供电控制装置制造方法及图纸

在供电控制装置(10)中，通过将供电FET(20)切换为接通或断开而控制从直流电源(11)向负载(12)的供电。电流调整电路(25)将经由电阻电路(24)流过的电流调整成将供电FET(20)的漏极和源极间的电压除以电阻电路(24)的电阻值所得到的值。驱动电路(21)在检测电阻(26)的两端间的电压超过了规定电压的情况下，将供电FET(20)切换为断开。供电FET(20)的接通电阻值根据供电FET(20)的周围温度而变动。电阻电路(24)的电阻值根据供电FET(20)的周围温度而向与接通电阻值相同的方向变动。与接通电阻值相同的方向变动。与接通电阻值相同的方向变动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】供电控制装置


[0001]本公开涉及供电控制装置。
[0002]本申请主张基于在2020年4月20日提出申请的日本申请第2020
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074813号的优先权，并援引所述日本申请记载的全部的记载内容。

技术介绍

[0003]专利文献1公开了通过将作为半导体开关发挥作用的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)切换为接通或断开而控制从电源向负载的供电的车辆用的供电控制装置。在该供电控制装置中，在从电源向负载的电流的第一电流路径配置MOSFET的漏极及源极。在专利文献1记载的供电控制装置中，还设置有从电源向电阻流过的电流的第二电流路径。在第二电流路径中流过的电流被调整成与MOSFET的漏极和源极间的电压成比例的电流。
[0004]MOSFET的漏极和源极间的电压通过经由第一电流路径流过的电流与MOSFET的接通电阻值之积表示。接通电阻值是MOSFET为接通时的MOSFET的漏极和源极的电阻值。MOSFET的接通电阻值根据MOSFET的温度而变动。
[0005]在专利文献1记载的供电控制装置中，关于电阻的两端间的电压，将模拟值转换成数字值。运算元件基于由数字值表示的电阻的两端间的电压和与MOSFET的温度同样地变动的MOSFET的周围温度，算出经由MOSFET流过的电流。在运算元件算出的电流大的情况下，将MOSFET切换为断开。由此，防止经由MOSFET流过过电流的情况。
[0006]在先技术文献
>[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2011
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85470号公报

技术实现思路

[0009]本公开的一形态的供电控制装置通过将电流流过的半导体开关切换为接通或断开而控制供电，其中，所述供电控制装置具备：电阻电路，该电阻电路的一端连接于所述半导体开关的上游侧的一端；电流调整电路，将经由所述电阻电路流过的电流调整成将所述半导体开关的两端间的电压除以所述电阻电路的电阻值所得到的值；电阻，配置于经由所述电阻电路流过的电流的电流路径；及切换电路，在所述电阻的两端间的电压超过了规定电压的情况下将所述半导体开关切换为断开，所述半导体开关的接通电阻值根据所述半导体开关的周围温度而变动，所述电阻电路的电阻值根据所述周围温度而向与所述接通电阻值相同的方向变动。
附图说明
[0010]图1是表示实施方式1中的电源系统的主要部分结构的框图。
[0011]图2是用于说明供电控制装置的动作的时间图。
[0012]图3是表示供电FET的接通电阻值及周围温度的关系的坐标图。
[0013]图4是电阻电路的电路图。
[0014]图5是决定串联电阻的电阻值的方法的说明图。
[0015]图6是实施方式2中的电阻电路的电路图。
[0016]图7是用于说明供电控制装置的动作的时间图。
[0017]图8是并联电阻的效果的说明图。
[0018]图9是实施方式3中的电阻电路的电路图。
[0019]图10是实施方式4中的电阻电路的电路图。
具体实施方式
[0020][本公开要解决的课题][0021]关于专利文献1，经由MOSFET流过的电流的算出花费的时间长。因此，专利文献1记载的供电控制装置存在有在经由MOSFET流过的电流大的情况下无法立即使MOSFET断开这样的问题。
[0022]因此，目的在于提供一种不用算出经由半导体开关流过的电流，能够将半导体开关在适当的时刻切换为断开的供电控制装置。
[0023][本公开的效果][0024]根据本公开，不用算出经由半导体开关流过的电流，能够将半导体开关在适当的时刻切换为断开。
[0025][本公开的实施方式的说明][0026]首先，列举本公开的实施形态进行说明。也可以将以下记载的实施方式的至少一部分任意组合。
[0027](1)本公开的一形态的供电控制装置通过将电流流过的半导体开关切换为接通或断开而控制供电，其中，所述供电控制装置具备：电阻电路，该电阻电路的一端连接于所述半导体开关的上游侧的一端；电流调整电路，将经由所述电阻电路流过的电流调整成将所述半导体开关的两端间的电压除以所述电阻电路的电阻值所得到的值；电阻，配置于经由所述电阻电路流过的电流的电流路径；及切换电路，在所述电阻的两端间的电压超过了规定电压的情况下将所述半导体开关切换为断开，所述半导体开关的接通电阻值根据所述半导体开关的周围温度而变动，所述电阻电路的电阻值根据所述周围温度而向与所述接通电阻值相同的方向变动。
[0028]在上述的形态中，经由电阻电路流过的电流由(半导体开关的两端间的电压)/(电阻电路的电阻值)表示。半导体开关的两端间的电压通过经由半导体开关流过的电流与半导体开关的接通电阻值之积表示。根据半导体开关的周围温度，半导体开关的接通电阻值与电阻电路的电阻值向相同的方向变动。因此，即使在半导体开关的周围温度发生了变动的情况下，经由电阻流过的电流也几乎不变动。电阻的两端间的电压几乎不根据半导体开关的周围温度变动，与经由半导体开关流过的电流成比例。在电阻的两端间的电压超过了规定电压的情况下，经由半导体开关流过的电流大，将半导体开关切换为断开。这样，不用算出经由半导体开关流过的电流，能够将半导体开关在适当的时刻切换为断开。
[0029](2)在本公开的一形态的供电控制装置中，所述电阻电路具有第二半导体开关，所
述切换部在将所述半导体开关切换为接通的情况下，将所述第二半导体开关切换为接通，所述第二半导体开关的接通电阻值根据所述半导体开关的所述周围温度向与所述半导体开关的接通电阻值相同的方向变动。
[0030]在上述的形态中，在电阻电路配置第二半导体开关，第二半导体开关的接通电阻值根据半导体开关的周围温度而向与半导体开关的接通电阻值相同的方向变动。因此，电阻电路的电阻值根据半导体开关的周围温度而向与半导体开关的接通电阻值相同的方向变动。
[0031]作为第二半导体开关，例如，使用构造与半导体开关的构造相同的开关。具体而言，在半导体开关为MOSFET的情况下，使用MOSFET作为第二半导体开关。在该情况下，能够容易地实现根据半导体开关的周围温度而电阻值与半导体开关的接通电阻值同样地变动的电阻电路。
[0032](3)在本公开的一形态的供电控制装置中，所述电阻电路具有与所述第二半导体开关串联连接的串联电阻。
[0033]在上述的形态中，在半导体开关的接通电阻值与电阻电路的电阻值之比与半导体开关的周围温度无关地恒定的情况下，与经由半导体开关流过的电流有关的电流阈值与半导体开关的周围温度无关地恒定。在该情况下，能够将半导体开关在适当的时刻切换为断开。假定为半导体开关的接通电阻值与第二半导体开关的接通电阻值之比与周围温度无关地不恒定。即使在该情况下，通过在第二半导体开关串联连接串联电阻，也能够实现半导体开关的接通电阻值与电阻电路的电阻值之比本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种供电控制装置，通过将电流流过的半导体开关切换为接通或断开而控制供电，其中，所述供电控制装置具备：电阻电路，该电阻电路的一端连接于所述半导体开关的上游侧的一端；电流调整电路，将经由所述电阻电路流过的电流调整成将所述半导体开关的两端间的电压除以所述电阻电路的电阻值所得到的值；电阻，配置于经由所述电阻电路流过的电流的电流路径；及切换电路，在所述电阻的两端间的电压超过了规定电压的情况下将所述半导体开关切换为断开，所述半导体开关的接通电阻值根据所述半导体开关的周围温度而变动，所述电阻电路的电阻值根据所述周围温度而向与所述接通电阻值相同的方向变动。2.根据权利要求1所述的供电控制装置，其中，所述电阻电路具有第二半导体开关，所述切换部在将所述半导体开关切换为接通的情况...

【专利技术属性】
技术研发人员：村田隼基，榊原弘纪，泽田凌兵，泽野峻一，小田康太，
申请(专利权)人：住友电装株式会社住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：