DP场效应管制备方法及DP场效应管技术

本申请公开了一种DP场效应管制备方法及DP场效应管。DP场效应管制备方法包括：对外延片进行刻蚀，以形成槽栅；在所述槽栅的两侧注入P型杂质以形成P阱层；通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度；其中，所述P阱层包覆所述槽栅的拐角且所述槽栅两侧的所述P阱层不连通；在所述槽栅的两侧注入N型杂质以形成N型源区。本申请实施例的DP场效应管制备方法，至少具有如下有益效果：通过制备比槽栅更深的P阱层，同时使P阱层包覆槽栅的拐角且槽栅两侧的P阱层不连通，形成DP结构，提高栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。应管的抗短路能力。应管的抗短路能力。

【技术实现步骤摘要】
DP场效应管制备方法及DP场效应管


[0001]本申请涉及半导体
，尤其是涉及一种DP场效应管制备方法及DP场效应管。

技术介绍

[0002]相关技术中，常规的场效应管中槽栅位置易出现高电场，在没有有效屏蔽的情况下栅氧化层容易被击穿，抗短路能力较差。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种DP场效应管制备方法，通过制备比槽栅更深的P阱层，同时使P阱层包覆槽栅的拐角且槽栅两侧的P阱层不连通，形成DP(Double P
‑
shield，双P型屏蔽)结构，提高栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。
[0004]本申请还提出一种利用上述DP场效应管制备方法制备的DP场效应管。
[0005]根据本申请的第一方面实施例的DP场效应管制备方法，包括：对外延片进行刻蚀，以形成槽栅；在所述槽栅的两侧注入P型杂质以形成P阱层；通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度；其中，所述P阱层包覆所述槽栅的拐角且所述槽栅两侧的所述P阱层不连通；在所述槽栅的两侧注入N型杂质以形成N型源区。
[0006]根据本申请实施例的DP场效应管制备方法，至少具有如下有益效果：通过制备比槽栅更深的P阱层，同时使P阱层包覆槽栅的拐角且槽栅两侧的P阱层不连通，形成DP结构，提高栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。
[0007]根据本申请的一些实施例，所述对外延片进行刻蚀，以形成槽栅的步骤，具体包括：在所述外延片上设置保护层；对所述保护层进行蚀刻，以形成沟槽窗口；在所述沟槽窗口的位置蚀刻所述外延片以形成沟槽；在所述外延片上分别沉积栅氧化层和填充层；对所述沟槽之外的栅氧化层和填充层进行蚀刻以形成所述槽栅。
[0008]根据本申请的一些实施例，所述栅氧化层的材料包括二氧化硅、氮氧化硅。
[0009]根据本申请的一些实施例，所述填充层的材料为多晶硅。
[0010]根据本申请的一些实施例，所述通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度的步骤，具体包括：对炉管以预设的初始温度升温；将所述外延片放置于已升温的炉管内；以预设升温速率使所述炉管升温至第一温度，并以第一流量速率通入氧气；其中，所述第一温度高于所述初始温度；根据预设维持时长对所述炉管内的温度进行维持，并以第二流量速率通入氧气；其中，所述第二流量速率小于所述第一流量速率；以预设降温速率使所述炉管降温，并保持以所述第二流量速率通入氧气；当所述炉管的温度降至所述初始温度时，停止通入氧气，取出所述外延片。
[0011]根据本申请的一些实施例，所述通过推结工艺对所述P阱层进行推结的过程中，所述方法还包括：在所述推结工艺中，向所述炉管内以第三流量速率通入保护气体；其中，所
述第三流量速率大于所述第一流量速率。
[0012]根据本申请的一些实施例，所述N型源区的深度小于所述槽栅的深度。
[0013]根据本申请的一些实施例，所述在所述槽栅的两侧注入N型杂质以形成N型源区的步骤之后，所述方法还包括：在所述槽栅上设置抗氧化层；在所述外延片的顶面和底面设置金属层；其中，所述外延片顶面的所述金属层覆盖所述抗氧化层。
[0014]根据本申请的第二方面实施例的DP场效应管，所述DP场效应管由第一方面实施例所述的DP场效应管制备方法制备得到；所述DP场效应管包括：外延片；槽栅，所述槽栅蚀刻于所述外延片上；P阱层，所述P阱层设置于所述槽栅两侧，所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度；N型源区，所述N型源区设置于所述槽栅两侧，所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度；抗氧化层，所述抗氧化层设置于所述槽栅上；金属层，所述金属层设置于所述外延片的顶面和底面，所述外延片顶面的所述金属层覆盖所述抗氧化层。
[0015]根据本申请实施例的DP场效应管，至少具有如下有益效果：通过第一方面实施例的DP场效应管制备方法制备得到DP场效应管，DP场效应管设有比槽栅更深的P阱层，同时使P阱层包覆槽栅的拐角且槽栅两侧的P阱层不连通，提高栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。
[0016]根据本申请的一些实施例，所述槽栅包括拐角面，所述P阱层包裹住所述拐角面。
[0017]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0018]下面结合附图和实施例对本申请做进一步的说明，其中：
[0019]图1为本申请DP场效应管制备方法一种实施例的流程图；
[0020]图2为图1所示步骤S100一种实施例的流程图；
[0021]图3为图1所示步骤S300一种实施例的流程图；
[0022]图4为图1所示步骤S300另一种实施例的流程图；
[0023]图5为本申请DP场效应管制备方法另一种实施例的流程图；
[0024]图6为本申请DP场效应管一种实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0026]在本申请的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0027]在本申请的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的
技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0028]本申请的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请中的具体含义。
[0029]本申请实施例的DP场效应管制备方法可用于制备DP场效应管。相关技术中，常规的场效应管中槽栅位置易出现高电场，在没有有效屏蔽的情况下栅氧化层容易被击穿，抗短路能力较差。
[0030]基于此，本申请提出一种DP场效应管制备方法和DP场效应管，通过制备比槽栅更深的P阱层，同时使P阱层包覆槽栅的拐角且槽栅两侧的P阱层不连通，形成DP结构，提高栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。
[0031]参照图1，本申请实施例的DP场效应管制备方法包括但不限于包括步骤S100至步骤S400：
[0032]S100，对外延片进行刻蚀，以形成槽栅；
[0033]S200，在槽栅的两侧注入P型杂质以形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.DP场效应管制备方法，其特征在于，包括：对外延片进行刻蚀，以形成槽栅；在所述槽栅的两侧注入P型杂质以形成P阱层；通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度；其中，所述P阱层包覆所述槽栅的拐角且所述槽栅两侧的所述P阱层不连通；在所述槽栅的两侧注入N型杂质以形成N型源区。2.根据权利要求1所述的DP场效应管制备方法，其特征在于，所述对外延片进行刻蚀，以形成槽栅的步骤，具体包括：在所述外延片上设置保护层；对所述保护层进行蚀刻，以形成沟槽窗口；在所述沟槽窗口的位置蚀刻所述外延片以形成沟槽；在所述外延片上分别沉积栅氧化层和填充层；对所述沟槽之外的栅氧化层和填充层进行蚀刻以形成所述槽栅。3.根据权利要求2所述的DP场效应管制备方法，其特征在于，所述栅氧化层的材料包括二氧化硅、氮氧化硅。4.根据权利要求2所述的DP场效应管制备方法，其特征在于，所述填充层的材料为多晶硅。5.根据权利要求1至4任一项所述的DP场效应管制备方法，其特征在于，所述通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度的步骤，具体包括：对炉管以预设的初始温度升温；将所述外延片放置于已升温的炉管内；以预设升温速率使所述炉管升温至第一温度，并以第一流量速率通入氧气；其中，所述第一温度高于所述初始温度；根据预设维持时长对所述炉管内的温度进行维持，并以第二流量速率通入氧气；其中，所述第二流量速率小于所述第一流量速率；以预设降温速率使所述炉管降温...

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱忠，
申请(专利权)人：深圳市至信微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：