一种芯片封装的中间结构制造技术

本申请实施例提供了一种芯片封装的中间结构，通过在芯片本体背面设置阻挡层以便阻挡芯片本体与外界产生的寄生电容所带来的外加电场，本申请实施例通过设置阻挡层解决了现有技术中的芯片封装结构中外界与芯片本体之间引入寄生电容所导致的技术问题。引入寄生电容所导致的技术问题。引入寄生电容所导致的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装的中间结构


[0001]本申请各实施例属于芯片封装
，更具体地，涉及一种芯片封装的中间结构。

技术介绍

[0002]现有技术中，芯片电路输入/输出与接地端电容大于任意芯片电路输入/输出之间电容，主要原因是由于目前芯片的封装结构中外界与芯片本体之间引入寄生电容所导致。

技术实现思路

[0003]为了解决或者缓解上述现有技术存在的问题，本申请实施例提供了一种芯片封装的中间结构，包括：芯片本体，支撑件和阻挡层；
[0004]所述芯片本体背面设置有阻挡层，所述芯片本体通过所述阻挡层设置在支撑件上，所述阻挡层用于阻挡芯片本体与外界产生的寄生电容所带来的外加电场。
[0005]作为本申请一优选实施例，所述支撑件与所述芯片本体可分离设置。
[0006]作为本申请一优选实施例，所述芯片本体背面设置有金属层，所述金属层远离芯片本体的表面设置有阻挡层。
[0007]作为本申请一优选实施例，所述阻挡层厚度小于所述金属层厚度。
[0008]作为本申请一优选实施例，所述支撑件与所述金属层可分离设置。
[0009]作为本申请一优选实施例，所述阻挡层为膜结构或胶体结构。
[0010]作为本申请一优选实施例，所述阻挡层的横截面大于所述芯片本体的横截面。
[0011]与现有技术相比，本申请实施例提供了一种芯片封装的中间结构，通过在芯片本体背面设置阻挡层，所述阻挡层用于阻挡芯片本体与外界产生的寄生电容所带来的外加电场，本申请实施例通过设置阻挡层解决了现有技术中的芯片封装结构中外界与芯片本体之间引入寄生电容所导致的技术问题。
附图说明
[0012]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本申请的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分，本领域技术人员应该理解的是，这些附图未必是按比例绘制的，在附图中：
[0013]图1为本申请实施例提供的一种芯片封装的中间结构的结构示意图；
[0014]图2为本申请另一实施例提供的一种芯片封装的中间结构的结构示意图。
具体实施方式
[0015]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请
的技
术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
[0016]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0017]如图1所示，本申请实施例提供了一种芯片封装的中间结构，包括：芯片本体01，支撑件03和阻挡层02；
[0018]所述芯片本体01背面设置有阻挡层02，所述芯片本体01通过所述阻挡层02设置在支撑件03上，所述阻挡层02用于外界与外界产生的寄生电容所带来的外加电场，在本申请实施例中，所述芯片本体01可以为金氧半场效晶体管(MOSFET)，瞬态二极管(TVS)或静电保护芯片等等。
[0019]在另一实施例中，由于所述支撑件03只是用于在芯片封装过程中的一个辅助工具，为了方便支撑件03去除，所述支撑件03与所述芯片本体01可分离设置，所述支撑件03为金属材质。
[0020]在本申请实施例中，所述阻挡层02为膜结构或胶体结构，所述阻挡层02可以为合成聚合物，树脂，无机材料等等。
[0021]在本申请实施例中，为了更好的支撑芯片本体01，所述阻挡层02的横截面大于所述芯片本体01的横截面。
[0022]如图2所示，在另一实施例中，所述芯片本体01背面设置有金属层04，所述金属层04远离芯片本体01的表面设置有阻挡层02。
[0023]在本申请实施例中，所述阻挡层02厚度小于所述金属层04厚度。
[0024]在本申请实施例中，由于所述支撑件03只是用于在芯片封装过程中的一个辅助工具，为了方便支撑件03去除，所述支撑件03与所述金属层04可分离设置。
[0025]在本申请实施例中，所述阻挡层02为膜结构或胶体结构，所述阻挡层02可以为合成聚合物，树脂，无机材料等等。
[0026]在本申请实施例中，为了更好的支撑芯片本体01，所述阻挡层02的横截面大于所述芯片本体01的横截面。
[0027]本申请实施例提供了一种芯片封装的中间结构，通过在芯片本体01背面设置阻挡层02，所述阻挡层02用于阻挡金属层04与外界产生的寄生电容所带来的外加电场，本申请实施例通过设置阻挡层02解决了现有技术中的芯片封装结构中外界与芯片本体01之间引入寄生电容所导致的技术问题。
[0028]最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装的中间结构，其特征在于，包括：芯片本体，支撑件和阻挡层；所述芯片本体背面设置有阻挡层，所述芯片本体通过所述阻挡层设置在支撑件上，所述阻挡层用于阻挡芯片本体与外界产生的寄生电容所带来的外加电场。2.如权利要求1所述的一种芯片封装的中间结构，其特征在于，所述支撑件与所述芯片本体可分离设置。3.如权利要求1所述的一种芯片封装的中间结构，其特征在于，所述芯片本体背面设置有金属层，所述金属层远离芯片本体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪刚，俞江彬，徐冰，张韵东，杨钱卫，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：