太阳能电池激光掺杂图形结构和太阳能电池制造技术

本申请涉及太阳能电池技术领域，公开了一种太阳能电池激光掺杂图形结构，太阳能电池激光掺杂图形结构设于正方形的硅片上，包括多个副栅，每个副栅均包括相交设置的第一副栅段和第二副栅段，每个副栅的第一副栅段和第二副栅段关于硅片的对角线呈轴对称设置，每个第一副栅段与水平方向的夹角为锐角；还包括主栅，主栅包括第一主栅段和第二主栅段，第一主栅段竖向连接在多个第一副栅段之间，第二主栅段竖向连接在多个第二副栅段之间。本申请还提供了一种具有前述的太阳能电池激光掺杂图形结构的太阳能电池。本申请能够提高太阳能电池的硅片各个部分的发光功率的稳定性。各个部分的发光功率的稳定性。各个部分的发光功率的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池激光掺杂图形结构和太阳能电池


[0001]本申请涉及太阳能电池
，更具体地说，是涉及一种太阳能电池激光掺杂图形结构和太阳能电池。

技术介绍

[0002]太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生清洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中，大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域。制作太阳能电池的基础是半导体材料，太阳能电池的工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电子转换反应。在硅晶体中掺入其他的杂质，如硼和磷等即可制成太阳能电池所使用的太阳能电池板。
[0003]当硅片中掺入硼时，硅晶体中就会存在着一个空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P(positive)型半导体。同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N(negative)型半导体。当P型和N型半导体结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层。薄层界面的P型一侧带负电，N型一侧带正电，这是由于P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区，一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”，从而阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层进而形成电势差，这就是PN结。通常的晶体硅太阳能电池的硅片厚度一般在350～450微米左右，在实际的生产制造中，晶体硅太阳能电池的硅片往往存在质量波动，导致在太阳能电池板生产完成后进行测试分级，按照不同的产品等级出货。因此，如何晶体硅太阳能电池的硅片的质量波动是一个重要课题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种太阳能电池激光掺杂图形结构和太阳能电池，解决了太阳能电池的硅片质量波动对太阳能电池效率产生影响的技术问题，达到了提高太阳能电池品质的稳定性的技术效果。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池激光掺杂图形结构，太阳能电池激光掺杂图形结构设于正方形的硅片上，包括多个副栅，每个副栅均包括相交设置的第一副栅段和第二副栅段，每个副栅的第一副栅段和第二副栅段关于硅片的对角线呈轴对称设置，每个第一副栅段与水平方向的夹角为锐角；还包括主栅，主栅包括第一主栅段和第二主栅段，第一主栅段连接在多个第一副栅段之间，第二主栅段竖向连接在多个第二副栅段之间。
[0006]在第一方面的另一种可能的实现方式中，多个第一副栅段之间连接有多个第一防断栅，多个第一防断栅设于第一副栅段远离第二副栅段的一端；
[0007]多个第二副栅段之间连接有多个第二防断栅，多个第二防断栅设于所述第二副栅段远离第一副栅段的一端。
[0008]在第一方面的另一种可能的实现方式中，多个第一防断栅在多个第一副栅段之间呈间隔设置，多个第二防断栅在多个第二副栅段之间呈间隔设置。
[0009]在第一方面的另一种可能的实现方式中，还包括第三主栅段，第三主栅段竖向设置在每个第一副栅段和每个第二副栅段的相交处。
[0010]在第一方面的另一种可能的实现方式中，还包括第一粗栅段和第二粗栅段，第一粗栅段竖向连接于多个第一副栅段之间，第二粗栅段竖向连接于多个第二副栅段之间。
[0011]在第一方面的另一种可能的实现方式中，还包括第三粗栅段，第三粗栅段竖向设于多个第一副栅段之间和多个第二副栅段的相交处。
[0012]在第一方面的另一种可能的实现方式中，每个副栅的第一副栅段和第二副栅段之间垂直设置。
[0013]第二方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括多个电池模组，每个电池模组包括硅片和透光板，硅片上设有如第一方面中任一项所述的太阳能电池激光掺杂图形结构，透光板设于硅片的表面，透光板上配合副栅和主栅对应的设有折射部，折射部将副栅和主栅正对的光线折射到硅片周围。
[0014]在第二方面的另一种可能的实现方式中，每个电池模组的背面设有用于对电池模组固定的支架，支架将电池模组固定时，主栅位于竖向平面内。
[0015]在第二方面的另一种可能的实现方式中，多个电池模组的呈阵列排列，相邻的电池模组之间形成锯齿状的固定位，相邻的电池模组设于固定位内。
[0016]本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：
[0017]通过将太阳能电池板上的太阳能电池激光掺杂图形结构设计为走向不同的结构，不同走向的太阳能电池激光掺杂图形结构能够在硅片的不同方向上对太阳能电池的功率参数进行优化，即使得太阳能电池激光掺杂图形结构能够按照不同的走向提高太阳能电池的短路电流，提高了太阳能电池的质量的稳定性。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本申请实施例提供的一例太阳能电池激光掺杂图形结构的结构示意图；
[0020]图2是本申请实施例提供的另一例太阳能电池激光掺杂图形结构的结构示意图；
[0021]图3是本申请实施例提供的一例电池模组的仰视立体结构示意图；
[0022]图4是本申请实施例提供的一例太阳能电池的立体结构示意图；
[0023]图5是本申请实施例提供的一例电池模组的分解结构示意图；
[0024]图6是本申请实施例提供的一例透光板对阳光折射的结构示意图；
[0025]图中，100、副栅；110、第一副栅段；111、第一防断栅；120、第二副栅段；121、第二防断栅；200、主栅；210、第一主栅段；220、第二主栅段；230、第三主栅段；310、第一粗栅段；320、第二粗栅段；330、第三粗栅段；400、硅片；500、透光板；510、折射部；600、电池模组；610、支架；620、固定位。
具体实施方式
[0026]为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0027]需要说明的是，当一个部件或结构被称为“固定于”或“设置于”另一个部件或结构，它可以直接在另一个部件或结构上或者间接在该另一个部件或结构上。当一个部件或结构被称为是“连接于”另一个部件或结构，它可以是直接连接到另一个部件或结构或间接连接至该另一个部件或结构上。
[0028]需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或一个部件或结构必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0029]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池激光掺杂图形结构，其特征在于，所述太阳能电池激光掺杂图形结构设于正方形的硅片(400)上，包括多个副栅(100)，每个副栅(100)均包括相互连接的第一副栅段(110)和第二副栅段(120)，每个副栅(100)的所述第一副栅段(110)和所述第二副栅段(120)关于所述硅片(400)的对角线呈轴对称设置，每个第一副栅段(110)和每个第二副栅段(120)与水平方向的夹角均为锐角；还包括主栅(200)，所述主栅(200)包括第一主栅(210)和第二主栅(220)，所述第一主栅(210)竖向连接在多个所述第一副栅段(110)之间，所述第二主栅(220)竖向连接在多个所述第二副栅段(120)之间。2.如权利要求1所述的太阳能电池激光掺杂图形结构，其特征在于，多个所述第一副栅段(110)之间连接有多个第一防断栅(111)，多个所述第一防断栅(111)设于所述第一副栅段(110)远离所述第二副栅段(120)的一端；多个所述第二副栅段(120)之间连接有多个第二防断栅(121)，多个所述第二防断栅(121)所述第二副栅段(120)远离所述第一副栅段(110)的一端。3.如权利要求2所述的太阳能电池激光掺杂图形结构，其特征在于，多个所述第一防断栅(111)在多个所述第一副栅段(110)之间呈间隔设置，多个所述第二防断栅(121)在多个所述第二副栅段(120)之间呈间隔设置。4.如权利要求1所述的太阳能电池激光掺杂图形结构，其特征在于，还包括第三主栅(230)，所述第三主栅(230)竖向设置在每个第一副栅段(110)和每个第二副栅段(120)的相交处。5.如权利要求1所述的太阳能电池激光掺杂图形结构，其特征在于，还包括第一粗栅段...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘尚鹏，蔡岳玮，吴洁静，吴彪，
申请(专利权)人：广东德恒龙焱能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：