使用多环芳族衍生物化合物的有机电致发光器件制造技术

根据本发明专利技术的有机电致发光器件可以通过分别在空穴注入层或空穴传输层和发光层中使用具有独特结构的化合物作为空穴传输材料和掺杂剂材料实现了低电压驱动和具有优异外量子效率的高效率发光特性，并因此可以有效地用于工业应用，例如平面显示装置、柔性显示装置、单色或白色平面照明装置以及单色或白色柔性照明装置。照明装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用多环芳族衍生物化合物的有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及在其中的有机层中使用多环芳族衍生物化合物而表现出显著改善的发光效率的高效有机发光器件。

技术介绍

[0002]有机发光器件是当从通过由电子注入电极(阴极)注入的电子和由空穴注入电极(阳极)注入的空穴在发光层中复合而形成的激子中释放能量时发光的自发光器件。这样的有机发光器件由于基于其诸如低驱动电压、高亮度、宽视角、和快速响应速度的优点适用于全色平板发光显示器而作为下一代光源受到了大量的关注。
[0003]为了使有机发光器件表现出该特性，应优化有机发光器件中的有机层的结构，并且构成各有机层的材料即空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料或电子阻挡材料应当基于稳定且有效的成分。然而，对于稳定且有效的有机发光器件，持续需要开发有机层结构及其相应的材料。
[0004]因此，持续需要开发能够改善其发光特性的有机发光器件的结构以及开发支持该结构的新材料。

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]因此，鉴于以上问题做出本专利技术，并且本专利技术的一个目的是提供基于用于发光层的化合物和用于空穴传输层或空穴注入层的化合物而可以在低电压下运行并表现出优异的外量子效率的高效有机发光器件。
[0007]技术方案
[0008]根据本专利技术，以上和其他目的可以通过提供包括以下的有机发光器件来实现：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及介于第一电极与第二电极之间的空穴注入层或空穴传输层和发光层。
[0009]根据本专利技术的有机发光器件(i)在空穴注入层或空穴传输层中包含至少一种由以下[式A]表示的化合物，以及(ii)在发光层中包含由以下[式B]或[式C]表示的化合物。
[0010][0011]稍后将描述[式A]至[式C]的结构、由此获得的化合物及其取代基的详细内容。
[0012]有益效果
[0013]根据本专利技术的有机发光器件通过分别在空穴注入层或空穴传输层和发光层中使用具有独特结构的化合物作为空穴传输材料和掺杂剂材料而可以在较低的驱动电压下运行并且表现出优异的外量子效率以及由此的高发光效率。
具体实施方式
[0014]在下文中，将参照附图详细地描述本专利技术。
[0015]在一个方面，本专利技术涉及有机发光器件，其包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及介于第一电极与第二电极之间的空穴注入层或空穴传输层和发光层，其中(i)空穴注入层或空穴传输层包含至少一种由以下[式A]表示的化合物，以及(ii)发光层包含由以下[式B]或[式C]表示的化合物。基于该配置，可以获得高效的有机发光器件。
[0016][0017]其中
[0018]L为单键、经取代或未经取代的芳族C6
‑
C50烃环、或者经取代或未经取代的C2
‑
C50芳族杂环，以及n为1至3的整数，条件是当n为2或更大时，L彼此相同或不同。
[0019]在一个实施方案中，在[式A]中，L为单键或者经取代或未经取代的芳族C6
‑
C50烃环，其中经取代或未经取代的芳族C6
‑
C50烃环为经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的菲基、或者经取代或未经取代的芴基。
[0020]Ar选自经取代或未经取代的C5
‑
C50芳基和经取代或未经取代的C2
‑
C50杂芳基。
[0021]R
a
至R
c
彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基、经取代或未经取代的C6
‑
C50芳基、经取代或未经取代的C3
‑
C30环烷基、经取代或未经取代的C2
‑
C50杂芳基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷氧基、经取代或未经取代的C6
‑
C30芳氧基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基、和卤素基团。
[0022]此外，R
b
和R
c
彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环。
[0023][0024][0025]其中
[0026]Q1至Q3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳族C6
‑
C50烃环、或者经取代或未经取代的C2
‑
C50芳族杂环基，
[0027]Y1至Y3彼此相同或不同，并且各自独立地选自N
‑
R1、CR2R3、O、S、Se和SiR4R5，
[0028]X选自B、P和P＝O，并且在本专利技术的一个优选实施方案中，X为B，并且在这种情况下，在结构上使用包含硼(B)的多环芳族衍生物化合物作为器件的发光层中的掺杂剂以赋予有机发光器件高效率，以及
[0029]R1至R5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基、经取代或未经取代的C6
‑
C50芳基、经取代或未经取代的C3
‑
C30环烷基、经取代或未经取代的C2
‑
C50杂芳基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷氧基、经取代或未经取代的C6
‑
C30芳氧基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基、和卤素基团，
[0030]条件是R1至R5各自与环Q1至Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环，以及R2和R3以及R4和R5彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环。
[0031]根据本专利技术的一个实施方案，[式B]或[式C]可以形成骨架结构例如以下[式B
‑
1]、[式B
‑
2]、[式C
‑
1]、[式C
‑
2]或[式D
‑
2]，特别是各种多环芳族骨架结构。通过满足基于其的有机发光器件的发光层的化合物所需的特性可以实现高效有机发光器件。
[0032][0033][0034]其中
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光器件，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及介于所述第一电极与所述第二电极之间的空穴注入层或空穴传输层和发光层，其中(i)所述空穴注入层或所述空穴传输层包含至少一种由以下[式A]表示的化合物，以及(ii)所述发光层包含由以下[式B]或[式C]表示的化合物：[式A]其中L为单键、经取代或未经取代的芳族C6
‑
C50烃环、或者经取代或未经取代的C2
‑
C50芳族杂环；n为1至3的整数，条件是当n为2或更大时，L彼此相同或不同；Ar选自经取代或未经取代的C5
‑
C50芳基和经取代或未经取代的C2
‑
C50杂芳基；R
a
至R
c
彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基、经取代或未经取代的C6
‑
C50芳基、经取代或未经取代的C3
‑
C30环烷基、经取代或未经取代的C2
‑
C50杂芳基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷氧基、经取代或未经取代的C6
‑
C30芳氧基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基、和卤素基团，条件是R
b
和R
c
彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环，其中Q1至Q3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳族C6
‑
C50烃环、或者经取代或未经取代的C2
‑
C50芳族杂环基；Y1至Y3彼此相同或不同，并且各自独立地选自N
‑
R1、CR2R3、O、S、Se和SiR4R5；
X选自B、P和P＝O；以及R1至R5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基、经取代或未经取代的C6
‑
C50芳基、经取代或未经取代的C3
‑
C30环烷基、经取代或未经取代的C2
‑
C50杂芳基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷氧基、经取代或未经取代的C6
‑
C30芳氧基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5
‑
C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基、和卤素基团，条件是R1至R5各自与环Q1至Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环，以及R2和R3以及R4和R5彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环。2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中[式B]或[式C]由以下[式B
‑
1]或[式C
‑
1]表示：表示：其中Z为CR或N，条件是Z彼此相同或不同，以及R彼此相同或不同，其中R各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基、经取代或未经取代的C6
‑
C50芳基、经取代或未经取代的C3
‑
C30环烷基、经取代或未经取代的C2
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C50杂芳基、经取代或未经取代的C1
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C30烷氧基、经取代或未经取代的C6
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C30芳氧基、经取代或未经取代的C1
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C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5
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C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5
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【专利技术属性】
技术研发人员：沈昭英，柳世真，赵镇辉，梁龙云，
申请(专利权)人：SFC株式会社，
类型：发明
国别省市：