一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于导电薄膜技术领域，针对传统导电薄膜的导电稳定性较差的问题，提供一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜及其制备方法，所述导电薄膜由银纳米线穿插锌MOF、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂组成，所述银纳米线穿插锌MOF是由Zn(OAc)2·

【技术实现步骤摘要】
一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于导电薄膜
，具体涉及一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]个人电脑、电视等大型电子设备、车载导航仪、手机、电子词典等小型电子设备、OA以及FA设备等显示设备使用了液晶显示元件、触摸屏，而这些液晶显示元件、触摸屏，太阳能电池等器件都使用了导电薄膜。
[0003]可拉伸导体是下一代柔性电子器件的基本组装单元，同时需要出色的导电性和可拉伸性，然而，导电填料和聚合物基体之间不良的界面粘合通常会引发导电网络的相对滑动和错位，从而降低最终的导电性，很多学者探索了这种新型可拉伸导体作为热疗装置和柔性电路连接线在复杂动态变形下的应用潜力，将界面几何形状与导电稳定性相结合，提供了一种简便有效的途径来制备优异的可拉伸导体，该导体可容易地应用于其他导电复合材料，在下一代柔性电子产品中具有潜在应用，如柔性电子电路、能量收集和存储设备、可植入生物电子产品和可穿戴电子设备中，但是传统导电薄膜的导电稳定性较差，亟需新的技术解决这一问题。

技术实现思路

[0004]（一）解决的技术问题本专利技术的目的是提供一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜及其制备方法，解决了传统导电薄膜的导电稳定性较差的问题。
[0005]（二）技术方案为解决上述问题，本专利技术提供一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜，所述导电薄膜由银纳米线穿插锌MOF、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂组成，所述银纳米线穿插锌MOF是由Zn(OAc)2·
>6H2O、有机配体和银纳米线通过溶剂热反应制得。
[0006]为实现上述目的，本专利技术是通过如下方案实现的：一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）称取Zn(OAc)2·
6H2O、4
‑
氨基吡啶、3,3',5,5',
‑
三联苯四羧酸、银纳米线、N,N
‑
二甲基乙酰胺为原料，进行溶剂热反应，反应完后以5℃/h的速度冷却到室温，过滤并水洗，得到银纳米线穿插锌MOF微孔材料；（2）称取银纳米线穿插锌MOF微孔材料、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂加入到反应器中搅拌均匀得到复合材料，然后真空烘箱中干燥，最后，在10兆帕的条件下，将复合材料压制成膜，得到银纳米线穿插锌MOF导电薄膜。
[0007]优选的，所述步骤（1）中Zn(OAc)2·
6H2O、氨基吡啶、3,3',5,5',
‑
三联苯四羧酸、银纳米线、N,N
‑
二甲基乙酰胺的质量比是3
‑
5:2
‑
5:2
‑
5:4
‑
6:5
‑
10。
[0008]优选的，所述步骤（1）中溶剂热反应的温度为90
‑
120℃，反应时间为4
‑
7天。
[0009]优选的，所述步骤（2）中银纳米线穿插锌MOF微孔材料、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂的质量比为10
‑
30:2
‑
5:70
‑
90:1
‑
4。
[0010]优选的，所述步骤（2）中干燥温度为50
‑
60℃，压制温度为120
‑
130℃，压制时间为8
‑
10分钟。
[0011]（三）与现有技术相比，本专利技术方法的有益效果是：（1）本专利技术提供一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜及其制备方法，银纳米线穿插锌MOF微孔材料结构在聚氨酯中形成了三维导电网络，具有高效的电子传输路径，银纳米线在外部载荷下保持同步变形，抑制导电网络的相对滑移，提高了导电稳定性。
[0012]（2）本专利技术提供一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜及其制备方法，由Zn(OAc)2·
6H2O、银纳米线通过溶剂热反应制得银纳米线穿插锌MOF，由银纳米线穿插锌MOF、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂组成的复合材料经过热压，制成导电薄膜。
[0013]（3）本专利技术提供一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜及其制备方法，将碳纤维和银纳米线穿插锌MOF引入聚氨酯复合材料中，银纳米线穿插锌MOF微孔材料结构作为桥梁使碳纤维与聚氨酯基体紧密结合，大大提高了界面附着力，抑制了导电填料在外部载荷下的滑动位移，有助于获得优异的机械强度和导电稳定性。
具体实施方式
[0014]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0015]实施例1一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：质量配比如下：Zn(OAc)2·
6H2O、氨基吡啶、3,3',5,5',
‑
三联苯四羧酸、银纳米线、N,N
‑
二甲基乙酰胺的质量比是3:2:2:4:5，银纳米线穿插锌MOF微孔材料、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂的质量比为10:2:70:1。
[0016]（1）称取Zn(OAc)2·
6H2O、4
‑
氨基吡啶、3,3',5,5',
‑
三联苯四羧酸、银纳米线、N,N
‑
二甲基乙酰胺为原料，进行溶剂热反应，反应温度为90℃，反应时间为4天，反应完后以5℃/h的速度冷却到室温，过滤并水洗，得到银纳米线穿插锌MOF微孔材料；（2）称取银纳米线穿插锌MOF微孔材料、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂加入到反应器中搅拌均匀得到复合材料，然后真空烘箱中干燥，干燥温度为50℃，最后，在10兆帕的条件下，将复合材料压制成膜，压制温度为120℃，压制时间为8分钟，得到银纳米线穿插锌MOF导电薄膜。
[0017]实施例2一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：质量配比如下：Zn(OAc)2·
6H2O、氨基吡啶、3,3',5,5',
‑
三联苯四羧酸、银纳米线、N,N
‑
二甲基乙酰胺的质量比是3.5:2.5:2.5:4.5:5.5，银纳米线穿插锌MOF微孔材料、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂的质量比为12:2.5:75:1.5。
[0018]（1）称取Zn(OAc)2·
6H2O、4
‑
氨基吡啶、3,3',5,5',
‑
三联苯四羧酸、银纳米线、N,N
‑
二甲基乙酰胺为原料，进行溶剂热反应，反应温度为100℃，反应时间为5天，反应完后以5℃/h的速度冷却到室温，过滤并水洗，得到银纳米线穿插锌MOF微孔材料；（2）称取银纳米线穿插锌MOF微孔材料、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂加入到反应器中搅拌均匀得到复合材料，然后真空烘箱中干燥，干燥温度为52℃，最后，在1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜，其特征在于，由银纳米线穿插锌MOF、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂组成，所述银纳米线穿插锌MOF是由Zn(OAc)2·
6H2O、有机配体和银纳米线通过溶剂热反应制得。2.一种根据权利要求1所述银纳米线穿插锌MOF导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）称取Zn(OAc)2·
6H2O、4
‑
氨基吡啶、3,3',5,5',
‑
三联苯四羧酸、银纳米线、N,N
‑
二甲基乙酰胺为原料，进行溶剂热反应，反应完后以5℃/h的速度冷却到室温，过滤并水洗，得到银纳米线穿插锌MOF微孔材料；（2）称取银纳米线穿插锌MOF微孔材料、碳纤维、聚氨酯胶乳、氟表面活性剂加入到反应器中搅拌均匀得到复合材料，然后真空烘箱中干燥，最后，在10兆帕的条件下，将复合材料压制成膜，得到银纳米线穿插锌MOF导电薄膜。3.根据权利要求2所述的一种银纳米线穿插锌MOF导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中Zn(OAc)2·
6H2O、氨基吡啶、3,3',5,5',
‑
三联...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志超，黄志煌，叶丽娜，何奕春，
申请(专利权)人：深圳市爱亿信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：