前主要采用直流或交流供电。基于目前大多数通信产品的特点，使用较多的一类为直流供电，特别是服务器产品，大多数采用机架式的结构，所以要求通信设备单盘支持热插拔，在设备电源不断电的情况下，都要能正常的插入拔出，设备不能损坏且能正常工作，也不能影响其他模块正常的工作；同时，在设备插拔时能够快速的进行配置及内容保存等。通常通信设备的单盘功率都较大，特别是服务器产品，要想支持做到热插拔，除了信号端口需要热插拔外，电源端口更加需要做好防护，增加缓启动，延迟上电时间，减少上电时带来的冲击电流损坏设备。需要能够更好的保护设备模块。
[0003]而在现有的方案中，电源缓启动电路主要是采用串接电阻或者电感来控制电路，采用电阻则是利用电阻的直流分压后给电容充电，当电容充电达到场效应管的栅极及源极的电压门限后则会导通，输入电源则开始供电；使用串联电感同理，电感隔交流通直流，使得电流缓慢上升实现缓启动，如图1所示。以这种方式设计的缓启动电路在一定程度上可以起到缓启动、减少冲击电流的作用，但是缓启动的时间较短，作用甚微；针对串接电感的方式，需要电感有足够大的通流量，导致电感体积较大在空间上不利于布板；串接电阻则会导致在电阻上功耗较大，发热量增多，而且以热量的形式消耗，造成资源的浪费以及功率较高占用空间。因此，亟需一种电源缓启动电路，能够通过元器件选择，使缓启动过程达到一定时间，以减少冲击电流对电路元器件的损伤，并且电路设计灵活，占用面积可控。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中，简单采用感性元件设计的电源缓启动电路缓启动的时间较短，作用甚微；并且元件占用较大的电路板面积，热损耗大等问题，本专利技术实施例提供一种电源缓启动电路，通过元器件选择，可以使缓启动过程达到一定时间，以减少冲击电流对电路元器件的损伤，并且电路设计灵活，占用面积可控。
[0005]为了解决上述的一个或多个技术问题，本专利技术采用的技术方案如下：
[0006]提供一种电源缓启动电路，电路包括：缓启动开关模块，第一阻容网络，第二阻容网络，第三电阻，第四电阻；
[0007]缓启动开关模块包括：开关第一端口，开关第二端口，开关第三端口，开关第四端口，第一阻容网络包括：第一阻容端口，第二阻容端口，第二阻容网络包括：第三阻容端口，第四阻容端口；
[0008]开关第一端口串联第四电阻后接电源，开关第一端口与第一阻容端口电性连接，第二阻容端口与开关第二端口电性连接，开关第一端口与第三阻容端口电性连接，第四阻容端口与开关第三端口电性连接，开关第四端口串联第三电阻后接地。
[0009]进一步地，缓启动开关模块包括：第一晶体管，第二晶体管；
[0010]第一晶体管包括：第一晶体管第一电极，第一晶体管第二电极，第一晶体管第三电极，第二晶体管包括：第二晶体管第一电极，第二晶体管第二电极，第二晶体管第三电极；
[0011]第一晶体管第二电极与第二晶体管第一电极电性连接，第一晶体管第一电极作为开关第一端口，第二晶体管第二电极作为开关第二端口，第二晶体管第三电极作为开关第三端口，第一晶体管第三电极作为开关第四端口。
[0012]进一步地，第一阻容网络包括：第一电容，第一电阻；
[0013]第一电阻的一端与第一电容的一端电性连接；
[0014]第一电容的另一端作为第一阻容端口，第一电阻的另一端作为第二阻容端口。
[0015]进一步地，第二阻容网络包括：第二电容，第二电阻；
[0016]第二电阻的一端与第二电容的一端电性连接，第二电阻与第二电容的连接处接地；
[0017]第二电容的另一端作为第三阻容端口，第二电阻的另一端作为第四阻容端口。
[0018]进一步地，电路还包括：负载电容，开关电源模块；
[0019]负载电容并联于电源与开关第二端口之间；
[0020]开关电源模块包括：电源第一端口和电源第二端口；
[0021]电源第一端口和电源第二端口分别连接于负载电容的两端，其中，电源第一端口与电源连接。
[0022]进一步地，电路还包括第一二极管；
[0023]第一二极管的阴极与开关第一端口电性连接，
[0024]第一二极管的阳极接地。
[0025]进一步地，电路还包括：第五电阻，第三电容，第二二极管；
[0026]电源依次串联第五电阻，第三电容后接地；
[0027]第五电阻与第三电容连接处与第二二极管的阴极电性连接，第二二极管的阳极与开关第一端口电性连接。
[0028]进一步地，第一晶体管为NPN三极管。
[0029]进一步地，第二晶体管为N沟道MOSFET。
[0030]进一步地，第一二极管为稳压二极管。
[0031]本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
[0032]1.利用MOSFET开启过程中的弥勒效应，漏极
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源极电压缓慢下降的特性，通过延长MOSFET的开启时间，使输出电容两端压降，藉由弥勒效应缓慢升高至直流电源电压，实现开关电源模块的缓启动；
[0033]2.采用二极管和场效应管，对开关电源进行缓启动，能够获得稳定的缓启动效果，大幅降低冲击电流，减少了冲击电流对开关电源的电路元件造成的损伤；
[0034]3.电路占用面积少，设计灵活，可以根据输入电压上升沿的软度，设计元器件的数值大小，以改善单纯采用感性、容性元件构造缓启动电路的效果差、电路占用面积大等问题。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1是一种常规缓启动电路示意图；
[0037]图2是包含寄生电容的MOSFET等效电路示意图；
[0038]图3是MOSFET漏源电流与栅源电压关系示意图；
[0039]图4是MOSFET开启过程栅源电压、漏源电压、漏极电流示意图；
[0040]图5是本专利技术实施例提供的一种电源缓启动电路示意图；
[0041]图6是本专利技术实施例提供的另一种电源缓启动电路示意图。
具体实施方式
[0042]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0043]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源缓启动电路，其特征在于，所述电路包括：缓启动开关模块，第一阻容网络，第二阻容网络，第三电阻，第四电阻；所述缓启动开关模块包括：开关第一端口，开关第二端口，开关第三端口，开关第四端口，所述第一阻容网络包括：第一阻容端口，第二阻容端口，所述第二阻容网络包括：第三阻容端口，第四阻容端口；所述开关第一端口串联所述第四电阻后接电源，所述开关第一端口与所述第一阻容端口电性连接，所述第二阻容端口与所述开关第二端口电性连接，所述开关第一端口与所述第三阻容端口电性连接，所述第四阻容端口与所述开关第三端口电性连接，所述开关第四端口串联所述第三电阻后接地。2.根据权利要求1所述的一种电源缓启动电路，其特征在于，所述缓启动开关模块包括：第一晶体管，第二晶体管；所述第一晶体管包括：第一晶体管第一电极，第一晶体管第二电极，第一晶体管第三电极，所述第二晶体管包括：第二晶体管第一电极，第二晶体管第二电极，第二晶体管第三电极；所述第一晶体管第二电极与所述第二晶体管第一电极电性连接，所述第一晶体管第一电极作为所述开关第一端口，所述第二晶体管第二电极作为所述开关第二端口，所述第二晶体管第三电极作为所述开关第三端口，所述第一晶体管第三电极作为所述开关第四端口。3.根据权利要求1所述的一种电源缓启动电路，其特征在于，所述第一阻容网络包括：第一电容，第一电阻；所述第一电阻的一端与所述第一电容的一端电性连接；所述第一电容的另一端作为第一阻容端口，所述第一电阻的另一端作为所述第二阻容端口...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小海，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：