一种掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统技术方案

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统。掺杂结构的制作方法包括：在硅衬底上制备掺杂层，作为掺杂源；利用激光进行掺杂，在硅衬底形成掺杂结构。如此，由于将掺杂层作为掺杂源并利用激光进行掺杂以形成掺杂结构，故不需要额外的高温工艺，可以提高硅衬底的少子寿命，大大简化工艺和降低成本。大大简化工艺和降低成本。大大简化工艺和降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统


[0001]本申请属于太阳能电池
，尤其涉及一种掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统。

技术介绍

[0002]太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体p
‑
n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。
[0003]p
‑
n结通常形成于硅衬底和掺杂结构之间的界面，掺杂结构上通常形成有电极。相关技术中，通常采用高温管式扩散的工艺，来实现掺杂结构的制备。然而，高温扩散的过程，不仅耗费能源，耗费时间，而且还会对硅片造成损伤。
[0004]基于此，如何在避开高温工艺的同时实现掺杂结构的制备，成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统，旨在解决如何在避开高温工艺的同时实现掺杂结构的制备的问题。
[0006]第一方面，本申请提供的掺杂结构的制作方法，包括：
[0007]在硅衬底上制备掺杂层，作为掺杂源；
[0008]利用激光进行掺杂，在所述硅衬底形成掺杂结构，所述掺杂结构为发射极或基极。
[0009]可选地，所述掺杂层包括多晶硅掺杂层和/或非晶硅掺杂层。
[0010]可选地，在硅衬底上制备掺杂层，包括：
[0011]采用PECVD工艺、PEALD工艺、APCVD工艺、热蒸发工艺、磁控溅射工艺中的至少一种，制备所述掺杂层。
[0012]可选地，利用激光进行掺杂，包括：r/>[0013]利用激光对所述硅衬底的一面进行整面掺杂；
[0014]或，利用激光进行掺杂，包括：
[0015]利用激光对所述硅衬底的一面进行局域掺杂。
[0016]可选地，所述硅衬底的一面包括多个交错的第一区域和第二区域，所述掺杂层包括第一掺杂层和第二掺杂层，在硅衬底上制备掺杂层，包括：
[0017]在所述第一区域制备所述第一掺杂层；
[0018]在所述第二区域制备所述第二掺杂层；
[0019]利用激光进行掺杂，包括：
[0020]利用激光对所述第一区域进行掺杂，在所述第一区域对应的所述硅衬底形成第一掺杂结构；
[0021]利用激光对所述第二区域进行掺杂，在所述第二区域对应的所述硅衬底形成第二掺杂结构；
[0022]其中，所述第一掺杂结构和所述第二掺杂结构中的一个为发射极，另一个为基极。
[0023]可选地，在所述第一区域制备所述第一掺杂层，包括：
[0024]在所述第一区域和所述第二区域制备所述第一掺杂层；
[0025]去除所述第二区域的所述第一掺杂层。
[0026]可选地，去除所述第二区域的所述第一掺杂层，包括：
[0027]利用湿法刻蚀去除所述第二区域的所述第一掺杂层。
[0028]第二方面，本申请提供的太阳能电池，所述太阳能电池的掺杂结构采用上述任一项的掺杂结构的制作方法制成。
[0029]第三方面，本申请提供的电池组件包括上述的太阳能电池。
[0030]第四方面，本申请提供的光伏系统，包括上述的电池组件。
[0031]本申请实施例的掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统，由于将掺杂层作为掺杂源并利用激光进行掺杂以形成掺杂结构，故不需要额外的高温工艺，可以提高硅衬底的少子寿命，大大简化工艺和降低成本。
附图说明
[0032]图1是本申请一实施例的掺杂结构的制作方法的流程示意图；
[0033]图2是本申请一实施例的掺杂结构的制作方法制成的掺杂结构的结构示意图；
[0034]图3是本申请一实施例的掺杂结构的制作方法制成的掺杂结构的结构示意图；
[0035]图4是本申请一实施例的掺杂结构的制作方法的流程示意图；
[0036]图5是本申请一实施例的掺杂结构的制作方法制成的掺杂结构的结构示意图；
[0037]图6是本申请一实施例的掺杂结构的制作方法的流程示意图；
[0038]图7是本申请一实施例的掺杂结构的制作方法的场景示意图；
[0039]图8是本申请一实施例的掺杂结构的制作方法的流程示意图；
[0040]图9是本申请一实施例的掺杂结构的制作方法的场景示意图；
[0041]主要元件符号说明：
[0042]硅衬底101、第一区域110、第二区域120、掺杂层11、第一掺杂层111、第二掺杂层112、掺杂结构12、第一掺杂结构121、第二掺杂结构122。
具体实施方式
[0043]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0044]本申请中，由于将掺杂层作为掺杂源并利用激光进行掺杂以形成掺杂结构，故不需要额外的高温工艺，可以提高硅衬底的少子寿命，大大简化工艺和降低成本。
[0045]实施例一
[0046]请参阅图1和图2，本申请实施例的掺杂结构12的制作方法，包括：
[0047]步骤S11：在硅衬底101上制备掺杂层11，作为掺杂源；
[0048]步骤S12：利用激光进行掺杂，在硅衬底101形成掺杂结构12，掺杂结构12为发射极或基极。
[0049]本申请实施例的掺杂结构12的制作方法，由于将掺杂层11作为掺杂源并利用激光进行掺杂以形成掺杂结构12，故不需要额外的高温工艺，可以提高硅衬底101的少子寿命，大大简化工艺和降低成本。
[0050]具体地，硅衬底101为P型硅衬底，掺杂层11为N型掺杂层，掺杂结构12为N型掺杂结构，掺杂结构12为发射极。如此，在P型硅衬底和N型掺杂层之间的界面形成PN结，从而可以通过光生伏特效应将太阳光转化成电能。
[0051]进一步地，掺杂层11为硼掺杂层，掺杂结构12为硼掺杂结构。可以理解，在其他的实施例中，也可掺杂层11为铝掺杂层，掺杂结构12为铝掺杂结构；也可掺杂层11为镓掺杂层，掺杂结构12为镓掺杂结构；也可掺杂层11为铟掺杂层，掺杂结构12为铟掺杂结构。
[0052]可以理解，在其他的实施例中，也可硅衬底101为N型硅衬底，掺杂层11为P型掺杂层，掺杂结构12为P型掺杂结构，掺杂结构12为发射极。可以理解，在其他的实施例中，也可掺杂层11为砷掺杂层，掺杂结构12为砷掺杂结构；也可掺杂层11为锑掺杂层，掺杂结构12为锑掺杂结构。
[0053]可以理解，在其他的实施例中，硅衬底101为P型硅衬底，掺杂层11为P型掺杂层，掺杂结构12为P型掺杂结构，掺杂结构12为基极。
[0054]可以理解，在其他的实施例中，硅衬底101为N型硅衬底，掺杂层11为N型掺杂层，掺杂结构12为N型掺杂结构，掺杂结构12为基极。
[0055]具体地，在步骤S11中，掺杂层11的数量为一层。可以理解，在其他的实施例中，掺杂层11的数量可为2层、3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂结构的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底上制备掺杂层，作为掺杂源；利用激光进行掺杂，在所述硅衬底形成掺杂结构，所述掺杂结构为发射极或基极。2.根据权利要求1所述的掺杂结构的制作方法，其特征在于，所述掺杂层包括多晶硅掺杂层和/或非晶硅掺杂层。3.根据权利要求1所述的掺杂结构的制作方法，其特征在于，在硅衬底上制备掺杂层，包括：采用PECVD工艺、PEALD工艺、APCVD工艺、热蒸发工艺、磁控溅射工艺中的至少一种，制备所述掺杂层。4.根据权利要求1所述的掺杂结构的制作方法，其特征在于，利用激光进行掺杂，包括：利用激光对所述硅衬底的一面进行整面掺杂；或，利用激光进行掺杂，包括：利用激光对所述硅衬底的一面进行局域掺杂。5.根据权利要求1所述的掺杂结构的制作方法，其特征在于，所述硅衬底的一面包括多个交错的第一区域和第二区域，所述掺杂层包括第一掺杂层和第二掺杂层，在硅衬底上制备掺杂层，包括：在所述第一区域制备所述第一掺杂层；在所述第二区域制备所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文杰，邱开富，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：