晶圆支撑切换机构及半导体工艺设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于半导体工艺设备的晶圆支撑切换机构，包括：第一支撑结构，第一支撑结构包括第一支撑底板和至少三个第一支撑座，至少三个第一支撑座适于支撑晶圆；第二支撑结构包括第二支撑底板和至少三个第二支撑座，至少三个第二支撑座适于支撑晶圆，第二支撑底板设置在第一支撑结构的第一支撑底板的下方，第一支撑底板上具有贯通孔；升降结构与第二支撑结构相连接，适于驱动第二支撑结构以使得第二支撑结构的第二支撑底板在第一位置和第二位置之间移动。本实用新型专利技术提供的晶圆支撑切换机构在晶圆的两侧和中间均有受力点，在承载晶圆时更平稳。在承载晶圆时更平稳。在承载晶圆时更平稳。

【技术实现步骤摘要】
晶圆支撑切换机构及半导体工艺设备


[0001]本技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种晶圆支撑切换机构及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]晶圆传输系统(Wafer Transfer System，WTS)是槽式晶圆清洗设备的重要组成部分，完成晶圆由上料区域至工艺区域的自动传输。其中，晶圆传输系统可以将待清洗的晶圆从存放盒移动至清洗装置，也可以将清洗后的晶圆从清洗装置移动至存放盒中。也就是说，晶圆传输装置既会传输未清洗的晶圆，也会传输清洗后的晶圆，这就会导致清洗后的晶圆被污染。
[0003]为避免污染情况的发生，现有技术设置了两个承载结构，以分别承载未清洗的晶圆和清洗后的晶圆，但现有的承载结构都是两点接触且承载间距变窄，承载晶圆时不够平稳，容易产生晃动。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种晶圆支撑切换机构及半导体工艺设备，该晶圆支撑切换机构在晶圆的两侧和中间均有受力点，在承载晶圆时更平稳。
[0005]为实现本技术的目的之一，而提供一种用于半导体工艺设备的晶圆支撑切换机构，包括：第一支撑结构，所述第一支撑结构包括第一支撑底板和至少三个第一支撑座，至少三个所述第一支撑座适于支撑晶圆；第二支撑结构，所述第二支撑结构包括第二支撑底板和至少三个第二支撑座，至少三个所述第二支撑座适于支撑晶圆，所述第二支撑底板设置在所述第一支撑结构的第一支撑底板的下方，所述第二支撑底板能够在远离所述第一支撑底板的第一位置和靠近所述第一支撑底板的第二位置之间移动，所述第一支撑底板上具有与所述第二支撑结构的所述第二支撑座的形状和位置相适应的贯通孔；升降结构，与所述第二支撑结构相连接，适于驱动所述第二支撑结构以使得所述第二支撑结构的所述第二支撑底板在所述第一位置和所述第二位置之间移动，当所述第二支撑底板处于所述第一位置时，所述第二支撑座的上端面低于所述第一支撑座所支撑的晶圆的下边缘，当所述第二支撑底板处于所述第二位置时，所述第一支撑座的上端面低于所述第二支撑座所支撑的晶圆的下边缘。
[0006]可选地，至少三个所述第一支撑座沿所述第一支撑底板的延伸方向呈间隔式平行设置，所述贯通孔的延伸方向与所述第一支撑座的延伸方向平行；或者至少三个所述第二支撑座沿所述第二支撑底板的延伸方向呈间隔式平行设置。
[0007]可选地，所述第一支撑座的数量为奇数，设置在中间的所述第一支撑座设置在所述晶圆的竖向中心线的延长线上，设置在两侧的所述第一支撑座相对于设置在中间的所述第一支撑座呈对称式设置，且所述贯通孔位于设置在中间的所述第一支撑座的两侧且呈对
称式设置。
[0008]可选地，在各个所述第一支撑座朝向所述晶圆的表面均构造有多个第一齿槽结构，各个所述第一齿槽结构呈间隔式设置，各个所述第一齿槽结构均适于卡设所述晶圆的下边缘。
[0009]可选地，所述第二支撑座的数量为偶数，所述贯通孔的数量与所述第二支撑座的数量相等，各个所述第二支撑座分别适于穿过对应的所述贯通孔。
[0010]可选地，在各个所述第二支撑座朝向所述晶圆的表面均构造有多个第二齿槽结构，各个所述第二齿槽结构呈间隔式设置，各个所述第二齿槽结构均适于卡设所述晶圆的下边缘。
[0011]可选地，所述升降结构包括设置在所述第二支撑底板的下方的气缸本体和设置在所述气缸本体内的气缸伸缩杆，其中，所述气缸伸缩杆与所述第二支撑底板的下端面相连接。
[0012]可选地，所述晶圆支撑切换机构还包括：
[0013]机体外壳，在所述机体外壳的上端构造有开口，在所述机体外壳的内部构造有容纳腔；所述第一支撑结构、所述第二支撑结构以及所述升降结构均设置在所述机体外壳内。
[0014]可选地，所述晶圆支撑切换机构还包括设置在所述第二支撑底板的下方的环形过渡连接板；在所述容纳腔内且位于所述机体外壳的两侧的内侧壁上分别设有竖向滑轨和设置在所述竖向滑轨上的滑块，其中，所述滑块与所述环形过渡连接板相连接，通过所述升降结构的运动，带动所述第二支撑底板进行同步运动，通过该第二支撑底板的运动，带动所述环形过渡连接板的运动，通过所述环形过渡连接板的运动，带动所述滑块沿所述竖向滑轨的延伸方向进行运动。
[0015]根据本申请的第二方面，还提供一种半导体工艺设备，其特征在于，包括上述所述的晶圆支撑切换机构。
[0016]本技术具有以下有益效果：
[0017]本技术提供的晶圆支撑切换机构通过在第一支撑结构中增设至少三个第一支撑座，在第二支撑结构上也是同样增设至少三个第二支撑座，晶圆在待清洗前，需要使用第一支撑结构来对待清洗的晶圆进行支撑和固定，即，该待清洗的晶圆通过该第一支撑结构中的第一支撑座进行支撑和固定，至少三个第一支撑座，一定程度上增加了对待清洗的晶圆的支撑受力点，确保待清洗的晶圆更稳固、不晃动。该升降结构适于驱动该第二支撑结构以使得该第二支撑结构的该第二支撑底板在该第一位置和该第二位置之间移动，当该第二支撑底板处于该第一位置时，该第二支撑座的上端面低于该第一支撑座所支撑的晶圆的下边缘，当该第二支撑底板处于该第二位置时，该第一支撑座的上端面低于该第二支撑座所支撑的晶圆的下边缘，此外，由于本申请的第三支撑结构上也设有至少三个第二支撑座，因而，在对清洗后的晶圆进行支撑时，可以支撑的更稳固、避免晶圆发生晃动。可见，本申请由于在第一支撑结构上增设了至少三个第一支撑座，这样，在支撑和固定待清洗的晶圆时，稳定性会更好，同时，在第二支撑结构上也增设了至少三个第二支撑座，这样，在支撑和固定清洗后的晶圆时，该晶圆的受力点多，且在力学承载上是稳固的，两侧和中间皆有受力点，承载晶圆时更平稳、不易造成晶圆的晃动、有效地防止了对晶圆的划伤。
附图说明
[0018]图1为本申请的实施例的用于半导体工艺设备中的晶圆支撑切换机构的整体结构示意图；
[0019]图2为本申请的实施例的用于半导体工艺设备的晶圆支撑切换机构装在机体外壳内的整体结构示意图；
[0020]图3为本申请的实施例的用于半导体工艺设备的晶圆支撑切换机构装在机体外壳内的整体结构的正视结构示意图；
[0021]图4为图2中的第一支撑结构的整体结构示意图；
[0022]图5为图2中的第二支撑结构的整体结构示意图；
[0023]图6为图1中的第一支撑结构、第二支撑结构以及升降结构的正面连接结构示意图；
[0024]图7为图1中的第一支撑结构支撑待清洗的晶圆的结构示意图；
[0025]图8为图1中的第二支撑结构支撑清洗后的晶圆的结构示意图。
具体实施方式
[0026]为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图来对本技术提供的温度控制装置及应用其的反应腔室进行详细描述。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺设备的晶圆支撑切换机构，其特征在于，包括：第一支撑结构，所述第一支撑结构包括第一支撑底板和至少三个第一支撑座，至少三个所述第一支撑座适于支撑晶圆；第二支撑结构，所述第二支撑结构包括第二支撑底板和至少三个第二支撑座，至少三个所述第二支撑座适于支撑晶圆，所述第二支撑底板设置在所述第一支撑结构的第一支撑底板的下方，所述第二支撑底板能够在远离所述第一支撑底板的第一位置和靠近所述第一支撑底板的第二位置之间移动，所述第一支撑底板上具有与所述第二支撑结构的所述第二支撑座的形状和位置相适应的贯通孔；升降结构，与所述第二支撑结构相连接，适于驱动所述第二支撑结构以使得所述第二支撑结构的所述第二支撑底板在所述第一位置和所述第二位置之间移动，当所述第二支撑底板处于所述第一位置时，所述第二支撑座的上端面低于所述第一支撑座所支撑的晶圆的下边缘，当所述第二支撑底板处于所述第二位置时，所述第一支撑座的上端面低于所述第二支撑座所支撑的晶圆的下边缘。2.根据权利要求1所述的用于半导体工艺设备的晶圆支撑切换机构，其特征在于，至少三个所述第一支撑座沿所述第一支撑底板的延伸方向呈间隔式平行设置，所述贯通孔的延伸方向与所述第一支撑座的延伸方向平行；或者至少三个所述第二支撑座沿所述第二支撑底板的延伸方向呈间隔式平行设置。3.根据权利要求2所述的用于半导体工艺设备的晶圆支撑切换机构，其特征在于，所述第一支撑座的数量为奇数，设置在中间的所述第一支撑座设置在所述晶圆的竖向中心线的延长线上，设置在两侧的所述第一支撑座相对于设置在中间的所述第一支撑座呈对称式设置，且所述贯通孔位于设置在中间的所述第一支撑座的两侧且呈对称式设置。4.根据权利要求2所述的用于半导体工艺设备的晶圆支撑切换机构，其特征在于，在各个所述第一支撑座朝向所述晶圆的表面均构造有多个第一齿槽结构，各个所述第一齿槽结构呈...

【专利技术属性】
技术研发人员：高少飞，王龙，张虎威，赵宏宇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：