漂移感知读取操作制造技术

本公开的实施例涉及漂移感知读取操作。用以读取具有相关联参考存储器单元的目标存储器单元的系统、方法和设备，所述相关联参考存储器单元被配置成表示所述目标存储器单元的阈值电压中的漂移或改变。在所述目标单元经编程以存储数据时，所述参考单元经编程到预定阈值电平。响应于用以读取所述目标存储器单元的命令，与施加初始电压脉冲以读取所述目标单元并行地执行对所述参考的阈值电压的漂移的估计。基于所述漂移估计的结果，用于读取所述目标单元的电压脉冲可经修改和/或添加以解决使用所述参考单元估计的所述漂移。用所述参考单元估计的所述漂移。用所述参考单元估计的所述漂移。

【技术实现步骤摘要】
漂移感知读取操作


[0001]本文中所公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，并且更确切地说但不限于读取存储器单元以检索数据的技术。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
[0003]存储器装置可包含存储器集成电路，所述存储器集成电路具有形成在半导体材料的集成电路裸片上的一或多个存储器单元阵列。存储器单元是可个别地用于或操作以存储数据的最小的存储器单位。一般来说，存储器单元可存储一或多个数据位。
[0004]已经针对存储器集成电路开发了不同类型的存储器单元，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变存储器(PCM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、或非(NOR)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器等。
[0005]一些集成电路存储器单元为易失性的，并且需要电力来维持存储在单元中的数据。易失性存储器的实例包含动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。
[0006]一些集成电路存储器单元为非易失性的，并且甚至在未经供电时仍可保留所存储数据。非易失性存储器的实例包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)存储器等。快闪存储器包含与非(NAND)型快闪存储器或或非(NOR)型快闪存储器。NAND存储器单元是基于NAND逻辑门；并且NOR存储器单元是基于NOR逻辑门。
[0007]交叉点存储器(例如，3D XPoint存储器)使用非易失性存储器单元阵列。交叉点存储器中的存储器单元为无晶体管的。此类存储器单元中的每一个可具有作为集成电路中的列堆叠在一起的选择器装置和任选地相变存储器装置。此类列的存储器单元经由在彼此垂直的方向上延行的两层导线在集成电路中连接。两个层中的一个在存储器单元上方；并且另一层在存储器单元下方。因此，可在两个层中在不同方向上延行的两个导线的交叉点处个别地选择每一存储器单元。交叉点存储器装置是快速且非易失性的，并且可用作通用存储器池以用于处理和存储。
[0008]在编程/写入操作期间，可通过将电压或电压的图案施加到存储器单元来对非易失性集成电路存储器单元进行编程以存储数据。编程/写入操作在对应于正编程/存储到存储器单元中的数据的状态中设置存储器单元。可通过检查存储器单元的状态来在读取操作中检索存储在存储器单元中的数据。读取操作通过施加电压以及确定存储器单元是否在对应于预定义状态的电压下变得导电来确定存储器单元的状态。

技术实现思路

[0009]根据本公开的一个实施例，提供一种装置。装置包括：存储器单元；电压驱动器，其连接到存储器单元；以及控制器，其耦合到电压驱动器且被配置成使用电压驱动器在存储器单元上操作。存储器单元包含第一存储器单元集合，以及至少一个第二存储器单元。响应于用以将数据项写入到第一存储器单元集合中的命令，控制器被配置成使用电压驱动器进行以下编程：根据数据项编程第一存储器单元的阈值电压，以及将第二存储器单元的阈值电压编程到预定电压区中的电平。响应于用以读取第一存储器单元集合的命令，控制器被配置成：与将第一读取电压施加到第一存储器单元并行地估计第二存储器单元的阈值电压的漂移，以及基于在第一读取电压到第一存储器单元的施加期间所估计的漂移而修改使用电压驱动器读取第一存储器单元的操作。
[0010]根据本公开的另一实施例，提供一种方法。方法包括：接收用以将数据项写入到存储器装置中的第一存储器单元集合中的第一命令；响应于第一命令：在第一存储器单元上驱动一或多个电压脉冲以根据数据项编程第一存储器单元的阈值电压；以及在与存储器装置中的第一存储器单元集合相关联的第二存储器单元上驱动一或多个电压脉冲以将第二存储器的阈值电压编程到可使用第一读取电压识别的预定电压区中；接收用以读取第一存储器单元集合的第二命令；以及响应于第二命令：将施加到第一存储器单元上的电压驱动达到第一读取电压；在第一存储器单元当中识别具有低于第一读取电压的阈值电压的第一子集；与施加到第一存储器单元上的电压达到第一读取电压的驱动并行地将施加到第二存储器单元上的电压驱动达到第二读取电压；与识别第一子集并行地确定第二存储器单元的阈值电压已漂移到第一读取电压与第二读取电压之间的电压区中；以及响应于第二存储器单元的阈值电压在第一读取电压与第二读取电压之间，将第三读取电压施加到第一存储器单元，第三电压的量值是基于第二读取电压；以及在第一存储器单元当中识别具有低于第一读取电压的阈值电压的第二子集；以及基于第二子集的识别而确定读取第一存储器单元的结果作为对第二命令的响应。
[0011]根据本公开的又一实施例，提供一种集成电路。集成电路包括：位线层；字线层；存储器单元，其被配置在位线层与字线层之间，存储器单元中的每一个连接到位线当中的位线且连接到字线当中的字线；位线驱动器，其连接到位线；字线驱动器，其连接到字线；以及控制器，其耦合到位线驱动器和字线驱动器，并且被配置成响应于用以从存储器单元当中的第一存储器单元检索数据的命令，与经由位线驱动器和字线驱动器将第一读取电压施加在第一存储器单元上并行地检测与第一存储器单元相关联的第二存储器单元的阈值电压中的漂移；如果在第二存储器单元的阈值电压中未检测到漂移，则基于第一存储器单元是否在第一读取电压下导电而确定编程到第一存储器单元中的值；并且如果在第二存储器单元的阈值电压中检测到具有由第二读取电压表示的标度的漂移，则基于第二读取电压而施加第三读取电压，以基于第一存储器单元是否在第三读取电压下导电而确定编程到第一存储器单元中的值。
附图说明
[0012]在附图的图式中作为实例而非限制说明了实施例，在所述附图中，相似的参考标号指示类似的元件。
[0013]图1展示根据一个实施例的被配置成具有读取管理器的存储器装置。
[0014]图2展示根据一个实施例的具有被配置成施加电压脉冲的位线驱动器和字线驱动器的存储器单元。
[0015]图3展示根据一个实施例的用以执行读取命令的技术。
[0016]图4和5展示根据某一实施例的漂移感知读取操作。
[0017]图6展示根据一个实施例的用以读取存储器单元的方法。
[0018]图7说明根据本公开的一些实施例的具有存储器子系统的实例计算系统。
[0019]图8为其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0020]本公开的至少一些方面涉及被配置成与读取存储器单元并行地估计存储器单元的状态中的漂移的存储器子系统。基于估计的结果，可选择且执行另外任选操作，从而以提高的准确性从存储器单元获得数据。
[0021]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，其包括：存储器单元，其包含：第一存储器单元集合；以及至少一个第二存储器单元；电压驱动器，其连接到所述存储器单元；以及控制器，其耦合到所述电压驱动器且被配置成使用所述电压驱动器在所述存储器单元上操作；其中响应于用以将数据项写入到所述第一存储器单元集合中的命令，所述控制器被配置成使用所述电压驱动器进行以下编程：根据所述数据项编程所述第一存储器单元的阈值电压，以及将所述第二存储器单元的阈值电压编程到预定电压区中的电平；并且其中响应于用以读取所述第一存储器单元集合的命令，所述控制器被配置成：与将第一读取电压施加到所述第一存储器单元并行地估计所述第二存储器单元的所述阈值电压的漂移，以及基于在所述第一读取电压到所述第一存储器单元的所述施加期间所估计的所述漂移而修改使用所述电压驱动器读取所述第一存储器单元的操作。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制器被配置成：与将所述第一读取电压施加到所述第一存储器单元并行地使用所述电压驱动器将第二读取电压施加到所述第二存储器单元；以及确定所述第二存储器单元的所述阈值电压是否在所述第一读取电压与所述第二读取电压之间的电压区中，以估计所述漂移。3.根据权利要求2所述的装置，其中响应于所述第二读取电压的所述阈值电压低于所述第二读取电压，所述控制器进一步被配置成在所述第二存储器单元处于导电状态时使用所述电压驱动器将施加到所述第二存储器单元的所述第二读取电压升高到高于所述第二读取电压的电压。4.根据权利要求3所述的装置，其中响应于所述第二读取电压的所述阈值电压在所述第一读取电压与所述第二读取电压之间的确定，所述控制器进一步被配置成使用所述电压驱动器将施加在所述第一存储器单元上的所述第一读取电压升高到基于所述第二读取电压识别的第三读取电压，并且确定所述第一存储器单元中的哪一个具有低于所述第三读取电压的阈值电压。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第三读取电压呈第一极性；并且响应于所述第二读取电压的所述阈值电压在所述第一读取电压与所述第二读取电压之间的所述确定，所述控制器进一步被配置成在确定所述第一存储器单元中的哪一个具有低于所述第三读取电压的阈值电压之后，将呈与所述第一极性相反的第二极性的第四读取电压施加到所述第一存储器单元。6.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一读取电压呈第一极性；并且响应于所述第二读取电压的所述阈值电压在所述第一读取电压与所述第二读取电压之间的确定，所述控制器进一步被配置成使用所述电压驱动器将呈与所述第一极性相反的第二极性的第三读取电压施加到所述第一存储器单元，其中所述第三读取电压是基于所述第二读取电压。
7.根据权利要求6所述的装置，其中在使用呈所述第二极性的所述第三读取电压读取所述第一存储器单元之后，所述控制器进一步被配置成响应于所述读取命令和所述第二读取电压的所述阈值电压在所述第一读取电压与所述第二读取电压之间的所述确定而使用所述电压驱动器施加呈所述第一极性的电压。8.根据权利要求3所述的装置，其中所述第二存储器单元在所述装置中被配置成具有表示所述第一存储器单元集合中最快漂移存储器单元的阈值漂移速率。9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一存储器单元被配置在第一存储器单元阵列中；并且所述第二存储器单元被配置在与所述第一存储器单元阵列分开的第二存储器单元阵列中。10.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元在存储器单元阵列中连接到共同位线驱动器或共同字线驱动器。11.一种方法，其包括：接收用以将数据项写入到存储器装置中的第一存储器单元集合中的第一命令；响应于所述第一命令：在所述第一存储器单元上驱动一或多个电压脉冲以根据所述数据项编程所述第一存储器单元的阈值电压；以及在所述存储器装置中与所述第一存储器单元集合相关联的第二存储器单元上驱动一或多个电压脉冲以将所述第二存储器的阈值电压编程到能够使用第一读取电压识别的预定电压区中；接收用以读取所述第一存储器单元集合的第二命令；以及响应于所述第二命令：将施加到所述第一存储器单元上的电压驱动达到所述第一读取电压；在所述第一存储器单元当中识别具有低于所述第一读取电压的阈值电压的第一子集；与施加到所述第一存储器单元上的所述电压达到所述第一读取电压的所述驱动并行地将施加到所述第二存储器单元上的电压驱动达到第二读取电压；与识别所述第一子集并行地确定所述第二存储器单元的所述阈值电压已漂移到所述第一读取电压与所述第二读取电压之间的电压区...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：