器件芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供器件芯片的制造方法，能够抑制利用激光束进行分割加工时产生的对树脂层的热影响。器件芯片的制造方法将在由呈格子状设定于正面的分割预定线划分的区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件而制造器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤(1)，在晶片的正面侧形成树脂层；树脂层加工步骤(3)，在树脂层形成步骤(1)之后，从形成有树脂层的那侧沿着分割预定线以第一输出照射激光束，在树脂层上形成激光加工槽；以及晶片切断步骤(4)，在树脂层加工步骤(3)之后，以比第一输出大的第二输出沿着激光加工槽照射激光束，将晶片切断。将晶片切断。将晶片切断。

【技术实现步骤摘要】
器件芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及器件芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]作为安装具有由焊料等形成的连接端子(凸块)的半导体芯片的方法，已知有借助预先设置于半导体芯片的密封用的糊状或膜状的树脂层而将半导体芯片彼此接合的方法(参照专利文献1)。在上述的半导体芯片的制造工序中，为了与器件芯片的薄型化和多层层叠对应，在对背面进行了磨削而薄化的晶片的正面上形成树脂层，从树脂层侧进行切割，由此能够简便地得到形成有树脂层的半导体芯片，从而受到关注。
[0003]专利文献1：日本特开2016
‑
92188号公报
[0004]但是，存在当通过切削刀具对薄化的晶片进行切削时经常发生背面崩边的问题。因此，研究了利用基于激光束的照射的烧蚀进行切割的方法，但由于树脂层不耐热，因此暴露了如下的新课题：树脂受到激光束的热影响而发生硬化，树脂无法通过安装阶段实施的热压接而延展，成为芯片不良的原因。

技术实现思路

[0005]本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供器件芯片的制造方法，能够抑制利用激光束进行分割加工时产生的对树脂层的热影响。
[0006]为了解决上述课题实现目的，本专利技术的器件芯片的制造方法将在由呈格子状设定于正面的分割预定线划分的区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件而制造器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤，在该晶片的正面侧形成树脂层；树脂层加工步骤，在该树脂层形成步骤之后，从形成有该树脂层的那侧沿着该分割预定线以第一输出照射激光束，对该树脂层形成激光加工槽；以及晶片切断步骤，在该树脂层加工步骤之后，以比该第一输出大的第二输出沿着该激光加工槽照射激光束，将该晶片切断。
[0007]另外，在本专利技术的器件芯片的制造方法中，在该晶片切断步骤中，可以调整该激光束以便不向该激光加工槽的侧壁照射。
[0008]另外，本专利技术的器件芯片的制造方法还可以包含如下的步骤：保护膜形成步骤，在该树脂层形成步骤之后且在该树脂层加工步骤之前，在形成有该树脂层的那侧形成保护膜；以及保护膜去除步骤，在该晶片切断步骤之后，将该保护膜去除。
[0009]另外，在本专利技术的器件芯片的制造方法中，该树脂层可以是绝缘性的膜。
[0010]本申请专利技术能够抑制利用激光束进行分割加工时产生的对树脂层的热影响。
附图说明
[0011]图1是作为实施方式的器件芯片的制造方法的加工对象的晶片的立体图。
[0012]图2是示出实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。
[0013]图3是示出图2所示的树脂层形成步骤的一例的立体图。
[0014]图4是以局部剖面示出图2所示的保护膜形成步骤的一例的侧视图。
[0015]图5是示出图2所示的保护膜形成步骤的图4之后的一个状态的晶片的主要部分的剖视图。
[0016]图6是以局部剖面示出图2所示的树脂层加工步骤的一例的侧视图。
[0017]图7是示出图2所示的树脂层加工步骤的图6之后的一个状态的晶片的主要部分的剖视图。
[0018]图8是以局部剖面示出图2所示的晶片切断步骤的一例的侧视图。
[0019]图9是示出图2所示的晶片切断步骤的图8之后的一个状态的晶片的主要部分的剖视图。
[0020]图10是以局部剖面示出图2所示的保护膜去除步骤的一例的侧视图。
[0021]图11是示出图2所示的保护膜去除步骤的图10之后的一个状态的晶片的主要部分的剖视图。
[0022]标号说明
[0023]10：晶片；11：基板；12：正面；13：分割预定线；14：器件；15：背面；18：器件芯片；22：树脂层；23：保护膜；24：激光加工槽；25：热影响层；26：宽度；45、46：激光束。
具体实施方式
[0024]参照附图，对用于实施本专利技术的方式(实施方式)进行详细说明。本专利技术并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[0025][实施方式][0026]根据附图，对本专利技术的实施方式的器件芯片18的制造方法进行说明。图1是作为实施方式的器件芯片18的制造方法的加工对象的晶片10的立体图。晶片10是以硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、砷化镓(GaAs)或碳化硅(SiC)等作为基板11的圆板状的半导体晶片、光器件晶片等晶片。在实施方式中，基板11是厚度为30μm以上且50μm以下的硅基板。
[0027]晶片10具有呈格子状设定于基板11的正面12的多条分割预定线13以及形成于由分割预定线13划分的区域的多个器件14。器件14例如是IC(Integrated Circuit，集成电路)或LSI(Large Scale Integration，大规模集成)等集成电路、CCD(Charge Coupled Device，电感耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)等图像传感器等。将位于形成有器件14的正面12的相反侧的晶片10的面作为背面15。
[0028]在实施方式中，晶片10是TSV(Through
‑
Silicon Via，硅通孔)晶片，其具有在与器件14对应的区域贯通基板11的贯通电极16(参照图4等)以及在基板11的正面12侧与贯通电极16连接的电极凸块17。电极凸块17具有200μm左右的高度，从器件14的正面突出。另外，晶片10例如也可以是中介层(interposer)晶片，其具有在与器件14对应的区域贯通基板11的贯通电极16以及在基板11的正面12侧与贯通电极16连接的再布线层(布线层)。
[0029]晶片10由分割预定线13按照各个器件14进行分割而单片化成器件芯片18。另外，
在图1中，器件芯片18是正方形状，但也可以是长方形状。
[0030]接着，对实施方式的器件芯片18的制造方法进行说明。图2是示出实施方式的器件芯片18的制造方法的流程的流程图。实施方式的器件芯片18的制造方法包含树脂层形成步骤1、保护膜形成步骤2、树脂层加工步骤3、晶片切断步骤4以及保护膜去除步骤5。
[0031](树脂层形成步骤1)
[0032]图3是示出图2所示的树脂层形成步骤1的一例的立体图。树脂层形成步骤1是在晶片10的正面12侧形成树脂层22的步骤。在实施方式中，在晶片10的正面12侧形成树脂层22之前，将晶片10固定于环状的框架20和带21上。
[0033]框架20具有比晶片10的外径大的开口，由金属或树脂等材质形成。带21是用于将晶片10固定于框架20的粘接带。带21例如包含：基材层，其由合成树脂形成；以及糊料层，其层叠于基材层且由具有粘接性的合成树脂形成。在将晶片10固定于环状的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件芯片的制造方法，将在由呈格子状设定于正面的分割预定线划分的区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件而制造器件芯片，其特征在于，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤，在该晶片的正面侧形成树脂层；树脂层加工步骤，在该树脂层形成步骤之后，从形成有该树脂层的那侧沿着该分割预定线以第一输出照射激光束，对该树脂层形成激光加工槽；以及晶片切断步骤，在该树脂层加工步骤之后，以比该第一输出大的第二输出沿着该激光加工槽照射激光束，将该晶片切断。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田章紘，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：