一种防电源反接电路及固态硬盘制造技术

本文公开一种防电源反接电路及固态硬盘，包括：防电源反接单元、比较单元、响应单元和控制单元；其中，比较单元的第一支路的输入端连接防电源反接单元的输入端，第二支路的输入端连接防电源反接单元的输出端；响应单元连接第一支路和第二支路的输出端，通过对比较单元的输出进行储能，以使向控制单元输出的电压差值信号满足预设的响应时长；控制单元的输入端连接响应单元，输出端连接防电源反接单元，设置为电压差值信号大于预设的差值阈值时，向防电源反接单元输出关闭输入电压的控制信号。本发明专利技术实施例在防电源反接电路基础上，通过比较防电源反接单元输入和输出的电压差值，及时确定瞬态下降过程，提升了防电源反接电路的工作性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种防电源反接电路及固态硬盘


[0001]本文涉及但不限于电源保护技术，尤指一种防电源反接电路及固态硬盘。

技术介绍

[0002]在固态硬盘(SSD)技术中有一类用于电源保护的防电源反接电路，通常做法是使用防电源反接的二极管或者场效应管(MOS)管。
[0003]基于二极管的防电源反接电路在实现防电源反接时，无法实现低线路压降损耗；基于MOS管的防电源反接电路虽然可以实现低线路压降，无法完成瞬态下降过程中的功能要求。
[0004]防电源反接电路如何在实现低线路压降的同时，满足瞬态下降过程中的功能要求，成为一个有待解决的问题。

技术实现思路

[0005]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0006]本专利技术实施例提供一种防电源反接电路及固态硬盘，能够在防电源反接电路基础上，及时确定瞬态下降过程，提升防电源反接电路的工作性能。
[0007]本专利技术实施例提供了一种防电源反接电路，包括：防电源反接单元、比较单元、响应单元和控制单元；其中，
[0008]比较单元包括第一支路和第二支路；其中，第一支路的输入端连接防电源反接单元的输入端，第二支路的输入端连接防电源反接单元的输出端；
[0009]响应单元连接第一支路的输出端和第二支路的输出端，设置为通过储能处理，使向控制单元输出的第一支路的输出端和第二支路的输出端的电压差值信号满足预先设定的响应时长；
[0010]控制单元的输入端连接响应单元，输出端连接防电源反接单元，设置为接收来自响应单元的电压差值信号，当电压差值信号大于预设的差值阈值时，向防电源反接单元输出关闭输入电压的控制信号。
[0011]还一方面，本专利技术实施例还提供一种固态硬盘，其特征在于，固态硬盘电源连接上述的防电源反接电路。本申请技术方案，防电源反接电路包括：防电源反接单元、比较单元、响应单元和控制单元；其中，比较单元包括第一支路和第二支路；其中，第一支路的输入端连接防电源反接单元的输入端，第二支路的输入端连接防电源反接单元的输出端；响应单元连接第一支路的输出端和第二支路的输出端，设置为通过储能处理，使向控制单元输出的第一支路的输出端和第二支路的输出端的电压差值信号满足预先设定的响应时长；控制单元的输入端连接响应单元，输出端连接防电源反接单元，设置为接收来自响应单元的电压差值信号，当电压差值信号大于预设的差值阈值时，向防电源反接单元输出关闭输入电压的控制信号。本专利技术实施例在防电源反接电路基础上，通过比较防电源反接单元输入和
输出的电压差值，及时确定瞬态下降过程，提升了防电源反接电路的工作性能。
[0012]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0013]附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。
[0014]图1为本专利技术实施例防电源反接电路的结构框图；
[0015]图2为本专利技术实施例防电源反接电路的示意图；
[0016]图3为本专利技术实施例仿真示意图。
具体实施方式
[0017]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0018]在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
[0019]图1为本专利技术实施例防电源反接电路的结构框图，如图1所示，包括：防电源反接单元、比较单元、响应单元和控制单元；其中，
[0020]比较单元包括第一支路和第二支路；其中，第一支路的输入端连接防电源反接单元的输入端，第二支路的输入端连接防电源反接单元的输出端；
[0021]响应单元连接第一支路的输出端和第二支路的输出端，设置为通过储能处理，使向控制单元输出的第一支路的输出端和第二支路的输出端的电压差值信号满足预先设定的响应时长；
[0022]控制单元的输入端连接响应单元，输出端连接防电源反接单元，设置为接收来自响应单元的电压差值信号，当电压差值信号大于预设的差值阈值时，向防电源反接单元输出关闭输入电压的控制信号。
[0023]在一种示例性实例中，本专利技术实施例关闭输入电压的控制信号包括：关断第一场效应管Q1的输入电压的信号。
[0024]本专利技术实施例在防电源反接电路基础上，通过比较防电源反接单元输入和输出的电压差值，及时确定瞬态下降过程，提升了防电源反接电路的工作性能。
[0025]在一种示例性实例中，本专利技术实施例防电源反接单元包括：包含第一场效应管Q1的防电源反接的单元；其中
[0026]第一支路的输入端与第一场效应管Q1的源级连接，第二支路的输入端与第一场效应管Q1的漏极连接。
[0027]在一种示例性实例中，本专利技术实施例：
[0028]第一支路包括第一电阻R1和第一二极管D1，第一电阻R1的第一端连接第一场效应
管的源级，第一电阻R1的第二端连接第一二极管D1的正极；
[0029]第二支路包括第二电阻R2和第二二极管D2，第二电阻R2的第一端连接第一场效应管的漏级，第二电阻R2的第二端连接第二二极管D2的正极；
[0030]第一二极管D1的负极与第二二极管D2的负极相连后，连接响应单元。
[0031]在一种示例性实例中，本专利技术实施例比较单元也可以通过其他种类的电路实现，只要可以对防电源反接单元的输入电压和输出电压进行比较的电路即可。
[0032]在一种示例性实例中，本专利技术实施例响应单元包括第一电容C1，第一电容C1的第一端连接第一支路的输出端和第二支路的输出端，第一电容C1的第二端接地。
[0033]在一种示例性实例中，本专利技术实施例响应单元可以通过其他具有储能功能的电路或元件进行替换，通过响应单元的储能过程实现响应时长的控制，与此同时，通过响应单元的处理，也为控制单元输出控制信号提供电压差值信号。
[0034]在一种示例性实例中，本专利技术实施例控制单元包括：第二场效应管Q2和第三二极管D3；其中，
[0035]第二场效应管Q2的发射极连接第一电容C1的第一端，第二场效应管Q2的基极与第一电阻R1的第二端连接，第二场效应管Q2的集电极与第三二极管D3的正极连接，第三二极管D3的负极与第一场效应管Q1的栅极。
[0036]本专利技术实施例第二场效应管Q2的基极与第一电阻R1的第二端连接，相当于第二场效应管Q2的基极与第一二极管D1的正极连接。
[0037]在一种示例性实例中，本专利技术实施例中的第二场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防电源反接电路，包括：防电源反接单元、比较单元、响应单元和控制单元；其中，比较单元包括第一支路和第二支路；其中，第一支路的输入端连接防电源反接单元的输入端，第二支路的输入端连接防电源反接单元的输出端；响应单元连接第一支路的输出端和第二支路的输出端，设置为通过储能处理，使向控制单元输出的第一支路的输出端和第二支路的输出端的电压差值信号满足预先设定的响应时长；控制单元的输入端连接响应单元，输出端连接防电源反接单元，设置为接收来自响应单元的电压差值信号，当电压差值信号大于预设的差值阈值时，向防电源反接单元输出关闭输入电压的控制信号。2.根据权利要求1所述的防电源反接电路，其特征在于，所述防电源反接单元包括：包含第一场效应管Q1的防电源反接的单元；其中所述第一支路的输入端与所述第一场效应管Q1的源级连接，所述第二支路的输入端与所述第一场效应管Q1的漏极连接。3.根据权利要求2所述的防电源反接电路，其特征在于：所述第一支路包括第一电阻R1和第一二极管D1，所述第一电阻R1的第一端连接所述第一场效应管的源级，所述第一电阻R1的第二端连接所述第一二极管D1的正极；所述第二支路包括第二电阻R2和第二二极管D2，所述第二电阻R2的第一端连接所述第一场效应管的漏级，所述第二电阻R2的第二端连接所述第二二极管D2的正极；所述第一二极管D1的负极与所述第二二极管D2的负极相连后，连接所述响应单元。4.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱情，蒋海涛，
申请(专利权)人：合肥大唐存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：