在半导体制造过程中用于确定对于一组衬底的检查策略的方法技术

描述了一种用于确定针对至少一个衬底的检查策略的方法，所述方法包括：使用预测模型，基于与所述衬底相关联的预处理数据以及与所述至少一个衬底相关联的任何可用的后处理数据中的一者或两者来量化与顺应品质要求的预测相关的顺应性指标的顺应性指标值；和基于以下各项来决定对于所述至少一个衬底的检查策略：所述顺应性指标值、与所述检查策略相关联的预期成本、以及描述在与所述预测模型相关的至少一个目标权利要求所述检查策略的预期值的至少一个目标值。的至少一个目标值。的至少一个目标值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在半导体制造过程中用于确定对于一组衬底的检查策略的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求保护于2020年4月02日递交的欧洲申请20167648.3、于2020年5月13日递交的欧洲申请20174335.8、和于2020年9月28日递交的欧洲申请20198754.2的优先权，这些欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本专利技术涉及半导体制造过程，具体地，涉及用于在半导体制造过程中作出决策(诸如是否应检查衬底)的方法。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影至被设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。当前在使用中的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如具有约193nm的波长的辐射的光刻设备相比，使用具有在4nm至20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
[0006]低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，可以将分辨率公式表达为CD＝k1×
λ/NA，其中λ是所使用的辐射的波长、NA是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径、CD是“临界尺寸”(通常是所印制的最小特征大小，但在这种情况下是半节距)且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，则在衬底上再现类似于由电路设计者规划的形状和尺寸以便实现特定电功能性和性能的图案变得越困难。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用至光刻投影设备和/或设计布局。这些步骤包括例如但不限于：NA的优化、自定义照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局的各种优化，诸如设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时也被称为“光学和过程校正”)，或通常被定义为“分辨率增强技术”(RET)的其它方法。替代地，用于控制光刻设备的稳定性的严格控制回路可以用于改善在低k1下的图案的再现。
[0007]这些严格控制回路通常是基于使用量测工具而获得的量测数据，所述量测工具测量所施加的图案或表示所施加的图案的量测目标的特性。通常，量测工具是基于图案和/或目标的位置和/或尺寸的光学测量。本质上假定这些光学测量表示集成电路的制造过程的品质。
[0008]除了基于光学测量进行的控制以外，也可以执行基于电子束的测量；在所述基于电子束的测量当中，可以运用一种使用(如由HMI提供的)电子束工具的所谓低电压测量。这
种低电压对比测量指示了被施加至所述衬底的多个层之间的电接触部的品质。
[0009]任何量测或检查花费大量时间且因此仅可以在实际系统中检查经处理的晶片的小部分。不同晶片的检查过程的总体益处将在不同晶片间变化。如此，期望用于作出诸如应检查哪些晶片之类的决策的改善方法。

技术实现思路

[0010]本专利技术人的目的是解决现有技术的所提及的缺点。
[0011]在本专利技术的第一方面中，提供一种用于确定针对至少一个衬底的检查策略的方法，所述方法包括：使用预测模型，基于与所述衬底相关联的预处理数据、以及与所述至少一个衬底相关联的任何可用的后处理数据中的一者或两者来量化与对于与品质要求的顺应性即符合性所进行的预测相关的顺应性指标的顺应性指标即合规性指标；以及基于以下各项决定对于所述至少一个衬底的检查策略：所述顺应性指标值、与所述检查策略相关联的预期成本、以及对在与所述预测模型相关的至少一个目标方面所述检查策略的预期值进行描述的至少一个目标值。
附图说明
[0012]现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中：
[0013]图1描绘光刻设备的示意性概略图；
[0014]图2描绘光刻单元的示意性概略图；
[0015]图3描绘整体光刻的示意性表示，其表示用于优化半导体制造的三种关键技术之间的协作；
[0016]图4是根据本专利技术的第一实施例的作出决策方法的流程图；
[0017]图5是根据本专利技术的第二实施例的作出决策方法的流程图；
[0018]图6是第二实施例的强化学习实施的流程图；以及
[0019]图7包括(a)第二实施例的机器学习模型(例如神经网络)实施的预测方法的流程图和(b)第二实施例的机器学习模型实施的流程图。
具体实施方式
[0020]在本文献中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(例如，具有为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外辐射(EUV，例如，具有在约5nm至100nm的范围内的波长)。
[0021]如本文中所使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为是指可以用于向入射辐射束赋予被图案化的横截面的通用图案形成装置，被图案化的横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案；术语“光阀”也可以用于这种情境下。除了经典掩模(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其它这些图案形成装置的示例也包括：
[0022]‑
可编程反射镜阵列。以引用方式并入本文中的美国专利号5,296,891和5,523,193中给出关于这些反射镜阵列的更多信息。
[0023]‑
可编程LCD阵列。以引用方式并入本文中的美国专利号5,229,872中给出这种构
造的示例。
[0024]图1示意性地描绘光刻设备LA。所述光刻设备LA包括：照射系统(也被称为照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位所述图案形成装置MA的第一定位器PM；衬底台(例如晶片台)WT，所述衬底台被构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位所述衬底的第二定位器PW；以及投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
[0025]在操作中，照射器IL例如经由束传递系统BD从辐射源SO接收辐射束。照射系统IL可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合。照射器IL可以用于调节辐射束B，以在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有期望的空间和角强度分布。
[0026]本文中所使用的术语“投影系统”PS应被广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的各种类型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于确定针对至少一个衬底的检查策略的方法，所述方法包括：使用预测模型，基于与所述衬底相关联的预处理数据以及与所述至少一个衬底相关联的任何可用的后处理数据中的一者或两者来量化与顺应品质要求的预测相关的顺应性指标的顺应性指标值；和基于所述顺应性指标值、与所述检查策略相关联的预期成本、以及在与所述预测模型相关的至少一个目标方面描述所述检查策略的预期值的至少一个目标值，决定针对所述至少一个衬底的检查策略。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个目标包括以下各项中的至少一个：根据一个或更多个性能指标监测和/或改善所述预测模型的性能；加速所述预测模型的学习；发现待由所述预测模型识别的新图案。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个衬底包括一组衬底，决定检查策略的步骤包括决定是否检查所述一组衬底中的每个衬底，并且所述顺应性指标包括描述顺应品质要求的概率的概率值。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：基于与所述一组衬底中的每个衬底对应的所述预处理数据，使用所述预测模型将相应的概率值指派给所述每个衬底。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述决定步骤是可配置的，使得所述决策能够被配置成：向衬底顺应所述品质要求的所述概率的对应分位数施加偏置。6.根据权利要求5所述的方法，其中，经由在所述决定步骤中使用的目标函数的可配置参数来实现所述决定步骤的所述可配置性。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述目标函数包括二元向量，所述二元向量指示哪些衬底被选择以供检查，由取决于所述概率值、预期成本和所述可配置参数的系数来加权所述二元向量，并且所述决定步骤包括针对经受基于所述预期成本的约...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：