图像感测设备和图像摄取系统技术方案

技术编号:3580130 阅读:146 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种图像感测设备,所述图像感测设备包括像素和驱动单元,其中所述驱动单元包括缓冲电路,所述缓冲电路包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,令V3是被提供给第一NMOS晶体管的栅极以将用于关断传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压,令V4是被提供给第一PMOS晶体管的栅极以将用于导通传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压,令Vthp1是第一PMOS晶体管的阈值电压,Vthn1是第一NMOS晶体管的阈值电压,则满足(V2+Vthn1)<V3<V1以及V2<V4<(V1+Vthp1)。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种图像感测设备,所述图像感测设备包括像素和驱动所述像素的驱动单元,所述像素包括:光电转换单元;电荷-电压转换器,其将基于所述光电转换单元所积累的电荷的信号转换成电压;以及传送MOS晶体管,其将所述光电转换单元所积累的电荷传送给所述电荷-电压转换器,其中, 所述驱动单元包括缓冲电路,所述缓冲电路被配置为将传送信号提供给与传送MOS晶体管的栅极相连的传送控制线, 所述缓冲电路包括 第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管具有与传送控制线相连的漏极以及被提供有电源电压V1的源极,以及 第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管具有与传送控制线和所述第一PMOS晶体管的漏极相连的漏极以及被提供有参考电压V2的源极,所述参考电压V2的符号与电源电压V1的符号相反,并且 令V3是被提供给第一NMOS晶体管的栅极以将用于关断传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压,令V4是被提供给第一PMOS晶体管的栅极以将用于导通传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压,令Vthp1是第一PMOS晶体管的阈值电压,Vthn1是第一NMOS晶体管的阈值电压,则满足 (V2+Vthn1)<V3<V1 以及 V2<V4<(V1+Vthp1)。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:沖田彰铃木觉
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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