一种显示器件及其制造方法技术

本公开提供了一种显示器件及其制造方法，所述显示器件包括依次设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层和阴极层；所述电子注入层至少有一层，至少一层所述电子注入层与所述阴极层之间还设有至少一层高阻抗层，所述电子注入层与所述阴极层的电阻率均小于所述高阻抗层的电阻率。本公开提供的显示器件及其制造方法，能够改善由于颗粒物产生的显示器件阴阳两极短路的问题，显著降低显示器件的面板暗点数量，提高显示器件的面板良率。示器件的面板良率。示器件的面板良率。

【技术实现步骤摘要】
一种显示器件及其制造方法


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种显示器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]OLED(Orgnic Light Emitting Diode，有机发光二极管)属于电激发光器件，具有自发光，高发光效率，低工作电压，轻薄，可柔性化以及制程工艺简单等特点，在显示照明等领域应用广泛。然而，在相关技术中，OLED显示器件在制备工艺中，由于设备腔体内微观颗粒物的存在，很容易在显示器件的子像素内引起短路，进而引起发光区暗点的产生，极大影响显示效果。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供了一种显示器件及其制造方法，能够改善由于颗粒物产生的显示器件阴阳两极短路的问题，显著降低显示器件的面板暗点数量，提高显示器件的面板良率。
[0004]本公开实施例所提供的技术方案如下：
[0005]本公开实施例提供了一种显示器件，包括依次设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
[0006]所述电子注入层至少有一层，至少一层所述电子注入层与所述阴极层之间还设有至少一层高阻抗层，所述电子注入层与所述阴极层的电阻率均小于所述高阻抗层的电阻率。
[0007]示例性的，所述电子注入层有M层，所述电子注入层有N层，M和N均为大于或等于1的正整数，M层所述电子注入层与N层高阻抗层交替设置。
[0008]示例性的，M和N均大于等于2且小于等于10。
[0009]示例性的，所述阳极层选用氧化物导电层，所述阴极层选用金属薄膜和/或氧化物导电层。
[0010]示例性的，所述阳极层为氧化铟锡薄膜或氧化铟锌薄膜，所述阴极层为金属薄膜。
[0011]示例性的，所述阳极层为氧化铟锡薄膜，所述阴极层为氧化铟锌薄膜。
[0012]示例性的，所述阳极层为氧化铟锡薄膜，所述阴极层包括第一阴极层和位于所述第一阴极层的远离所述阳极层的一侧的第二阴极层，所述第一阴极层为金属薄膜，所述第二阴极层为氧化铟锌薄膜，所述高阻抗层设置于所述发光材料层与所述第一阴极层之间。
[0013]示例性的，所述阳极层为氧化铟锡薄膜，所述阴极层包括第一阴极层和位于所述第一阴极层的远离所述阳极层的一侧的第二阴极层，所述第一阴极层为金属薄膜，所述第二阴极层为氧化铟锌薄膜，所述高阻抗层设置于所述第一阴极层和所述第二阴极层之间。
[0014]示例性的，所述高阻抗层的电阻率的取值范围为1.0
×
105Ω
·
cm～9.0
×
106Ω
·
cm。
[0015]示例性的，所述高阻抗层的膜层厚度的取值范围为60～690nm。
[0016]示例性的，所述高阻抗层的功函数的绝对值取值范围为3.6eV～4.5eV。
[0017]示例性的，所述电子注入层的电阻率的取值范围为1.0
×
105Ω
·
cm～9.0
×
105Ω
·
cm。
[0018]示例性的，所述电子注入层的功函数的绝对值取值范围为2.6～4.3eV。
[0019]示例性的，所述高阻抗层的材质选自氧化锌、氧化钛、氧化锡和氧化铟中的至少一种。
[0020]示例性的，所述阳极层包括反射阳极层和透明阳极层，所述反射阳极层位于所述透明阳极层的远离所述阴极层的一侧。
[0021]示例性的，所述高阻抗层为非结晶性薄膜，折射率为1.7～2.5，吸收系数＜0.02，应力为
‑
200～0MPa。
[0022]示例性的，所述空穴传输层为p型有机半导体材料，具体的材料选用芳胺类化合物配置而成墨水，包括如下材料及如下材料取代基进行改变优化后所得材料中的一个或两个共混材料：
[0023][0024]示例性的，所述电子注入层为n型有机半导体材料，具体的材料可选用如下材料及
如下材料取代基进行改变优化后所得材料中的一个或两个共混材料：
[0025][0026]本公开实施例提供一种显示器件的制造方法，用于制造如上所述的显示器件，所述方法包括如下步骤：
[0027]提供衬底基板；
[0028]在所述衬底基板上依次制作阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层、高阻抗层和阴极层，其中所述电子注入层至少有一层，至少一层所述电子注入层与所述阴极层之间还设有至少一层所述高阻抗层，所述电子注入层与所述阴极层的电阻率均小于所述高阻抗层的电阻率。
[0029]示例性的，所述方法中，所述高阻抗层采用溅射方式形成，溅射时所采用的溅射气体为氧气和氩气，且所述氧气在所述溅射气体中所占比例小于或等于10％。
[0030]示例性的，所述显示器件包括多个像素单元，所述像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
[0031]所述方法中，所述空穴注入层具体的制作步骤如下：
[0032]采用喷墨打印方式，依次打印位于所述第一子像素内的第一空穴注入层、位于所述第二子像素内的第二空穴注入层、位于所述第三子像素内的第三空穴注入层，其中，所述第一空穴注入层、所述第二空穴注入层和所述第三空穴注入层采用相同墨水或不同墨水打印而成；对喷墨打印完成后的所述第一空穴注入层、所述第二空穴注入层和所述第三空穴注入层进行真空干燥和烘烤处理；
[0033]或者，
[0034]采用喷墨打印方式，打印位于第一子像素内的第一空穴注入层，并对所述第一空穴注入层进行真空干燥和烘烤处理，烘烤温度为第一温度；
[0035]采用喷墨打印方式，打印位于第二子像素内的第二空穴注入层，并对所述第二空穴注入层进行真空干燥和烘烤处理，烘烤温度为第二温度；
[0036]采用喷墨打印方式，打印位于第三子像素内的第三空穴注入层，并对所述第三空穴注入层进行真空干燥和烘烤处理，烘烤温度为第三温度；
[0037]其中所述第一空穴注入层、所述第二空穴注入层和所述第三空穴注入层采用不同墨水打印而成，且所述第一温度大于所述第二温度，所述第二温度大于所述第三温度。
[0038]示例性的，所述显示器件包括多个像素单元，所述像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
[0039]所述方法中，所述空穴传输层具体的制作步骤如下：
[0040]采用喷墨打印方式，依次打印位于所述第一子像素内的第一空穴传输层、位于所
述第二子像素内的第二空穴传输层、位于所述第三子像素内的第三空穴传输层，其中所述第一空穴传输层、所述第二空穴传输层和所述第三空穴传输层采用相同墨水或不同墨水打印而成；对喷墨打印完成后的所述第一空穴传输层、所述第二空穴传输层和所述第三空穴传输层进行真空干燥和烘烤处理；
[0041]或者，
[0042]采用喷墨打印方式，打印位于第一子像素内的第一空穴传输层，并对所述第一空穴传输层进行真空干燥和烘烤处理，烘烤温度为第四温度；
[0043]采用喷墨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器件，包括依次设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层和阴极层；其特征在于，所述电子注入层至少有一层，至少一层所述电子注入层与所述阴极层之间还设有至少一层高阻抗层，所述电子注入层与所述阴极层的电阻率均小于所述高阻抗层的电阻率。2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述电子注入层有M层，所述电子注入层有N层，M和N均为大于或等于1的正整数，M层所述电子注入层与N层高阻抗层交替设置。3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，M和N均大于等于2且小于等于10。4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述阳极层选用氧化物导电层，所述阴极层选用金属薄膜和/或氧化物导电层。5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述阳极层为氧化铟锡薄膜或氧化铟锌薄膜，所述阴极层为金属薄膜。6.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述阳极层为氧化铟锡薄膜，所述阴极层为氧化铟锌薄膜。7.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述阳极层为氧化铟锡薄膜，所述阴极层包括第一阴极层和位于所述第一阴极层的远离所述阳极层的一侧的第二阴极层，所述第一阴极层为金属薄膜，所述第二阴极层为氧化铟锌薄膜，所述高阻抗层设置于所述发光材料层与所述第一阴极层之间。8.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述阳极层为氧化铟锡薄膜，所述阴极层包括第一阴极层和位于所述第一阴极层的远离所述阳极层的一侧的第二阴极层，所述第一阴极层为金属薄膜，所述第二阴极层为氧化铟锌薄膜，所述高阻抗层设置于所述第一阴极层和所述第二阴极层之间。9.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述高阻抗层的电阻率的取值范围为1.0
×
105Ω
·
cm～9.0
×
106Ω
·
cm。10.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述高阻抗层的膜层厚度的取值范围为60～690nm。11.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述高阻抗层的功函数的绝对值取值范围为3.6eV～4.5eV。12.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述电子注入层的电阻率的取值范围为1.0
×
105Ω
·
cm～9.0
×
105Ω
·
cm。13.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述电子注入层的功函数的绝对值取值范围为2.6～4.3eV。14.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述高阻抗层的材质选自氧化锌、氧化钛、氧化锡和氧化铟中的至少一种。15.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述阳极层包括反射阳极层和透明阳极层，所述反射阳极层位于所述透明阳极层的远离所述阴极层的一侧。16.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
所述高阻抗层为非结晶性薄膜，折射率为1.7～2.5，吸收系数＜0.02，应力为
‑
200～0MPa。17.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述空穴传输层为p型有机半导体材料，具体的材料选用芳胺类化合物配置而成墨水，包括如下材料及如下材料取代基进行改变优化后所得材料中的一个或两个共混材料：包括如下材料及如下材料取代基进行改变优化后所得材料中的一个或两个共混材料：18.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述电子注入层为n型有机半导体材料，具体的材料可选用如下材料及如下材料取代基进行改变优化后所得材料中的一个或两个共混材料：
19.一种显示器件的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1至18任一项所述的显示器件，所述方法包括如下步骤：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次制作阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层、高阻抗层和阴极层，其中所述电子注入层至少有一层，至少一层所述电子注入层与所述阴极层之间还设有至少一层所述高阻抗层，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡月，花轮幸治，张大成，张美秀，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：