一种5G用LTCC双工器制造技术

技术编号:35777159 阅读:26 留言:0更新日期:2022-12-01 14:21
一种5G用LTCC双工器,包括基体、设置在基体外侧四周的接线端头和设置在基体内部的电路层,所述的基体内部的电路层呈叠层结构,该双工器采用集总参数设计的特殊结构,由低通滤波器和带通滤波器组合而成,低通滤波器主要分离出低频段信号,带通滤波器主要分离出高频段信号,本发明专利技术有效实现了低频信号和高频信号的分频功能,具有低损耗、高抑制、高隔离、高可靠性、低成本、一致性优良和适合于大规模的生产等优点,另外还适应了新的电子元件集成化、小型化的发展趋势。型化的发展趋势。型化的发展趋势。

【技术实现步骤摘要】
一种5G用LTCC双工器


[0001]本专利技术涉及5G用新型LTCC双工器,用于5G移动通讯设备、平板电脑以及其他各种通讯设备的无线连接。

技术介绍

[0002]低温共烧陶瓷(Low Temperature Co

fired Ceramic,LTCC)技术即是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带,作为电路基板材料,在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形,并将多个无源原件埋入其中,然后叠压在一起,在900℃左右烧结,制成独立的单个无源器件。
[0003]随着5G技术的普及推广,移动通讯对电子元器件的性能多样性、封装尺寸小型化、高可靠性等提出了迫切需求。以LTCC技术为基础设计和生产制造的射频微波元件包括滤波器、双工器、天线、耦合器、巴伦、接收前端模组、天线开关模组等,因其具有良好的高频特性、高速传输性、高集成度、高可靠性等优点,被广泛应用于各种通讯设备。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种5G用LTCC低插损、高抑制双工器,该双工器采用集总参数设计的特殊结构,由低通滤波器和带通滤波器组合而成,低通滤波器主要分离出低频段信号,带通滤波器主要分离出高频段信号,此款双工器具有低损耗、高抑制、高隔离度等优势。
[0005]本专利技术解决其技术问题采用的技术方案是:一种新型LTCC低插损、高抑制双工器,包括基体、设置在基体外侧四周的接线端头和设置在基体内部的电路层,所述的基体内部的电路层呈叠层结构。
[0006]本专利技术提供的5G用LTCC双工器,信号由

端口进入后至

端口输出,此条链路为第二低通滤波器,分离出低频段信号;信号由

端口进入到

端口输出,此条链路为带通滤波器,分出高频段信号。该高频段带通滤波器由一个第一高通滤波器和一个第一低通滤波器组合而成,其中第一高通滤波器由电感L1和电容C1、C2、C3构成,且C3为C1、C2的跨接电容,有效提高了高频段带通滤波器在低频段的阻带衰减;第一低通滤波器则是由电感L2、L3和电容C4、C5、C6、C7组构成,L2和C4、L3和C5分别形成并联谐振,在带通滤波器的高频段上形成两个阻带衰减零点,有效提高了带通滤波器在高频段的阻带衰减。低频段信号则由第二低通滤波器进行分离,其第二低通滤波器由电感L4、L5和电容C8、C9、C10构成,且电感L5与电容C8并联谐振形成一个传输零点,有效提高了低频段信号在高端的阻带衰减。
[0007]其中第一端口

构成双工器的公共端口,其中第二端口

为低频段输入/输出端口,第三端口

为高频段输入/输出端口。
[0008]所述双工器包括有包括基体,所述的基体外侧设有第一接地端口(P1)、第二接地端口(P3)、第三接地端口(P5)、公共端口(P2)、低频段带通输入/输出端口(P4)和高频段输入/输出端口(P6),所述的基体内部介于公共端口(P2)和高频段输入/输出端口(P6)之间设有用于分出高频段信号第一带通滤波器,所述的基体内部介于公共端口(P2)和低频段带通
输入/输出端口(P4)之间设有分离出低频段信号的第二低通滤波器,Mark为其方向标识,所述的基体内部设有十二层呈叠层结构的电路层;
[0009]一种5G用LTCC双工器,所述双工器包括有包括基体,所述的基体外侧设有第一接地端口(P1)、第二接地端口(P3)、第三接地端口(P5)、公共端口(P2)、低频段带通输入/输出端口(P4)和高频段输入/输出端口(P6),所述的基体内部介于公共端口(P2)和高频段输入/输出端口(P6)之间设有用于分出高频段信号第一带通滤波器,所述的基体内部介于公共端口(P2)和低频段带通输入/输出端口(P4)之间设有分离出低频段信号的第二低通滤波器,所述的基体内部设有十二层呈叠层结构的电路层;其中,
[0010]第一层(1),在陶瓷介质基板上印制三块相互独立的第一层第一金属导体电容基片(1

1)、第一层第二金属导体电容基片(1

2a&1

2b)、第一层第三金属导体电容基片(1

3),该层设置的第一层第一连接端点(1a)、第一层第二连接端点(1b)、第一层第三连接端点(1c)、第一层第四连接端点(1d)、第一层第五连接端点(1e)、第一层第六连接端点(1f)分别与端口高频段输入/输出端口(P6)、第三接地端口(P5)、低频段带通输入/输出端口(P4)、第二接地端口(P3)、公共端口(P2)、第一接地端口(P1)连接;
[0011]第二层(2),在陶瓷介质基板上印制有五块相互绝缘金属平面导体,分别为第二层第一电容基片(2

1)、第二层第二电容基片(2

2)、第二层第三电容基片(2

3)、第二层第四电容基片(2

4)和第二层第一假连接端(2b),其中第二层第一电容基片(2

1)通过第二层第一连接端点(2a)与高频段输入/输出端口(P6)相连,第二层第二假连接端(2b)与第一接地端口(P1)相连;
[0012]第三层(3),在陶瓷介质基板上印制有六块相互绝缘的金属平面导体,分别为第三层第一电容基片(3

1)、第三层第二电容基片(3

2)、第三层第三电容基片(3

3)、第三层第四电容基片(3

4)、第三层第五电容基片(3

5)和第三层第一假连接端(3c),还设有第一金属过孔(13)和第二金属过孔(14),其中第三层第一电容基片(3

1)与第四金属过孔(16)相连,第三层第一连接端点(3a)、第三层第二连接端点(3b)、第三层第一假连接端(3c)、第三层第四连接端点(3d)分别和第三接地端口(P5)、低频段带通输入/输出端口(P4)、第二接地端口(P3)、公共端口(P2)相连,第三层第五电容基片(3

5a)通过第三金属过孔(15)和第二层第二电容基片(2

2)相连;
[0013]第四层(4),在陶瓷介质基板上印制有四块相互绝缘金属平面导体,分别为第四层第一电容基片(4

1)、第四层第二电容基片(4

2a&4

2b)、第四层第三电容基片(4

3)和第四层第四电容基片(4

4),该层还通过有第四金属过孔(16)和第五金属过孔(17),该层上的第四层第一连接端点(4a)与高频段输入/输出端口(P6)相连接,第四层第二连接端点(4b)与第三接地端口(P5)连接,第四层第三连接端点(4c)与第一接地端口(P1)连接,第四层第四连接端点(4d)与公共端口(P2)连接,第四层本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G用LTCC双工器,其特征在于,所述双工器包括有包括基体,所述的基体外侧设有第一接地端口(P1)、第二接地端口(P3)、第三接地端口(P5)、公共端口(P2)、低频段带通输入/输出端口(P4)和高频段输入/输出端口(P6),所述的基体内部介于公共端口(P2)和高频段输入/输出端口(P6)之间设有用于分出高频段信号第一带通滤波器,所述的基体内部介于公共端口(P2)和低频段带通输入/输出端口(P4)之间设有分离出低频段信号的第二低通滤波器,所述的基体内部设有十二层呈叠层结构的电路层;其中,第一层(1),在陶瓷介质基板上印制三块相互独立的第一层第一金属导体电容基片(1

1)、第一层第二金属导体电容基片(1

2a&1

2b)、第一层第三金属导体电容基片(1

3),该层设置的第一层第一连接端点(1a)、第一层第二连接端点(1b)、第一层第三连接端点(1c)、第一层第四连接端点(1d)、第一层第五连接端点(1e)、第一层第六连接端点(1f)分别与端口高频段输入/输出端口(P6)、第三接地端口(P5)、低频段带通输入/输出端口(P4)、第二接地端口(P3)、公共端口(P2)、第一接地端口(P1)连接;第二层(2),在陶瓷介质基板上印制有五块相互绝缘金属平面导体,分别为第二层第一电容基片(2

1)、第二层第二电容基片(2

2)、第二层第三电容基片(2

3)、第二层第四电容基片(2

4)和第二层第一假连接端(2b),其中第二层第一电容基片(2

1)通过第二层第一连接端点(2a)与高频段输入/输出端口(P6)相连,第二层第二假连接端(2b)与第一接地端口(P1)相连;第三层(3),在陶瓷介质基板上印制有六块相互绝缘的金属平面导体,分别为第三层第一电容基片(3

1)、第三层第二电容基片(3

2)、第三层第三电容基片(3

3)、第三层第四电容基片(3

4)、第三层第五电容基片(3

5)和第三层第一假连接端(3c),还设有第一金属过孔(13)和第二金属过孔(14),其中第三层第一电容基片(3

1)与第四金属过孔(16)相连,第三层第一连接端点(3a)、第三层第二连接端点(3b)、第三层第一假连接端(3c)、第三层第四连接端点(3d)分别和第三接地端口(P5)、低频段带通输入/输出端口(P4)、第二接地端口(P3)、公共端口(P2)相连,第三层第五电容基片(3

5a)通过第三金属过孔(15)和第二层第二电容基片(2

2)相连;第四层(4),在陶瓷介质基板上印制有四块相互绝缘金属平面导体,分别为第四层第一电容基片(4

1)、第四层第二电容基片(4

2a&4

2b)、第四层第三电容基片(4

3)和第四层第四电容基片(4

4),该层还通过有第四金属过孔(16)和第五金属过孔(17),该层上的第四层第一连接端点(4a)与高频段输入/输出端口(P6)相连接,第四层第二连接端点(4b)与第三接地端口(P5)连接,第四层第三连接端点(4c)与第一接地端口(P1)连接,第四层第四连接端点(4d)与公共端口(P2)连接,第四层第一电容基片(4

1)通过第一金属过孔(13)连接到第二层第三电容基片(2

3);第五层(5),在陶瓷介质基板上印制有两个相互绝缘的第五层第一电容基片(5

1)和第五层第二电容基片(5

2),还通过有第五金属过孔(17)、第六金属通孔(18)和第七金属通孔(19),第五层第一电容基片(5

1)和第四金属过孔(16)相连接,且第五层第一连接端点(5a)与低频段带通输入/输出端口(P4)相连接,第五层第二连接端点(5b)与低频段带通输入/输出端口(P4)相连接;第六层(6),在陶瓷介质基板上印制有两个相互绝缘金属线圈,分别为第六层第一电感线圈(6

1&6

2)和第六层第二电感线圈(6

3),还设有第五金属过孔(17)和第七金属通孔
(19),其中该层的第六层第一连接端点(6

1a)、第六层第二连接端点(6

1b)、第六层第三连接端点(6

2a)分别与第八金属过孔(20)、第十金属过孔(22)、第九金属过孔(21)相连接,其中该层的第六层第四连接端点(6

...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁启新付迎华简丽勇周志斌
申请(专利权)人:深圳市麦捷微电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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