【技术实现步骤摘要】
一种长波红外芯片的去胶清洗系统
[0001]本申请涉及芯片生产
,尤其涉及一种长波红外芯片的去胶清洗系统。
技术介绍
[0002]在利用光刻机生产长波红外芯片过程中,采用光刻胶喷涂设备使得光刻胶涂覆在基材上,再将光刻胶层暴露在穿过光掩膜的活化辐射源中,使得光掩膜的图案转移至涂有光刻胶的半导体基板上。形成光刻胶图案后,需要将光刻胶去除。
[0003]针对上述相关技术,本申请在实现相关技术方案的过程中,发现至少存在以下技术问题:现有技术一般将芯片放置于超声波清洗池内进行清洗去胶,但由于芯片较于精细,对于芯片上的胶粘附能力较强,导致清洗效果较差。
技术实现思路
[0004]本申请实施例通过提供一种长波红外芯片的去胶清洗系统,解决了现有技术中去胶清洗的效果差的问题,实现了便于提高对芯片清洗去胶的效果的优点。
[0005]本申请实施例提供了一种长波红外芯片的去胶清洗系统,包括超声波清洗箱,所述超声波清洗箱一侧设置有芯片输送装置,所述超声波清洗箱内设置有倾斜的隔水板,所述隔水板较高的一端与所述超声波清洗箱的侧壁间隔设置并形成溢水口,所述隔水板较低的一端与所述超声波清洗箱的另一侧固定连接,所述超声波清洗箱内且位于隔水板的下方设置有加热装置,所述超声波清洗箱的一侧连接有进水管和出水管,所述进水管位于隔水板下方,所述出水管位于隔水板上方且靠近隔水板较低的一端。
[0006]进一步的,所述芯片输送装置包括设置于超声波清洗箱一侧的固定板、转动设置于固定板上的两个链轮、套设于两个链轮外的链条、设 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种长波红外芯片的去胶清洗系统,包括超声波清洗箱(1),其特征在于,所述超声波清洗箱(1)一侧设置有芯片输送装置(2),所述超声波清洗箱(1)内设置有倾斜的隔水板(3),所述隔水板(3)较高的一端与所述超声波清洗箱(1)的侧壁间隔设置并形成溢水口(11),所述隔水板(3)较低的一端与所述超声波清洗箱(1)的另一侧固定连接,所述超声波清洗箱(1)内且位于隔水板(3)的下方设置有加热装置(4),所述超声波清洗箱(1)的一侧连接有进水管(12)和出水管(13),所述进水管(12)位于隔水板(3)下方,所述出水管(13)位于隔水板(3)上方且靠近隔水板(3)较低的一端。2.如权利要求1所述的一种长波红外芯片的去胶清洗系统,其特征在于,所述芯片输送装置(2)包括设置于超声波清洗箱(1)一侧的固定板(21)、转动设置于固定板(21)上的两个链轮(22)、套设于两个链轮(22)外的链条(23)、设置于固定板(21)上并与一个链轮(22)固定的输送电机(24),所述链条(23)上铰接有多个间隔的支架(25),所述支架(25)上设置有安装芯片的夹持装置(5),所述固定板(21)上设置有用于调节支架(25)朝向超声波清洗箱(1)内的导轨(6)。3.如权利要求2所述的一种长波红外芯片的去胶清洗系统,其特征在于,所述导轨(6)包括与链条(23)长度方向一致的横轨(61)、与横轨(61)两端连接的弧形轨(62)、与横轨(61)长度方向一致的竖轨(63)、设置于竖轨(63)两端的斜轨(64)、连接对应弧形轨(62)与斜轨(64)的衔接轨(65),所述横轨(61)、弧形轨(62)、斜轨(64)和竖轨(63)均包括内轨道(611)和外轨道(612),所述横轨(61)、弧形轨(62)的内轨道(611)和外轨道(612)均在同一水平面上间隔设置,所述斜轨(64)、竖轨(63)的内轨道(611)和外轨道(612)均在同一竖直面上间隔设置,所述斜轨(64)的两端均设置有弧形过渡段,所述衔接轨(65)包括与弧形轨(62)外轨道(612)一端连接并与横轨(61)平行的第一直轨条(651)、与斜轨(64)的内轨道(611)一端连接的第二直轨条(652)、两端分别与弧形轨(62)内轨道(611)一端和第二直轨条(652)一端连接的斜轨(64)条,所述第一直轨条(651)和第二直轨条(652)在同一竖直面上间隔设置。4.如权利要求2所述的一种长波红外芯片的去胶清洗系统,其特征在于,所述夹持装置(5)包括垂直设置于支架(25)端部的连接杆(51)、设置于连接杆(51)上的第一卡槽(52)、垂直设置于第一卡槽(52)一侧的第二卡槽(53)、设置于连接杆(51)一侧的定位柱(54)、滑动设置于定位柱(54)上的第三卡槽(55),所述定位柱(54)上套设有定位弹簧(56),所述定位弹簧(56)的两端分别与定位柱(5...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈志鹏,
申请(专利权)人:北京中科飞鸿科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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