一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路制造技术

本发明专利技术属于电力电子产品技术领域，尤其是一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路，包括泄放电阻R1，所述泄放电阻R1的两端并联有二极管D1、二极管D2以及电容C1，所述泄放电阻R1的一侧连接有MOS管Q1的漏极，泄放电阻R1的另一侧连接有泄放电路输入电压VCC，所述MOS管Q1的栅极连接有驱动芯片U1的输出端。本发明专利技术通过在泄放电阻两端并联二级管及电容等元器件抑制开关管的两端产生振荡型的尖峰电压。关管的两端产生振荡型的尖峰电压。关管的两端产生振荡型的尖峰电压。

【技术实现步骤摘要】
一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路


[0001]本专利技术涉及电力电子产品
，尤其涉及一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路。

技术介绍

[0002]泄放电阻在电力电子产品设计中有着广泛的应用，除了消耗电路中储存的多余电荷，避免造成人身伤害和损坏测量设备外，还可以用于稳定电压、保护电容，大功率的泄放电阻自身存在寄生电感和寄生电容，会使得与之串联的开关管两端产生振荡型的尖峰电压，而传统的解决方案一般是在开关管两端并联rcd支路，但是该方案由开关管负责尖峰电压的泄放，使得尖峰电压吸收电路的参数选型需要考虑冲击电流对开关管的影响，因此该部分电路的器件选型需要平衡诸多因素且可能存在牺牲部分尖峰电压的吸收效果。故传统的技术方案中存在调试周期长和尖峰电压吸收效果有限的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0005]一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路，包括泄放电阻R1，所述泄放电阻R1的两端并联有二极管D1、二极管D2以及电容C1，所述泄放电阻R1的一侧连接有MOS管Q1的漏极，泄放电阻R1的另一侧连接有泄放电路输入电压VCC，所述MOS管Q1的栅极连接有驱动芯片U1的输出端。
[0006]优选的，所述二极管D1和二极管D2串联。
[0007]优选的，所述电容C1的一端连接在二极管D1和二极管D2的中间，电容C1的另一端接地。r/>[0008]优选的，所述MOS管Q1的源极接地。
[0009]本专利技术中，所述一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路，通过在泄放电阻的两端并联二极管D1、D2以及电容C1,使其形成完整的充放电回路，在MOS管关断后，泄放电路中寄生电感和寄生电容中储存的能量，从而抑制了与之串联MOS管两端振荡型的尖峰电压；
[0010]本专利技术通过在泄放电阻两端并联二级管及电容等元器件抑制开关管的两端产生振荡型的尖峰电压。
附图说明
[0011]图1为本专利技术提出的一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路的示意图。
具体实施方式
[0012]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0013]参照图1，一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路，包括泄放电阻R1，所述泄放电阻R1的两端并联有二极管D1、二极管D2以及电容C1，所述泄放电阻R1的一侧连接有MOS管Q1的漏极，泄放电阻R1的另一侧连接有泄放电路输入电压VCC，所述MOS管Q1的栅极连接有驱动芯片U1的输出端。
[0014]本专利技术中，所述二极管D1和二极管D2串联。
[0015]本专利技术中，所述电容C1的一端连接在二极管D1和二极管D2的中间，电容C1的另一端接地。
[0016]本专利技术中，所述MOS管Q1的源极接地。
[0017]本专利技术当驱动芯片U1给MOS管的栅极一个高电平信号时，MOS管导通，电路中的需要泄放的能量通过泄放电阻R1以热的形式进行释放，同时完成对泄放电阻的寄生电感和寄生电容的充电。当驱动芯片U1给MOS管的栅极的高电平信号转换为低电平信号时候，MOS管关断。此时，外加电路通过泄放电阻的电流降为零，由于泄放电阻的寄生电感、寄生电容，PCB走线的寄生电感、寄生电容以及MOS的寄生电容之间反复进行充放电，造成尖峰电压并造成震荡。
[0018]在泄放电阻的两端并联二极管D1、D2以及电容C1,使其形成完整的充放电回路，当MOS管导通时，加在泄放电阻两端的电压未到二极管的反向击穿电压，电流只能从泄放电阻流过，完成电路中能量的泄放。当MOS管关断后，泄放电阻的寄生电感、寄生电容，PCB走线的寄生电感、寄生电容以及MOS的寄生电容中储存的能量通过D2对电容C1充电，同时在R1、D2和D1形成的闭合回路中循环，从而抑制了MOS管两端振荡型的尖峰电压。
[0019]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有尖峰电压抑制功能的泄放电路，其特征在于，包括泄放电阻R1，所述泄放电阻R1的两端并联有二极管D1、二极管D2以及电容C1，所述泄放电阻R1的一侧连接有MOS管Q1的漏极，泄放电阻R1的另一侧连接有泄放电路输入电压VCC，所述MOS管Q1的栅极连接有驱动芯片U1的输出端。2.根据权利要求1所述的一种具有尖峰电压抑...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱望，张永恩，刘浩，
申请(专利权)人：新拓尼克北京科技研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：