【技术实现步骤摘要】
材料寿命确定方法、装置、计算机设备和存储介质
[0001]本申请涉及LCP高分子材料
,特别是涉及一种材料寿命确定方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。
技术介绍
[0002]随着5G通讯行业的高速发展,对5G通讯中使用的高分子材料的可靠性要求越来越高。在众多高分子材料中,液晶聚合物(简称LCP,全称为Liquid Crystal Polymer)材料具有耐热性好、高强度、高模量以及优良的耐腐蚀性,还具有较低的介电常数和介电损耗因素,因此LCP高分子材料被广泛应用在5G电子产品,例如挠性电路板、基站天线振子、基站高速连接器、连接器背板等。
[0003]传统高分子材料在使用过程中会经受各种环境应力,例如温度、湿度、拉力、压力等,影响高分子材料的寿命。目前传统高分子材料的可靠性试验主要围绕机械疲劳、机械磨损、电压击穿、绝缘击穿等原因导致的失效对传统高分子材料进行可靠性试验和研究,未针对工作在高频环境下的LCP高分子材料进行可靠性试验和寿命评估。因此,需要提供一种适用于LCP高分子材料的材料寿命评估方法。
技术实现思路
[0004]基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够适用于LCP高分子材料的材料寿命确定方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
[0005]第一方面,本申请提供了一种材料寿命确定方法。所述方法应用于LCP高分子材料,包括:
[0006]获取属于相同环境应力的多个不同的环境参数,并基于多个不同的环境参数确定与目标材料对应的多组 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种材料寿命确定方法,其特征在于,应用于LCP高分子材料,所述方法包括:获取属于相同环境应力的多个不同的环境参数,并基于所述多个不同的环境参数确定与目标材料对应的多组试验参数;在通过各组试验参数分别对所述目标材料在流延方向上进行老化试验时,获得所述目标材料的多个关键特征的第一老化试验时间;在通过各组试验参数分别对所述目标材料在垂直方向上进行老化试验时,获得所述目标材料的多个关键特征的第二老化试验时间;对于每个环境参数,基于各关键特征分别对应的第一老化试验时间和第二老化试验时间,确定在相应环境参数下所述目标材料的材料寿命;将各环境参数、以及各环境参数分别对应的材料寿命,输入与所述环境应力对应的寿命加速模型,得到材料寿命与环境应力的对应关系;所述对应关系用于确定目标材料在目标环境参数下的材料寿命。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对于每个环境参数,基于各关键特征分别对应的第一老化试验时间和第二老化试验时间,确定在相应环境参数下所述目标材料的材料寿命,包括:对于每个环境参数,基于各关键特征分别对应的第一老化试验时间,从所述多个关键特征中确定所述目标材料的第一敏感特征;基于各关键特征分别对应的第二老化试验时间,从所述多个关键特征中确定所述目标材料的第二敏感特征;根据所述第一敏感特征的第一老化试验时间和所述第二敏感特征的第二老化试验时间,确定所述目标材料的敏感特征;将各环境参数下所述敏感特征的老化试验时间,作为在相应环境参数下目标材料的材料寿命。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对于每个环境参数,基于各关键特征分别对应的第一老化试验时间和第二老化试验时间,确定在相应环境参数下所述目标材料的材料寿命,包括:对于每个环境参数,基于各关键特征分别对应的第一老化试验时间和第二老化试验时间,确定与各关键特征分别对应的目标老化试验时间;基于各关键特征分别对应的目标老化试验时间,从所述多个关键特征中确定所述目标材料的敏感特征;将各环境参数下所述敏感特征的目标老化试验时间,作为在相应环境参数下目标材料的材料寿命。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述目标材料的多个关键特征包括介电常数、介电损耗和特性阻抗,所述对于每个环境参数,基于各关键特征分别对应的第一老化试验时间和第二老化试验时间,确定在相应环境参数下所述目标材料的材料寿命,包括:对于每个环境参数,将对所述目标材料在流延方向上进行老化试验的过程中所述目标材料的介电常数的特征值增大至第一临界值所经历的时间段,作为在相应环境参数下所述介电常数的第一老化试验时间,将对所述目标材料在垂直方向上进行老化试验的过程中目标材料的介电常数的特征值增大至第二临界值所经历的时间段,作为在相应环境参数下所
述介电常数的第二老化试验时间;对于每个环境参数,将对所述目标材料在流延方向上进行老化试验的过程中所述目标材料的介电损耗的特征值增大至第三临界值所经历的时间段,作为在相应环境参数下所述介电损耗的第一老化试验时间,将对所述目标材料在垂直方向上进行老化试验的过程中目标材料的介电损耗的特征值增大至第四临界值所经历的时间段,作为在相应环境参数下所述介电损耗的第二老化试验时间;对于每个环境参数,将对所述目标材料在流延方向上进行老化试验的过程中所述目标材料的特性阻抗的特征值增大至第五临界值所经历的时...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵振博,刘沛江,徐焕翔,孙朝宁,金志利,陈梓钧,
申请(专利权)人:中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室,
类型:发明
国别省市:
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