一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路制造技术

技术编号:35772218 阅读:23 留言:0更新日期:2022-12-01 14:14
本实用新型专利技术公开了一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路,涉及IGBT保护技术领域,包括电源模块,用于供电;输入尖峰抑制模块,用于通过软开关电路进行输入尖峰电压抑制和电压变换;输出模块,用于电能输出;尖峰电压吸收模块,用于吸收IGBT工作时的尖峰电压;采样比较模块,用于对IGBT的电压进行采样并进行过压检测;隔离尖峰电压保护模块,用于隔离吸收和消耗尖峰电压。本实用新型专利技术抑制IGBT尖峰电压的保护电路采用输入尖峰抑制模块对输入电压进行尖峰电压抑制,避免由于输入电源的不稳定导致的尖峰电压的产生,对IGBT产生的尖峰电压进行初步吸收处理,并进行尖峰过压检测,由隔离尖峰电压保护模块实现隔离尖峰电压保护控制。护模块实现隔离尖峰电压保护控制。护模块实现隔离尖峰电压保护控制。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路


[0001]本技术涉及IGBT保护
,具体是一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路。

技术介绍

[0002]IGBT是一种功率晶体管,运用此种晶体设计的电源设备可有效提升产品效能,使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点,在电路应用中,由于输入源环路响应不及时,IGBT开关闭合瞬间接触不好等因数,都将造成过大的尖峰电压,触发后续电路的过压保护工作,甚至导致电路元器件的损坏,现有的IGBT尖峰电压保护电路大多采用阻容吸收电路对尖峰电压进行吸收,避免对IGBT的损坏,但是传统的阻容吸收电路效果有限,吸收后的尖峰电压仍然处于较高水平而导致IGBT的损坏,因此有待改进。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]依据本技术实施例中,提供一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路,该抑制IGBT尖峰电压的保护电路包括:电源模块,输入尖峰抑制模块,输出模块,IGBT模块,尖峰电压吸收模块,采样比较模块,隔离尖峰电压保护模块,报警模块;
[0005]所述电源模块,用于提供所需的电能;
[0006]所述输入尖峰抑制模块,与所述电源模块连接,用于通过软开关电路的方式对输入的电能进行输入尖峰电压抑制处理和DC

DC变换处理;
[0007]所述输出模块,与所述输入尖峰抑制模块连接,用于接收处理后的电能并输出;
[0008]所述IGBT模块,与所述输入尖峰抑制模块和输出模块连接,用于调节IGBT的导通角并调节输入的电能情况;
[0009]所述尖峰电压吸收模块,与所述IGBT模块连接,用于吸收所述IGBT模块工作时产生的尖峰电压;
[0010]所述采样比较模块,与所述IGBT模块连接,用于对输入所述IGBT模块的电压进行采样,用于设定尖峰电压控制阈值并输出控制信号;
[0011]所述隔离尖峰电压保护模块,与所述输入尖峰抑制模块连接,用于接收所述控制信号并隔离吸收和消耗尖峰电压,用于进行过压保护处理;
[0012]所述报警模块,与所述采样比较模块连接,用于接收所述控制信号并进行过压报警。
[0013]与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术抑制IGBT尖峰电压的保护电路采用输入尖峰抑制模块对电源模块输出的电压进行尖峰电压抑制,避免由于输入电源的不稳定导致的尖峰电压的产生,保护后续电路的正常进行,并通过尖峰电压吸收模块对IGBT模块产生的尖峰电压进行初步吸收处理,降低尖峰电压的影响,同时由采样比较模块进行尖峰过压检测,并由隔离尖峰电压保护模块实现隔离尖峰电压保护控制,提高IGBT
模块工作时的安全系数,降低尖峰电压对电路的影响。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案,下面将对本技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本技术实例提供的一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路的原理方框示意图。
[0016]图2为本技术实例提供的一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路的电路图。
[0017]图3为本技术实例提供的报警模块的连接电路图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0019]实施例1,请参阅图1,一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路包括:电源模块1,输入尖峰抑制模块2,输出模块3,IGBT模块4,尖峰电压吸收模块5,采样比较模块6,隔离尖峰电压保护模块7,报警模块8;
[0020]具体地,所述电源模块1,用于提供所需的电能;
[0021]输入尖峰抑制模块2,与所述电源模块1连接,用于通过软开关电路的方式对输入的电能进行输入尖峰电压抑制处理和DC

DC变换处理;
[0022]输出模块3,与所述输入尖峰抑制模块2连接,用于接收处理后的电能并输出;
[0023]IGBT模块4,与所述输入尖峰抑制模块2和输出模块3连接,用于调节IGBT的导通角并调节输入的电能情况;
[0024]尖峰电压吸收模块5,与所述IGBT模块4连接,用于吸收所述IGBT模块4工作时产生的尖峰电压;
[0025]采样比较模块6,与所述IGBT模块4连接,用于对输入所述IGBT模块4的电压进行采样,用于设定尖峰电压控制阈值并输出控制信号;
[0026]隔离尖峰电压保护模块7,与所述输入尖峰抑制模块2连接,用于接收所述控制信号并隔离吸收和消耗尖峰电压,用于进行过压保护处理;
[0027]报警模块8,与所述采样比较模块6连接,用于接收所述控制信号并进行过压报警。
[0028]在具体实施例中,上述电源模块1可采用直流电源,在此不做赘述;上述输出模块3为电能的输出处理部分,在此不做赘述。
[0029]进一步地,所述输入尖峰抑制模块2包括第一电感L1、第一电容C1、第一二极管D1、第二二极管D2、第二电感L2、第三电感L3、第二电容C2;
[0030]具体地,所述第一电感L1的一端连接所述电源模块1的第一端,第一电感L1的另一端连接第二二极管D2的阳极、第一二极管D1的阳极和第一电容C1的第一端,第一电容C1的
第二端连接第三电感L3的一端,第三电感L3的另一端连接第二二极管D2的阴极和第二电容C2的一端并通过第二电感L2连接第一二极管D1的阴极,第二电容C2的另一端连接所述电源模块1的第二端。
[0031]在具体实施例中,上述第二电感L2和第三电感L3均可采用漏感;上述第二二极管D2用于改善存在的尖峰电压,使尖峰电压被钳位至一定值。
[0032]进一步地,所述IGBT模块4包括IGBT;所述尖峰电压吸收模块5包括第一稳压管VD1、第二稳压管VD2、第一电阻R1、第三电容C3;
[0033]具体地,所述IGBT的集电极连接所述第一电容C1的第二端、第一稳压管VD1的阳极和第一电阻R1的一端,IGBT的发射极连接所述电源模块1的第二端和第三电容C3的一端,第三电容C3的另一端连接第一电阻R1的另一端和第二稳压管VD2的阴极,第二稳压管VD2的阳极连接第一稳压管VD1的阴极。
[0034]在具体实施例中,上述第一稳压管VD1、第二稳压管VD2、第一电阻R1、第三电容C3组成DCR吸收电路,吸收IGBT模块4闭断时产生的尖峰电压。
[0035]进一步地,所述采本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路,其特征在于,该抑制IGBT尖峰电压的保护电路包括:电源模块,输入尖峰抑制模块,输出模块,IGBT模块,尖峰电压吸收模块,采样比较模块,隔离尖峰电压保护模块,报警模块;所述电源模块,用于提供所需的电能;所述输入尖峰抑制模块,与所述电源模块连接,用于通过软开关电路的方式对输入的电能进行输入尖峰电压抑制处理和DC

DC变换处理;所述输出模块,与所述输入尖峰抑制模块连接,用于接收处理后的电能并输出;所述IGBT模块,与所述输入尖峰抑制模块和输出模块连接,用于调节IGBT的导通角并调节输入的电能情况;所述尖峰电压吸收模块,与所述IGBT模块连接,用于吸收所述IGBT模块工作时产生的尖峰电压;所述采样比较模块,与所述IGBT模块连接,用于对输入所述IGBT模块的电压进行采样,用于设定尖峰电压控制阈值并输出控制信号;所述隔离尖峰电压保护模块,与所述输入尖峰抑制模块连接,用于接收所述控制信号并隔离吸收和消耗尖峰电压,用于进行过压保护处理;所述报警模块,与所述采样比较模块连接,用于接收所述控制信号并进行过压报警。2.根据权利要求1所述的一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路,其特征在于,所述输入尖峰抑制模块包括第一电感、第一电容、第一二极管、第二二极管、第二电感、第三电感、第二电容;所述第一电感的一端连接所述电源模块的第一端,第一电感的另一端连接第二二极管的阳极、第一二极管的阳极和第一电容的第一端,第一电容的第二端连接第三电感的一端,第三电感的另一端连接第二二极管的阴极和第二电容的一端并通过第二电感连接第一二极管的阴极,第二电容的另一端连接所述电源模块的第二端。3.根据权利要求2所述的一种抑制IGBT尖峰电压的保护电路,其特征在于,所述IGBT模块包括IGBT;所述尖峰电压吸收模块包括第一稳压管、第二稳压管、第一电阻、第三电容;所述IGBT的集电极连接所述第一电容的第...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾广磊刘幼林何山林
申请(专利权)人:上海英同电气有限公司
类型:新型
国别省市:

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