双导体隔离器制造技术

本实用新型专利技术提供一种双导体隔离器，涉及氧铁体隔离器的技术领域，包括容置基材、磁铁片、垫片、铁氧体、导体组件、极片和补偿片，容置基材开设有隔离器腔体；磁铁片、所述垫片、铁氧体、导体组件、极片和补偿片依次容置于隔离器腔体内；导体组件至少包括两个中心导体，且两个中心导体叠加设置。本实用新型专利技术缓解了现有技术中存在的隔离器在吸收大功率信号以后温度升高，且由于自身散热效果差而造成失效的技术问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
双导体隔离器


[0001]本技术涉及氧铁体隔离器的
，尤其是涉及一种双导体隔离器。

技术介绍

[0002]隔离器是一种将进入其任意端口的入射波，通过偏置磁场使隔离器内部铁氧体产生的旋磁性，按照某确定的方向(顺时针或逆时针)传播至下一个端口的射频器件。
[0003]当信号在器件内反向传播时，会被接在器件除入射端口和反射端口以外的第三个端口处的负载吸收，从而使信号无法从入射端口传出对整个信号传输过程造成影响。隔离器通过内部磁钢提供的静磁场使铁氧体具有旋磁性能，信号能够通过中心导体在铁氧体内按照确定的某一方向环行。
[0004]而某些铁氧体隔离器对于功率要求较高，大功率信号被吸收会导致器件本真随着信号的增大，温度也相应的升高；由于常规的导体厚度比较薄，散热速度较慢，温度过高会导致导体击穿，隔离器由此失效。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种双导体隔离器，以缓解现有技术中存在的隔离器在吸收大功率信号以后温度升高，且由于自身散热效果差而造成失效的技术问题。
[0006]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：
[0007]第一方面，本技术提供一种双导体隔离器，包括容置基材、磁铁片、垫片、铁氧体、导体组件、极片和补偿片，所述容置基材开设有隔离器腔体；
[0008]所述磁铁片、所述垫片、所述铁氧体、所述导体组件、所述极和所述补偿片依次容置于所述隔离器腔体内；
[0009]所述导体组件至少包括两个中心导，且两个所述中心导体叠加设置。
[0010]本技术可选的实施方式中，所述铁氧体至少有两个，且两个所述铁氧体分别位于所述导体组件的两端。
[0011]进一步地，所述垫片至少有两个，且两个所述垫片分别位于两端的所述铁氧体远离所述导体组件的一端。
[0012]进一步地，所述磁铁片至少有两个，且两个所述磁铁片分别位于两端的所述垫片远离所述导体组件的一端。
[0013]本技术可选的实施方式中，双导体隔离器还包括盖板，所述盖板容置于所述隔离器腔体内，且所述盖板与所述容置基材连接。
[0014]进一步地，所述隔离器腔体的腔壁上设有螺纹部；
[0015]所述盖板边缘处设有外螺纹，所述盖板与所述螺纹部螺纹连接。
[0016]本技术可选的实施方式中，双导体隔离器还包括负载件，所述负载件与所述容置基材连接，且所述负载件与所述中心导体连接。
[0017]进一步地，所述容置基材开设有容置槽，所述容置槽用于容置所述负载件。
[0018]本技术可选的实施方式中，所述中心导体上设有连接部，所述连接部与所述负载件连接。
[0019]进一步地，所述容置基材沿所述隔离器腔体开设有开口槽，所述开口槽用于容置所述连接部。
[0020]本技术能够实现如下有益效果：
[0021]第一方面，本技术提供一种双导体隔离器，包括容置基材、磁铁片、垫片、铁氧体、导体组件、极片和补偿片，所述容置基材开设有隔离器腔体；所述磁铁片、所述垫片、所述铁氧体、所述导体组件、所述极片和所述补偿片依次容置于所述隔离器腔体内；所述导体组件至少包括两个中心导体，且两个所述中心导体叠加设置。
[0022]在本技术中，磁铁片、垫片、铁氧体、导体组件、极片和补偿片依次放置在容置基材的隔离器腔体内，且磁铁片、垫片、铁氧体、导体组件、极片和补偿片均为片状结构且与隔离器腔体的内壁抵接，且磁铁片与隔离器腔体的底部抵接；导体组件至少包括两个中心导体，优选的，两个中心导体均为片状且形状大小相同，将两个中心导体重叠放置，使得导体组件相比于现有的导体的厚度增加，优选为现有导体厚度的4
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5倍，进而在使用大功率器件的时候，因为导体组件的厚度较厚，使得其功率也随之增大，在温度升高时不易被击穿，使得隔离器可以正常运行。
[0023]与现有技术相比，本技术提供的双导体隔离器，可以通过在隔离器腔体内设置导体组件，以实现使隔离器腔体内的导体部分的功率增大，进而有效避免其因温度升高而被击穿，影响隔离器的正常使用。
[0024]综上，本技术至少缓解了现有技术中存在的隔离器在吸收大功率信号以后温度升高，且由于自身散热效果差而造成失效的技术问题。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为本技术实施例提供的双导体隔离器的爆炸结构示意图。
[0027]图标：1
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容置基材；11
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隔离器腔体；111
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螺纹部；12
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容置槽；13
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开口槽；2
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负载件；3
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磁铁片；4
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垫片；5
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铁氧体；6
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中心导体；61
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连接部；7
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极片；71
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凸出部；8
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补偿片；9
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盖板。
具体实施方式
[0028]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以各种不同的配置来布置和设计。
[0029]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的
实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双导体隔离器，其特征在于，包括容置基材(1)、磁铁片(3)、垫片(4)、铁氧体(5)、导体组件、极片(7)和补偿片(8)，所述容置基材(1)开设有隔离器腔体(11)；所述磁铁片(3)、所述垫片(4)、所述铁氧体(5)、所述导体组件、所述极片(7)和所述补偿片(8)依次容置于所述隔离器腔体(11)内；所述导体组件至少包括两个中心导体(6)，且两个所述中心导体(6)叠加设置。2.根据权利要求1所述的双导体隔离器，其特征在于，所述铁氧体(5)至少有两个，且两个所述铁氧体(5)分别位于所述导体组件的两端。3.根据权利要求2所述的双导体隔离器，其特征在于，所述垫片(4)至少有两个，且两个所述垫片(4)分别位于两端的所述铁氧体(5)远离所述导体组件的一端。4.根据权利要求3所述的双导体隔离器，其特征在于，所述磁铁片(3)至少有两个，且两个所述磁铁片(3)分别位于两端的所述垫片(4)远离所述导体组件的一端。5.根据权利要求1所述的双导体隔离器，其特征在于，还包括盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋培，王秀红，
申请(专利权)人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：