冷却组件和晶体生长设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种冷却组件和晶体生长设备，冷却组件用于对晶体进行冷却，冷却组件包括集流件和换热件，集流件具有多组通口组，每组通口组包括第一通口组和第二通口组，集流件限定出分隔的第一集流腔和第二集流腔，多组第一通口组均形成于第一集流腔，每组第一通口组包括多个沿周向间隔设置的第一通口，多组第二通口组均形成于第二集流腔，且沿径向内外间隔设置，每组第二通口组包括多个沿周向间隔设置的第二通口，换热件呈环形设置且形成有多个冷却通道，换热件可选择地与任一通口组连通，每个冷却通道连通通口组的对应第一通口和对应第二通口。根据本实用新型专利技术的冷却组件，可以用于对不同直径的晶体进行冷却，具有良好的适配性。适配性。适配性。

【技术实现步骤摘要】
冷却组件和晶体生长设备


[0001]本技术涉及晶体生长
，尤其是涉及一种冷却组件和晶体生长设备。

技术介绍

[0002]相关技术中，晶体生长设备中，为适应热场温度梯度的变化和晶体拉速的要求，冷却组件的尺寸设计相对固定；但在实际硅单晶拉制过程中，为适应市场需求经常遇到拉制不同直径的晶体(例如单晶硅棒)，因此晶体生长设备需要整体更换冷却组件，增加了生产成本，且降低了生产效率。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种冷却组件，所述冷却组件可以用于对不同直径的晶体进行冷却，具有良好的适配性。
[0004]本技术还提出一种具有上述冷却组件的晶体生长设备。
[0005]根据本技术第一方面实施例的冷却组件，所述冷却组件用于晶体生长设备，且用于对晶体进行冷却，所述冷却组件包括：集流件，所述集流件具有多组通口组，每组所述通口组包括第一通口组和第二通口组，所述集流件限定出分隔的第一集流腔和第二集流腔，多组所述第一通口组均形成于所述第一集流腔，且沿径向内外间隔设置，每组所述第一通口组包括多个沿周向间隔设置的第一通口，多组所述第二通口组均形成于第二集流腔，且沿径向内外间隔设置，每组所述第二通口组包括多个沿周向间隔设置的第二通口；多个换热件，所述换热件呈环形设置且与对应所述通口组可分离配合，所述换热件形成有多个冷却通道，每个所述冷却通道适于与对应所述第一通口和对应所述第二通口分别连通，其中，多个所述换热件可选择地与所述集流件配合，任意两个所述换热件的内径不等。
[0006]根据本技术实施例的冷却组件，通过集流件具有多组通口组，每组通口组包括形成于第一集流腔的第一通口组和形成于第二集流腔的第二通口组，多组第一通口组沿径向间隔设置，多组第二通口组沿径向间隔设置，每个通口组与对应换热件可分离配合，且多个换热件可选择地与集流件配合，使得不同换热件与集流件配合时，可以使得冷却组件用于对不同直径的晶体进行冷却，具有良好的适配性，有效降低生产成本、提升生产效率。
[0007]在一些实施例中，同一所述通口组的所述第一通口组和所述第二通口组位于同一圆柱面上。
[0008]在一些实施例中，位于同一圆柱面上的多个所述第一通口和多个所述第二通口沿周向交替设置，相邻所述第一通口和所述第二通口连通同一所述冷却通道。
[0009]在一些实施例中，径向外侧的所述通口组的所述第一通口和所述第二通口的数量之和大于径向内侧的所述通口组的所述第一通口和所述第二通口的数量之和。
[0010]在一些实施例中，所述冷却通道包括弯折相连的第一通道段和第二通道段，所述第一通道段和所述第二通道段均沿轴向延伸。
[0011]在一些实施例中，所述集流件呈环形设置，所述第一集流腔和所述第二集流腔分
别呈环形设置，所述第一集流腔的至少部分和所述第二集流腔的至少部分沿所述集流件的轴向依次设置。
[0012]在一些实施例中，所述第一集流腔的至少部分位于所述第二集流腔的上侧，所述第一通口形成在所述第一集流腔的底壁上，所述第一通口处设有第一连通管，所述第一连通管穿设于所述第二集流腔且伸出所述第二集流腔，所述第二通口形成在所述第二集流腔的底壁上，所述第二通口处设有第二连通管，所述第二连通管的至少部分伸出所述第二集流腔。
[0013]在一些实施例中，所述换热件包括多个沿周向间隔设置的换热管，每个所述换热管限定出一个冷却通道，且每个所述换热管与对应所述第连通管和对应所述第二连通管分别可拆卸配合。
[0014]在一些实施例中，所述换热管的长度两端分别具有扩口部，所述扩口部套设于所述第一连通管或所述第二连通管的外侧，且与所述第一连通管或所述第二连通管卡接。
[0015]根据本技术第二方面实施例的晶体生长设备，包括：进液管路和出液管路；冷却组件，所述冷却组件为根据本技术上述第一方面实施例的冷却组件，所述第一集流腔和所述第二集流腔中的其中一个与所述进液管路连通，另一个与所述出液管路连通。
[0016]根据本技术实施例的晶体生长设备，通过采用上述的冷却组件，可以实现对不同直径晶体的冷却，节约生产成本。
[0017]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0018]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1是根据本技术一个实施例的冷却组件的示意图；
[0020]图2是图1中所示的冷却组件的周向展开示意图；
[0021]图3是图2中所示的集流件的示意图；
[0022]图4是图2中所示的换热管的示意图；
[0023]图5是根据本技术另一个实施例的示意图；
[0024]图6是沿图5中A
‑
A线的使用状态示意图；
[0025]图7是沿图5中B
‑
B线的使用状态示意图。
[0026]附图标记：
[0027]冷却组件100、进液管路101、出液管路102、
[0028]集流件1、贯通通道F、第一集流腔1a、第二集流腔1b、
[0029]通口组10a、第一通口组10b、第一通口10c、第二通口组10d、第二通口10e、
[0030]第一连通管11、第二连通管12、
[0031]换热件2、冷却通道2a、第一通道段2b、第二通道段2c、
[0032]换热管21、限位部211、限位台阶211a。
具体实施方式
[0033]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0034]下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。
[0035]下面，参考附图，描述根据本技术第一方面实施例的冷却组件100。其中，冷却组件100用于晶体生长设备，且冷却组件100用于对晶体进行冷却。
[0036]如图1和图2所示，冷却组件100包括集流件1，集流件1具有多组通口组10a，每组通口组10a包括第一通口组10b和第二通口组10d，集流件1限定出分隔的第一集流腔1a和第二集流腔1b，则第一集流腔1a和第二集流腔1b隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种冷却组件(100)，其特征在于，所述冷却组件(100)用于晶体生长设备，且用于对晶体进行冷却，所述冷却组件(100)包括：集流件(1)，所述集流件(1)具有多组通口组(10a)，每组所述通口组(10a)包括第一通口组(10b)和第二通口组(10d)，所述集流件(1)限定出分隔的第一集流腔(1a)和第二集流腔(1b)，多组所述第一通口组(10b)均形成于所述第一集流腔(1a)，且沿径向内外间隔设置，每组所述第一通口组(10b)包括多个沿周向间隔设置的第一通口(10c)，多组所述第二通口组(10d)均形成于所述第二集流腔(1b)，且沿径向内外间隔设置，每组所述第二通口组(10d)包括多个沿周向间隔设置的第二通口(10e)；多个换热件(2)，所述换热件(2)呈环形设置且与对应所述通口组(10a)可分离配合，所述换热件(2)形成有多个冷却通道(2a)，每个所述冷却通道(2a)适于与对应所述第一通口(10c)和对应所述第二通口(10e)分别连通，其中，多个所述换热件(2)可选择地与所述集流件(1)配合，任意两个所述换热件(2)的内径不等。2.根据权利要求1所述的冷却组件(100)，其特征在于，同一所述通口组(10a)的所述第一通口组(10b)和所述第二通口组(10d)位于同一圆柱面上。3.根据权利要求2所述的冷却组件(100)，其特征在于，位于同一圆柱面上的多个所述第一通口(10c)和多个所述第二通口(10e)沿周向交替设置，相邻所述第一通口(10c)和所述第二通口(10e)连通同一所述冷却通道(2a)。4.根据权利要求2所述的冷却组件(100)，其特征在于，径向外侧的所述通口组(10a)的所述第一通口(10c)和所述第二通口(10e)的数量之和大于径向内侧的所述通口组(10a)的所述第一通口(10c)和所述第二通口(10e)的数量之和。5.根据权利要求1所述的冷却组件(100)，其特征在于，所述冷却通道(2a)包括弯折相连的第一通道段(2b)和第二通道段(2c)，所述第一通道段(2b)和所述第二通道段(2c)均沿轴向...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊宏，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：