去隔行方法和装置制造方法及图纸

技术编号:3581821 阅读:156 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提出一种去隔行方法,包括以下步骤:获取待插值像素点的位置及空间邻域信息;根据空间邻域信息对所述待插值像素点进行垂直向插值和边界插值,得到所述待插值像素点的垂直向插值结果和边界插值结果;根据所述边界插值结果确定所述待插值像素点的空间相关度b,所述空间相关度b体现所述待插值像素点与所述待插值像素点邻域像素点之间的相关性,0≤b≤1;对所述垂直向插值结果和边界插值结果进行加权平均得到所述待插值像素点的插入像素值。本发明专利技术通过对待插值像素点边界插值结果空间相关度的判断,如果发现边界插值结果会产生明显的“坏点”则可参照垂直向插值结果得到所述待插值像素点最终的插入像素值,从而能够避免“坏点”的出现。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种去隔行方法,其特征在于,包括以下步骤:    获取待插值像素点的位置信息及空间邻域信息;    根据所述空间邻域信息对所述待插值像素点进行垂直向插值和边界插值,得到所述待插值像素点的垂直向插值结果和边界插值结果;    根据所述边界插值结果确定所述待插值像素点的空间相关度b,所述空间相关度b体现所述待插值像素点与所述待插值像素点的邻域像素点之间的相关性,其中,0≤b≤1;    对所述垂直向插值结果和所述边界插值结果进行加权平均得到所述待插值像素点的插入像素值,其中,所述空间相关度b为所述边界插值结果的权重值。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:梅大为邱嵩
申请(专利权)人:北京中星微电子有限公司
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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