【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光场的光耦合和模式选择性分离或叠加
[0001]本专利技术属于集成光子学和微光学领域,尤其涉及微光学和纳米光学系统,其中光通过光耦合点在各种光学元件之间传输或在自由空间伸展段和光学元件之间传输。具体地,本专利技术涉及用于光耦合和用于光场的模式选择性的分离或叠加的装置及其用途,以及制造基于波导的光耦合元件的方法,该光耦合元件配置用于在光学组件部分的光耦合点处进行模式选择性分离或叠加。
技术介绍
[0002]集成光学或微光学系统的功能通常决定性地取决于要传输的光在各个光耦合点是否具有一定的空间分布和偏振;例如,用于获得高耦合效率,在基于波导的组件的情况下用于促进某些波导模式的有效激发,或者用于将组件发射的光转换为自由空间中所需的场分布。在这种情况下,光的分布和偏振一般用矢量模场来描述,它包括矢量电场E(x,y)的空间分布和矢量磁场H(x,y)的空间分布。
[0003]根据现有技术,通常使用离散的光学元件来调整模场的强度分布,光学元件诸如透镜、梯度折射率光纤、曲面镜或其他折射、衍射或反射光学元件。相比之下,偏振操纵的光学元件,例如偏振滤波片或双折射光学元件(尤其是半波片或四分之一波片),或合适的光纤(例如,保偏光纤)通常用于设置电场和磁场的场矢量的方向。在许多实际应用中,这些元件需要适当地相互组合,特别是为了在光学元件的光耦合点处获得所需的矢量模场分布。首先,这导致相对较大的布置,其安装空间通常比相关的光学组件的安装空间大数倍。此外,各个分立的光学元件必须相对于彼此非常精确地对准,并且相对于光学组件的光耦合点非常精 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于光耦合和光场的模式选择性分离或叠加的装置,其包括:
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具有至少三个光耦合点(100、370、380)的基于波导的光耦合元件(10),基于波导的光耦合元件(10)包括芯部区域和与芯部区域相邻的包层区域,在芯部区域和包层区域之间出现至少0.05的折射率差,基于波导的光耦合元件(10)设计为三维的自由形状结构的形式,自由形状结构大致为由至少六层组成的分层结构,由此ο至少一个第一光耦合点(100)具有分配给第一光耦合点(100)的至少两个不同的引导的本征模(120、130),ο至少一个第二光耦合点(370)具有分配给第二光耦合点(370)的至少一个引导的本征模(260),以及ο至少一个第三光耦合点(380)具有分配给第三光耦合点(380)的至少一个引导的本征模(280),
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至少一个光学组件部分(400),其具有至少一个另外的光耦合点(410);其中基于波导的光耦合元件(10)的光耦合点(100、370、380)中的至少一个光学连接到光学组件部分(400)的至少一个另外的光耦合点(410),并且其中,基于波导的光耦合元件(10)配置为高效地双向传输光ο在分配给第一光耦合点(100)的至少一个第一引导的本征模(120)和分配给第二光耦合点(370)的至少一个引导的本征模(260)之间,并且ο在分配给第一光耦合点(100)的至少一个第二引导的本征模(130)和分配给第三光耦合点(380)的至少一个引导的本征模(280)之间。2.根据前述权利要求所述的装置,其中所述第二光耦合点(370)和所述第三光耦合点(380)中的至少一个耦合到另外的光学组件部分(430、440)。3.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述第二光耦合点(370)和所述第三光耦合点(380)在空间上彼此分离,并且其中所述基于波导的光耦合元件(10)配置为将存在于第一光耦合点(100)的光输入场分离成不同偏振的部分场,并在第二光耦合点(370)和第三光耦合点(380)输出包括部分场的耦合光信号,或者其中基于波导的光耦合元件(10)设计成叠加光信号,所述光信号是在第二光耦合点(370)和第三光耦合点(380)处耦合的不同偏振输入的空间重叠的部分场的形式,并且在第一光耦合点(100)处提供所述叠加。4.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述基于波导的光耦合元件(10)配置为将分配给所述第一光耦合点(100)的至少两个引导的本征模(120、130)分离成不同的偏振并且随后使分离的本征模(120、130)的一个偏振方向旋转,以便于将偏振方向对准分配给第二光耦合点(370)的至少一个引导的本征模(260)和分配给第三光耦合点(380)的至少一个引导的本征模(280)。5.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述基于波导的光耦合元件(10)包括至少两个部分波导,部分波导布置成靠近在一起或在第一区域(600)中以空间相交的方式布置,部分波导,当彼此隔离考虑时,至少部分地具有强解耦的本征模,并且部分波导在第二区域(610)中空间不相交。6.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述基于波导的光耦合元件(10)包括:
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至少一个第一波导区域(200),其邻接第一光耦合点(100)并且其中第一波导横截面
(110)被连续地转换成包括两个波导横截面(230、240)的叠加的第二波导横截面(220),两个波导横截面(230、240)分别具有强解耦的本征模(250、260、270、280),分配给第一光耦合点(100)的至少两个引导的本征模(120、130)彼此正交地布置在第一波导横截面(110)中,或者从第一波导横截面(110)分配给第一光耦合点(100)的至少两个引导的本征模(120、130)的两个相互正交的线性组合被转换成强引导的本征模(260、280);和
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至少一个第二波导区域(300),其邻接第一波导区域(200),并且第二波导区域(300)中最初重叠的波导横截面(230、240)被引导分开成限定第二光耦合点(370)和第三光耦合点(380)的不相交的横截面(330、314)。7.根据前述权利要求所述的装置,其中将所述第一波导区域(200)中的第一波导横截面(110)转换成第二波导横截面(210)是通过沿着光的传播方向的横截面的连续变形来实现的。8.根据前述两项权利要求中任一项所述的装置,其中所述波导横截面(230、240)分别形成具有至少1.5的纵横比的简单连接区域。9.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中
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第一光耦合点(100)直接地或通过另外的波导段或光束成形元件间接地光学耦合到具有低指数差异和简并或几乎简并的正交本征模的波导或者光纤(400);和/或
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其中第二光耦合点(370)或第三光耦合点(380)直接地或通过另外的波导段或光束成形元件间接地光学耦合到具有高指数差异和强解耦的正交本征模的波导或者基于半导体的集成...
【专利技术属性】
技术研发人员:A,
申请(专利权)人:卡尔斯鲁厄技术研究所,
类型:发明
国别省市:
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