制造海尔贝克磁铁阵列体的方法技术

提供能够容易地制造表面和背面的磁通密度之比大的海尔贝克磁铁阵列体的方法。一种海尔贝克磁铁阵列体的制造方法，依次包含步骤(a)和步骤(b)，所述步骤(a)是将至少2个第1磁性体片在与第1方向平行的方向上进行起磁的步骤，所述步骤(b)是将至少1个第2磁性体片在与第2方向平行的方向上进行起磁的步骤，所述第2方向与所述第1方向垂直。所述第1磁性体片和所述第2磁性体片在所述第2方向上交替地配置，所述第1磁性体片各自与相邻的第2磁性体片粘接。所述第1磁性体片具有与所述第1方向平行的易磁化轴，所述第2磁性体片具有与所述第2方向平行的易磁化轴。所述起磁在所述第1磁性体片的剩余磁化率r1比所述第2磁性体片的剩余磁化率r2高的条件下进行。r2高的条件下进行。

【技术实现步骤摘要】
制造海尔贝克磁铁阵列体的方法


[0001]本专利技术涉及制造海尔贝克磁铁阵列体的方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载了一种包含多个永久磁铁的海尔贝克(Halbach)磁路，所述永久磁铁具有在相互不同的方向上被磁化了的多个区域。
[0003]海尔贝克磁路，一般地如图1所示，包含在一个方向上排列的多个永久磁铁，相邻的永久磁铁的磁化方向构成规定的角度(例如90
°
)。通过这样的排列，海尔贝克磁路的一面(表面)具有高的表面磁通量(表面磁通密度)，相反面(背面)具有低的表面磁通量或理想地表面磁通量为零。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2018－092988号公报

技术实现思路

[0007]在将磁化了的多个磁铁粘接来制造海尔贝克磁路的情况下，由于磁铁间的排斥，难以进行准确的位置控制，需要大的外力。因此，这样的制造方法不适合于量产工艺。另一方面，在将未起磁的多个磁性体粘接后，将各磁性体在规定的方向上磁化来制造海尔贝克磁路的情况、以及如专利文献1那样在1个永久磁铁中形成在相互不同的方向上被磁化了的多个区域来制造海尔贝克磁路的情况下，具有海尔贝克磁路的表面和背面的磁通密度之比小的倾向。
[0008]因此，提供能够容易地制造表面和背面的磁通密度之比大的海尔贝克磁铁阵列体的方法。
[0009]根据本专利技术的一方式，提供一种制造海尔贝克磁铁阵列体的方法，该方法依次包含：
[0010]a)将至少2个第1磁性体片在与第1方向平行的方向上进行起磁的步骤，
[0011]其中，所述至少2个第1磁性体片与至少1个第2磁性体片在与所述第1方向垂直的第2方向上交替地配置，
[0012]所述至少2个第1磁性体片各自与相邻的第2磁性体片粘接，
[0013]所述至少2个第1磁性体片具有与所述第1方向平行的易磁化轴，
[0014]所述至少1个第2磁性体片具有与所述第2方向平行的易磁化轴，
[0015]在所述至少2个第1磁性体片和所述至少1个第2磁性体片满足下述式(1)的条件下进行所述起磁，
[0016]r1＞r2...(1)
[0017]在式(1)中，r1是所述至少2个第1磁性体片的剩余磁化率，用下述式(2)表示，r2是所述至少1个第2磁性体片的剩余磁化率，用下述式(3)表示，
[0018]r1＝Br1/Brs1...(2)
[0019]在式(2)中，Br1表示对所述至少2个第1磁性体片施加了与其易磁化轴平行的外部磁场时的剩余磁化强度(residual magnetization)，Brs1表示所述至少2个第1磁性体片的饱和剩余磁化强度(saturated residual magnetization)，
[0020]r2＝Br2/Brs2...(3)
[0021]在式(3)中，Br2表示对所述至少1个第2磁性体片施加了与其易磁化轴平行的外部磁场时的剩余磁化强度，Brs2表示所述至少1个第2磁性体片的饱和剩余磁化强度；和
[0022]b)将所述至少1个第2磁性体片在与所述第2方向平行的方向上进行起磁的步骤。
[0023]根据本专利技术的制造方法，能够容易地制造表面和背面的磁通密度之比大的海尔贝克磁铁阵列体。
附图说明
[0024]图1是示意地表示海尔贝克磁铁阵列体的一例的图。
[0025]图2是实施方式涉及的制造方法的流程图。
[0026]图3是示意地表示供于将第1磁性体片进行起磁的步骤的阵列体的一例的图。
[0027]图4是表示在实施例中使用的第1磁性体片和第2磁性体片的起磁特性的曲线图。
[0028]图5是表示在实施例中使用的第3磁性体片的起磁特性的曲线图。
[0029]图6是表示实施例1和比较例1、2的试验体的表面的磁通量相对于表面和背面的磁通量之和的比以及背面的磁通量相对于表面和背面的磁通量之和的比的图。
[0030]图7是表示实施例2和比较例3、4的试验体的表面的磁通量相对于表面和背面的磁通量之和的比以及背面的磁通量相对于表面和背面的磁通量之和的比的图。
[0031]附图标记说明
[0032]1：第1磁性体片；2：第2磁性体片；10：阵列体；20：海尔贝克磁铁阵列体。
具体实施方式
[0033]以下，适当参照附图来说明实施方式。本专利技术不限于以下的实施方式，能够在不脱离权利要求书所记载的本专利技术的精神的范围内进行各种的设计变更。再者，在以下的说明中参照的附图中，对相同的构件或具有同样的功能的构件标注相同的标记，有时省略重复的说明。另外，为了便于说明，有时附图的尺寸比率与实际的比率不同、构件的一部分在附图中省略等等。另外，在本申请中，使用符号“～”表示的数值范围包含在符号“～”的前后记载的数值来分别作为下限值以及上限值。
[0034]海尔贝克磁铁阵列体的制造方法，如图2所示，包含将第1磁性体片进行起磁的步骤(S1)和将第2磁性体片进行起磁的步骤(S2)。
[0035]a)第1磁性体片的起磁
[0036]首先，准备至少2个未起磁的第1磁性体片和至少1个未起磁的第2磁性体片。第1磁性体片和第2磁性体片包含永久磁铁材料。作为永久磁铁材料，可列举例如Nd－Fe－B系磁铁材料、Sm－Co系磁铁材料、Sm－Fe－N系磁铁材料、铁氧体系磁铁材料、Al－Ni－Co系磁铁材料。第1磁性体片和第2磁性体片具有磁各向异性。即，第1磁性体片和第2磁性体片分别具有易磁化轴和难磁化轴。第1磁性体片和第2磁性体片可以具有任意的形状，例如可以为大
致矩形形状。第1磁性体片1和第2磁性体片2能够使用一般公知的制造方法来制造。作为第1磁性体片1和第2磁性体片2，也可以使用市售的磁性体片。
[0037]如图3所示，将第1磁性体片1和第2磁性体片2在规定的方向上交替地配置，将相邻的第1磁性体片1和第2磁性体片2粘接，得到阵列体10。在图3中，3个第1磁性体片1和2个第2磁性体片2交替地配置，但如果能够将第1磁性体片1和第2磁性体片2交替地配置，则至少2个第1磁性体片可以包含多于或少于3个的第1磁性体片1，至少1个第2磁性体片可以包含多于或少于2个的第2磁性体片2。第1磁性体片1和第2磁性体片2可以使用任意的粘接剂(adhesive agent)粘接。
[0038]在阵列体10中，第1磁性体片1的易磁化轴(在图3中，用空白箭头表示)与第1方向(图3的Z方向)平行，第2磁性体片2的易磁化轴(在图3中，用空白箭头表示)与第2方向(图3的X方向)平行。在此，第1方向和第2方向相互垂直。另外，第2方向与第1磁性体片1及第2磁性体片2的排列方向平行。
[0039]接着，将阵列体10的第1磁性体片1在与第1方向平行的方向上进行起磁。隔着1个第2磁性体片2而彼此相邻的第1磁性体片1的磁化方向相差180
°
。
[0040]第1磁性体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造海尔贝克磁铁阵列体的方法，该方法依次包含步骤a和步骤b，所述步骤a是将至少2个第1磁性体片在与第1方向平行的方向上进行起磁的步骤，其中，所述至少2个第1磁性体片与至少1个第2磁性体片在与所述第1方向垂直的第2方向上交替地配置，所述至少2个第1磁性体片各自与相邻的第2磁性体片粘接，所述至少2个第1磁性体片具有与所述第1方向平行的易磁化轴，所述至少1个第2磁性体片具有与所述第2方向平行的易磁化轴，在所述至少2个第1磁性体片和所述至少1个第2磁性体片满足下述式(1)的条件下进行所述起磁，r1＞r2
ꢀ…
(1)在式(1)中，r1是所述至少2个第1磁性体片的剩余磁化率，用下述式(2)表示，r2是所述至少1个第2磁性体片的剩余磁化率，用下述式(3)表示，r1＝Br1/Brs1
ꢀ…
(2)在式(2)中，Br1表示对所述至少2个第1磁性体片施加了与其易磁化轴平行的外部磁场时的剩余磁化强度，Brs1表示所述至少2个第1磁性体片的饱和剩余磁化强度，r2＝Br2/Brs2
ꢀ…
(3)在式(3)中，Br2表示对所述至少1个第2磁性体片施加了与其易磁化轴平行的外部磁场时的剩余磁化强度，Brs2表示所述至少1个第2磁性体片的饱和剩余磁化强度；所述步骤b是将所述至少1个第2磁性体片在与所述第2方向平行的方向上进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：金田敬右，坂口丽美，伊东正朗，野村卓也，一期崎大辅，平冈基记，秋田光俊，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：