酰亚胺-酰胺酸共聚物和其制造方法、清漆以及聚酰亚胺薄膜技术

一种酰亚胺

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】酰亚胺
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酰胺酸共聚物和其制造方法、清漆以及聚酰亚胺薄膜


[0001]本专利技术涉及作为聚酰亚胺树脂的前体的酰亚胺
‑
酰胺酸共聚物和其制造方法、包含共聚物的清漆、以及聚酰亚胺薄膜。

技术介绍

[0002]研究了聚酰亚胺树脂在电气/电子部件等领域中的各种用途。例如，出于器件的轻量化、柔性化的目的，期望将液晶显示器、OLED显示器等图像显示装置中使用的玻璃基板替换为塑料基板，推进了适合作为该塑料基板的聚酰亚胺薄膜的研究。对于这种用途的聚酰亚胺薄膜要求透明性和低的黄色度。
[0003]另外，将涂布于玻璃支撑体、硅晶圆上的清漆加热固化而形成聚酰亚胺薄膜的情况下，在聚酰亚胺薄膜中会产生残余应力。聚酰亚胺薄膜的残余应力如果大，则产生玻璃支撑体、硅晶圆会翘曲之类的问题，因此，对于聚酰亚胺薄膜也要求残余应力的减少。
[0004]关于这一点，例如专利文献1中，为了得到残余应力低、翘曲少、黄色度小、伸长率高的聚酰亚胺薄膜，公开了一种聚酰亚胺前体，其以特定的比率包含2种特定的酰胺酸结构单元。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2017/051827号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]如前述，对于特定用途的聚酰亚胺薄膜要求透明性和低的黄色度。然而，TFT的器件型为LTPS(低温多晶硅TFT)时，是超过400℃的工艺温度，对于成为基板的聚酰亚胺要求耐受400℃以上的高温的耐热性，要求在这样的热历程中也维持透明性和低的黄色度。
[0010]另外，如前述，出于支撑体的翘曲的问题，还要求减少残余应力。进而，出于与构成器件的无机层的线热膨胀率的差异，出于担心接合面中的剥离、制品的变形的理由，也需要减少线热膨胀系数。
[0011]专利文献1中公开了减少残余应力、减少黄色度的技术，但尚不充分，特别是无法得到维持透明性和低的黄色度、且耐热性等优异的聚酰亚胺薄膜。
[0012]本专利技术是鉴于这种情况而作出的，本专利技术的课题在于，提供：能得到残余应力和线热膨胀系数低、透明性和耐热性优异、黄色度低的聚酰亚胺薄膜的、聚酰亚胺树脂的前体即酰亚胺
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酰胺酸共聚物和其制造方法、包含该共聚物的清漆、以及聚酰亚胺薄膜。
[0013]用于解决问题的方案
[0014]本专利技术人等发现包含特定结构单元的组合的共聚物可以解决上述课题，至此完成了专利技术。
[0015]即，本专利技术涉及下述的[1]～[18]。
[0016][1]一种酰亚胺
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酰胺酸共聚物，其包含：下述式(1)所示的、由酰亚胺部分(IM)与酰胺酸部分(AM1)和酰胺酸部分(AM2)构成的重复单元。
[0017][0018](式(1)中，
[0019]X1为碳数4～39的4价的芳香族基团、且任选具有选自由
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O
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、
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SO2‑
、
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CO
‑
、
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CH2‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C2H4O
‑
和
‑
S
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组成的组中的至少1者作为连接基团，
[0020]X2为不同于X1的碳数4～39的4价的芳香族基团、且任选具有选自由
‑
O
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
CO
‑
、
‑
CH2‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C2H4O
‑
和
‑
S
‑
组成的组中的至少1者作为连接基团，
[0021]Y1为选自由下述式(2)、下述通式(3)和下述通式(4)组成的组中的至少任1者所示的基团，
[0022]Y2为下述通式(5)所示的基团，
[0023]s、t和u为正的整数。)
[0024][0025](式(3)中，Z1表示单键、或
‑
O
‑
所示的基团，
[0026]式(4)中，R各自独立地表示氢原子、氟原子或碳数1～5的烷基。)
[0027][0028](式(5)中，Z2、Z3各自独立地表示
‑
COO
‑
所示的基团、或
‑
OCO
‑
所示的基团，R1、R2、R3各自独立地表示碳数1～20的1价的有机基团，h、i、j、k为0～4的整数。)
[0029][2]根据前述[1]所述的酰亚胺
‑
酰胺酸共聚物，其中，前述s为1～50、且前述t为1～50。
[0030][3]根据前述[1]或[2]所述的酰亚胺
‑
酰胺酸共聚物，其中，前述u为5～200。
[0031][4]根据前述[1]～[3]中任一项所述的酰亚胺
‑
酰胺酸共聚物，其中，前述X1为下述式(6)所示的基团。
[0032][0033][5]根据前述[1]～[4]中任一项所述的酰亚胺
‑
酰胺酸共聚物，其中，前述X2为下述式(7)所示的基团。
[0034][0035][6]根据前述[1]～[5]中任一项所述的酰亚胺
‑
酰胺酸共聚物，其中，前述酰亚胺部分(IM)具有：源自四羧酸二酐的结构单元X1A和源自二胺的结构单元Y1B，
[0036]前述酰胺酸部分(AM1)具有：源自四羧酸二酐的结构单元X2A、源自二胺的结构单元Y1B，
[0037]前述酰胺酸部分(AM2)具有：源自四羧酸二酐的结构单元X2A、源自二胺的结构单元Y2B，
[0038]结构单元X1A包含：源自芳香族四羧酸二酐的结构单元，
[0039]结构单元X2A包含：不同于结构单元X1A的源自芳香族四羧酸二酐的结构单元，
[0040]结构单元Y1B包含：源自二胺(b1)的结构单元(B1)，结构单元(B1)包含选自由源自下述式(b11)所示的化合物的结构单元(B11)、源自下述通式(b12)所示的化合物的结构单元(B12)和源自下述通式(b13)所示的化合物的结构单元(B13)组成的组中的至少任一者，
[0041]结构单元Y2B包含：源自下述通式(b2)所示的化合物的结构单元(B2)。
[0042][0043](式(b12)中，Z1表示单键、或
‑
O
‑
所示的基团。
[0044]式(b13)中，R各自独立地表示氢原子、氟原子或碳数1～5的烷基。
[0045]式(b2)中，Z2、Z3各自独立地表示
‑
COO
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所示的基团、或
‑
OCO
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种酰亚胺
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酰胺酸共聚物，其包含：下述式(1)所示的、由酰亚胺部分(IM)与酰胺酸部分(AM1)和酰胺酸部分(AM2)构成的重复单元，式(1)中，X1为碳数4～39的4价的芳香族基团、且任选具有选自由
‑
O
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、
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SO2‑
、
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CO
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、
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CH2‑
、
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C(CH3)2‑
、
‑
C2H4O
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和
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S
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组成的组中的至少1者作为连接基团，X2为不同于X1的碳数4～39的4价的芳香族基团、且任选具有选自由
‑
O
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
CO
‑
、
‑
CH2‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C2H4O
‑
和
‑
S
‑
组成的组中的至少1者作为连接基团，Y1为选自由下述式(2)、下述通式(3)和下述通式(4)组成的组中的至少任1者所示的基团，Y2为下述通式(5)所示的基团，s、t和u为正的整数，式(3)中，Z1表示单键、或
‑
O
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所示的基团，式(4)中，R各自独立地表示氢原子、氟原子或碳数1～5的烷基，式(5)中，Z2、Z3各自独立地表示
‑
COO
‑
所示的基团、或
‑
OCO
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所示的基团，R1、R2、R3各自独立地表示碳数1～20的1价的有机基团，h、i、j、k为0～4的整数。2.根据权利要求1所述的酰亚胺
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酰胺酸共聚物，其中，所述s为1～50、且所述t为1～50。3.根据权利要求1或2所述的酰亚胺
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酰胺酸共聚物，其中，所述u为5～200。4.根据权利要求1～3中任一项所述的酰亚胺
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酰胺酸共聚物，其中，所述X1为下述式(6)所示的基团，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的酰亚胺
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酰胺酸共聚物，其中，所述X2为下述式(7)所示的基团，6.根据权利要求1～5中任一项所述的酰亚胺
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酰胺酸共聚物，其中，所述酰亚胺部分(IM)具有：源自四羧酸二酐的结构单元X1A和源自二胺的结构单元Y1B，所述酰胺酸部分(AM1)具有：源自四羧酸二酐的结构单元X2A、源自二胺的结构单元Y1B，所述酰胺酸部分(AM2)具有：源自四羧酸二酐的结构单元X2A、源自二胺的结构单元Y2B，结构单元X1A包含：源自芳香族四羧酸二酐的结构单元，结构单元X2A包含：不同于结构单元X1A的源自芳香族四羧酸二酐的结构单元，结构单元Y1B包含：源自二胺(b1)的结构单元(B1)，结构单元(B1)包含选自由源自下述式(b11)所示的化合物的结构单元(B11)、源自下述通式(b12)所示的化合物的结构单元(B12)和源自下述通式(b13)所示的化合物的结构单元(B13)组成的组中的至少任一者，结构单元Y2B包含：源自下述通式(b2)所示的化合物的结构单元(B2)，式(b12)中，Z1表示单键、或
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O
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所示的基团，式(b13)中，R各自独立地表示氢原子、氟原子或碳数1～5的烷基，式(b2)中，Z2、Z3各自独立地表示
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COO
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所示的基团、或
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OCO
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所示的基团，R1、R2、R3各自独立地表示碳数1～20的1价的有机基团，h、i、j、k为0～4的整数。7.根据权利要求6所述的酰亚胺
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酰胺酸共聚物，其中，结构单元X2A包含：源自芳香族四羧酸二酐(a2)的结构单元(A2)，
结构单元(A2)包含选自由源自下述式(a21)所示的化合物的结构单元(A21)、源自下述式(a22)所示的化合物的结构单元(A22)、源自下述式(a23)所示的化合物的结构单元(A23)、源自下述式(a24)所示的化合物的结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：安孙子洋平，大东葵，石井健太郎，三田寺淳，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：