一种驱动控制装置制造方法及图纸

技术编号:35817277 阅读:11 留言:0更新日期:2022-12-03 13:41
本实用新型专利技术旨在提供一种兼容性好、安全系数高且便于物料采集、管控的驱动控制装置。本实用新型专利技术包括光伏MOSFET驱动器、三极管、逻辑模块和通断模块,逻辑模块为与门,光伏MOSFET驱动器的控制端与逻辑模块电性连接,光伏MOSFET驱动器的被控端与通断模块电性连接,逻辑模块的两个输入端分别接收待测产品信号和上位机控制信号,逻辑模块的输出端与三极管信号连接,通断模块的负载端与供电源连接,通断模块的输出端发送信号至待测产品;通断模块包括两个源极相串联的场效应管,两个场效应管的的源极均与光伏MOSFET驱动器的一个被控端连接,两个场效应管的栅极均与光伏MOSFET驱动器的另一个被控端连接。本实用新型专利技术可应用于控制装置的技术领域。装置的技术领域。装置的技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种驱动控制装置


[0001]本技术涉及控制装置的
,特别涉及一种驱动控制装置。

技术介绍

[0002]在电子设备测试行业中,主板功能测试里经常要求对DUT(Device Under Test:待测设备或者器件)进行供电、负载测试,同时基于板卡空间限制等考虑,往往会采用N型MOS管和P型MOS管作为通路连接开关。
[0003]在现有的采用N型MOS和P型MOS开关方案中,常采用背靠背方式布局,使用时需要根据不同的MOS管类型和Vgs(栅极和源极电压之差)采用不同的驱动和控制电路,且驱动电路中控制端往往是和被控端直连的,如果控制端发生故障,很可能导致被控端受到波及,甚至会损坏整个电路。此外,不同的驱动电路对于物料采购及管控方面也造成不便。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供了一种兼容性好、安全系数高且便于物料采集、管控的驱动控制装置。
[0005]本技术所采用的技术方案是:本技术包括光伏MOSFET驱动器、三极管、逻辑模块和通断模块,所述逻辑模块为与门,所述光伏MOSFET驱动器的控制端与所述逻辑模块电性连接,所述光伏MOSFET驱动器的被控端与所述通断模块电性连接,所述逻辑模块的两个输入端分别接收待测产品信号和上位机控制信号,所述逻辑模块的输出端与所述三极管信号连接,所述通断模块的负载端与供电源连接,所述通断模块的输出端发送信号至待测产品;
[0006]所述通断模块包括两个源极相串联的场效应管,两个所述场效应管的源极均与所述光伏MOSFET驱动器的一个被控端连接,两个所述场效应管的栅极均与所述光伏MOSFET驱动器的另一个被控端连接。
[0007]进一步,所述光伏MOSFET驱动器的第一引脚连接电源,所述光伏MOSFET驱动器的第二引脚与所述三极管的集电极连接,所述光伏MOSFET驱动器的第三引脚和第四引脚与两个所述场效应管的源极和栅极对应连接,所述三极管的发射极接地,所述逻辑模块与所述三极管的基极连接。
[0008]进一步,所述三极管的发射极通过限流电阻接地。
[0009]进一步,所述逻辑模块与所述三极管的基极连接段设置有滤波模块。
[0010]进一步,所述光伏MOSFET驱动器的型号为APV1121S,所述三极管的型号为MMBT3904,所述逻辑模块的型号为NC7SVL08P5X,所述场效应管的型号为IRF7313TRPBF。
[0011]本技术的有益效果是:
[0012]1、电路结构较为简单,物料常见,不会增加过多的物料成本;
[0013]2、兼容性好,采用同一驱动电路,可以较为简便地控制常用的N型MOS管和P型MOS管;
[0014]3、采用光伏MOSFET驱动器,能够使控制端和被控端进行隔离,结合逻辑模块电路,实现多级逻辑控制,使得安全性得到提高;光伏MOSFET驱动器只有当第二引脚的电平被拉低的情况下,才会使得对应型号的MOS管导通,而光伏MOSFET驱动器的控制端(第一引脚、第二引脚)和被控端(第三引脚和第四引脚)是隔离的,可以有效地防止控制端发生异常时导致被控端导通从而导致电路发生异常的情况;逻辑模块采用的是与门,只有当待测产品信号和上位机控制信号同时为高电平(电平3.3V)时,使能控制信号才会为高电平,这个时候三极管才能导通,从而进一步使得光伏MOSFET驱动器只有当第二引脚的电平被拉低,对应的MOS管才会导通。
附图说明
[0015]图1是本技术的电路工作原理图;
[0016]图2是本技术所述通断模块采用N型MOS管时的原理框图;
[0017]图3是本技术所述通断模块采用P型MOS管时的原理框图。
具体实施方式
[0018]实施例一:
[0019]如图1和图2所示,在本实施例中,本技术包括光伏MOSFET驱动器1、三极管2、逻辑模块3和通断模块4,所述逻辑模块3为与门,所述光伏MOSFET驱动器1的控制端与所述逻辑模块3电性连接,所述光伏MOSFET驱动器1的被控端与所述通断模块4电性连接,所述逻辑模块3的两个输入端分别接收待测产品信号和上位机控制信号,所述逻辑模块3的输出端与所述三极管2信号连接,所述通断模块4的负载端与供电源连接,所述通断模块4的输出端发送信号至待测产品;
[0020]所述通断模块4包括两个源极相串联的场效应管,两个所述场效应管的源极均与所述光伏MOSFET驱动器1的一个被控端连接,两个所述场效应管的栅极均与所述光伏MOSFET驱动器1的另一个被控端连接。
[0021]在本实施例中,所述光伏MOSFET驱动器1的第一引脚连接电源,所述光伏MOSFET驱动器1的第二引脚与所述三极管2的集电极连接,两个所述场效应管为N型MOS管,两个所述场效应管的源极均与所述光伏MOSFET驱动器1的第三引脚连接,两个所述场效应管的栅极均与所述光伏MOSFET驱动器1的第四引脚连接,所述三极管2的发射极接地,所述逻辑模块3与所述三极管2的基极连接。
[0022]在本实施例中,所述三极管2的发射极通过限流电阻R211接地,从而能够对回路中的电流进行调节。
[0023]在本实施例中,所述逻辑模块3与所述三极管2的基极连接段设置有滤波模块(R210+C66),能够降低电路中的干扰。
[0024]在本实施例中,所述光伏MOSFET驱动器1的型号为APV1121S,所述三极管2的型号为MMBT3904,所述逻辑模块3的型号为NC7SVL08P5X,所述场效应管的型号为IRF7313TRPBF。
[0025]实施例二:
[0026]如图3所示,与实施例一的不同之处在于,两个所述场效应管为P型MOS管,两个所述场效应管的源极均与所述光伏MOSFET驱动器1的第四引脚连接,两个所述场效应管的栅
极均与所述光伏MOSFET驱动器1的第三引脚连接,所述三极管2的发射极接地,所述逻辑模块3与所述三极管2的基极连接。
[0027]本技术与现有的技术相比,具有以下优点:
[0028]主要采用光伏MOSFET驱动器,能够使控制端和被控端进行隔离,结合逻辑门电路,使得安全性得到提高;采用同一驱动电路,可以较为简便地控制常用的N性和P型MOS管,电路结构较为简单;在物料管控方面也占据优势,物料常见,不会增加过多的物料成本;
[0029]应用简单。光伏MOSFET驱动器的第四引脚为被控端阳极,第三引脚为被控端的阴极,在使用N型MOS管和P型MOS管时,根据Vgs的使用条件,只需要对应调整栅极和源极的顺序对应连接即可;
[0030]多级逻辑控制,安全性较高。光伏MOSFET驱动器只有当第二引脚的电平被拉低的情况下,才会使得对应的MOS管导通,控制端(第一引脚、第二引脚)和被控端(第三引脚和第四引脚)是隔离的,可以有效地防止控制端发生异常时导致被控端导通从而导致电路发生异常的情况。逻辑模块采用的是与门,只有当待测产品信号和上本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动控制装置,其特征在于:它包括光伏MOSFET驱动器(1)、三极管(2)、逻辑模块(3)和通断模块(4),所述逻辑模块(3)为与门,所述光伏MOSFET驱动器(1)的控制端与所述逻辑模块(3)电性连接,所述光伏MOSFET驱动器(1)的被控端与所述通断模块(4)电性连接,所述逻辑模块(3)的两个输入端分别接收待测产品信号和上位机控制信号,所述逻辑模块(3)的输出端与所述三极管(2)信号连接,所述通断模块(4)的负载端与供电源连接,所述通断模块(4)的输出端发送信号至待测产品;所述通断模块(4)包括两个源极相连接的场效应管,两个所述场效应管的源极均与所述光伏MOSFET驱动器(1)的一个被控端连接,两个所述场效应管的栅极均与所述光伏MOSFET驱动器(1)的另一个被控端连接。2.根据权利要求1所述的一种驱动控制装置,其特征在于:所述光伏MOSFET...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏俊华王育东周家进李峰
申请(专利权)人:珠海市运泰利自动化设备有限公司
类型:新型
国别省市:

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