检测产品静态电流损耗的检测电路及检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术描述一种检测产品静态电流损耗的检测电路及检测装置，该检测电路包括MCU、霍尔线性芯片、第一运算放大器和第二运算放大器，所述霍尔线性芯片的电源端接直流电源，所述霍尔线性芯片的接地端端接地，所述霍尔线性芯片的输出端分别连接所述MCU的PA2引脚、所述第一运算放大器的同向端以及所述第二运算放大器的反向端，所述第一运算放大器的反向端、所述第二运算放大器的正向端、所述MCU的PA4引脚互连，所述第一运算放大器的输出端与所述MCU的PA5引脚互连，所述第二运算放大器的输出端与所述MCU的PA7引脚连接。由此，通过该检测电路及检测装置，能够方便从产品外部检测产品是否存在电流损耗问题。是否存在电流损耗问题。是否存在电流损耗问题。

【技术实现步骤摘要】
检测产品静态电流损耗的检测电路及检测装置


[0001]本技术大体涉及一种检测产品静态电流损耗的检测电路及检测装置。

技术介绍

[0002]现有一些电子产品通常会内置电池作为供电电源，而且电池通常会与产品焊接在一起进行使用。而电池与电子产品焊接在一起之后通常会形成一个“黑盒子”，导致很难从外部检测产品内的功耗异常或电流损耗等问题。

技术实现思路

[0003]本技术有鉴于上述现有的状况，其目的在于提供一种能够从产品外部检测产品静态电流损耗的检测电路。
[0004]为此，本技术第一方面提供了一种检测产品静态电流损耗的检测电路，其包括MCU、霍尔线性芯片、第一运算放大器和第二运算放大器，所述霍尔线性芯片的电源端接直流电源，所述霍尔线性芯片的接地端接地，所述霍尔线性芯片的输出端分别连接所述MCU的PA2引脚、所述第一运算放大器的同向端以及所述第二运算放大器的反向端，所述第一运算放大器的反向端、所述第二运算放大器的正向端、所述MCU的PA4引脚互连，所述第一运算放大器的输出端与所述MCU的PA5引脚互连，所述第二运算放大器的输出端与所述MCU的PA7引脚连接。
[0005]在本技术第一方面中，当被测试产品内部存在漏电情况时，电流会在产品内部流动进而在产品周围形成弱磁场，通过霍尔线性芯片能够检测到该弱磁场的N极或S极的磁场强度并转换为电压输出至第一运算放大器、第二运算放大器或MCU。具体的，在检测前MCU会从PA2引脚接收霍尔线性芯片的输出电压并进行存储，并通过PA4引脚模拟输出该电压至第一运算放大器的反向端和第二运算放大器的正向端，结合霍尔线性芯片的特性和运算放大器的比较放大，MCU可以在PA5引脚接收第一运算放大器的输出结果并在PA7引脚进行识别，或MCU可以在PA7引脚接收第二运算放大器的输出结果并在PA5引脚进行识别，以此判断产品内部是否存在漏电现象。由此，通过该检测电路，能够方便的从产品外部检测产品内的电流损耗问题。
[0006]另外，在本技术第一方面所涉及的检测产品静态电流损耗的检测电路中，可选地，还包括连接在所述第一运算放大器的电源端的第一滤波元件、以及连接在所述第一运算放大器的输出端和所述MCU的PA5引脚之间的第一滤波电路。由此，第一滤波元件能够方便对第一运算放大器的电源输入进行滤波，第一滤波电路能够方便对第一运算放大器的输出进行滤波。
[0007]另外，在本技术第一方面所涉及的检测产品静态电流损耗的检测电路中，可选地，所述第一滤波元件为第一电容，所述第一滤波电路包括第二电容和第一电阻；所述第一电容的一端与所述第一运算放大器的电源端连接并接所述直流电源，所述第一电容的另一端接地，所述第一电阻的一端与所述第一运算放大器的输出端连接，所述第一电阻的另
一端、所述第二电容的一端、所述MCU的PA5引脚互连，所述第二电容的另一端、所述第一运算放大器的接地端、所述第一运算放大器的参考端互连并接地。由此，能够通过第一电容对第一运算放大器的电源输入进行滤波，能够通过第一电阻和第二电容对第一运算放大器的输出进行滤波。
[0008]另外，在本技术第一方面所涉及的检测产品静态电流损耗的检测电路中，可选地，还包括连接在所述第二运算放大器的电源端的第二滤波元件、以及连接在所述第二运算放大器的输出端和所述MCU的PA7引脚之间的第二滤波电路。由此，第二滤波元件能够方便对第二运算放大器的电源输入进行滤波，第二滤波电路能够方便对第二运算放大器的输出进行滤波。
[0009]另外，在本技术第一方面所涉及的检测产品静态电流损耗的检测电路中，可选地，所述第二滤波元件为第三电容，所述第二滤波电路包括第四电容和第二电阻；所述第三电容的一端与所述第二运算放大器的电源端连接并接所述直流电源，所述第三电容的另一端接地，所述第二电阻的一端与所述第二运算放大器的输出端连接，所述第二电阻的另一端、所述第四电容的一端、所述MCU的PA7引脚互连，所述第四电容的另一端、所述第二运算放大器的接地端、所述第二运算放大器的参考端互连并接地。由此，能够通过第三电容对第二运算放大器的电源输入进行滤波，能够通过第二电阻和第四电容对第一运算放大器的输出进行滤波。
[0010]另外，在本技术第一方面所涉及的检测产品静态电流损耗的检测电路中，可选地，所述MCU内置ARM处理器。
[0011]另外，在本技术第一方面所涉及的检测产品静态电流损耗的检测电路中，可选地，所述MCU的型号为GD32F350CBT6。
[0012]另外，在本技术第一方面所涉及的检测产品静态电流损耗的检测电路中，可选地，所述直流电源为5V。
[0013]本技术第二方面提供了一种检测产品静态电流损耗的检测装置，其由上述的检测电路构成。
[0014]另外，在本技术第二方面所涉及的检测产品静态电流损耗的检测装置中，可选地，所述产品为电子雾化装置，所述检测装置以所述霍尔线性芯片所在的一端作为探测端从所述电子雾化装置外部检测其内部静态电流损耗。由此，能够方便从电子雾化装置外部检测其内部的静态电流损耗。
[0015]在本技术中，当被测试产品内部存在电流损耗时，电流会在产品内部流动进而在产品周围形成弱磁场，通过霍尔线性芯片能够检测到该弱磁场的N极或S极的磁场强度并转换为电压输出至第一运算放大器、第二运算放大器或MCU。具体的，在检测前MCU会从PA2引脚接收霍尔线性芯片的输出电压并进行存储，并通过PA4引脚模拟输出该电压至第一运算放大器的反向端和第二运算放大器的正向端，结合霍尔线性芯片的特性和运算放大器的比较放大，MCU可以在PA5引脚接收第一运算放大器的输出结果并在PA7引脚进行识别，或MCU可以在PA7引脚接收第二运算放大器的输出结果并在PA5引脚进行识别，以此判断产品内部是否存在电流损耗现象。由此，通过该检测电路，能够方便的从产品外部检测产品内的静态电流损耗问题，当该检测电路应用于检测装置检测电子雾化装置等产品时，能够方便从电子雾化装置外部检测其内部的静态电流损耗问题。
附图说明
[0016]现在将仅通过参考附图的例子进一步详细地解释本技术的实施例，其中：
[0017]图1是示出了本技术所涉及的检测电路的一个示例的电路结构示意图。
[0018]图2是示出了本技术所涉及的检测电路的另一个示例的电路结构示意图。
[0019]图3是示出了本技术所涉及的霍尔磁场与电压的关系图。
具体实施方式
[0020]以下，参考附图，详细地说明本技术的优选实施方式。在下面的说明中，对于相同的部件赋予相同的符号，省略重复的说明。另外，附图只是示意性的图，部件相互之间的尺寸的比例或者部件的形状等可以与实际的不同。
[0021]图1是示出了本技术所涉及的检测电路的一个示例的电路结构示意图。图2是示出了本技术所涉及的检测电路的另一个示例的电路结构示意图。图3是示出了本技术所涉及的霍尔磁场与电压的关系图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测产品静态电流损耗的检测电路，其特征在于，包括MCU、霍尔线性芯片、第一运算放大器和第二运算放大器，所述霍尔线性芯片的电源端接直流电源，所述霍尔线性芯片的接地端端接地，所述霍尔线性芯片的输出端分别连接所述MCU的PA2引脚、所述第一运算放大器的同向端以及所述第二运算放大器的反向端，所述第一运算放大器的反向端、所述第二运算放大器的正向端、所述MCU的PA4引脚互连，所述第一运算放大器的输出端与所述MCU的PA5引脚互连，所述第二运算放大器的输出端与所述MCU的PA7引脚连接。2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，还包括连接在所述第一运算放大器的电源端的第一滤波元件、以及连接在所述第一运算放大器的输出端和所述MCU的PA5引脚之间的第一滤波电路。3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，所述第一滤波元件为第一电容，所述第一滤波电路包括第二电容和第一电阻；所述第一电容的一端与所述第一运算放大器的电源端连接并接所述直流电源，所述第一电容的另一端接地，所述第一电阻的一端与所述第一运算放大器的输出端连接，所述第一电阻的另一端、所述第二电容的一端、所述MCU的PA5引脚互连，所述第二电容的另一端、所述第一运算放大器的接地端、所述第一运算放大器的参考端互连并接地。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱旦，周勇，陈飞龙，郭国义，牛彦明，
申请(专利权)人：深圳市吉迩科技有限公司，
类型：新型
国别省市：