一种高温无弯曲基板材料制造技术

本发明专利技术提供一种高温无弯曲基板材料，可以耐高温，防止基板弯曲，包括氟聚合物和陶瓷填充材；所述陶瓷填充材包括陶瓷Al2O3粉末，镁橄榄石粉末，硼硅酸玻璃粉末；所述氟聚合物为聚四氟乙烯、六氟丙烯、四氟乙烯以及全氟烷基乙烯基醚中任意一种或多种；还包括去甲苯

【技术实现步骤摘要】
一种高温无弯曲基板材料


[0001]本专利技术主要涉及半导体材料领域，尤其涉及一种高温无弯曲基板材料。

技术介绍

[0002]基板材料(substratematerial)是制造半导体元件及印制电路板的基础材料，如半导体工业用的材料硅、砷化镓、硅外延针稼拓榴石等。
[0003]现有的倒装焊接工程，在高温作业时，基板受高温，存在弯曲，不可控因素较高，所以无法控制焊接时芯片与基板间断路的问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的上述缺陷，本专利技术提供一种高温无弯曲基板材料，可以耐高温，防止基板弯曲。
[0005]一种高温无弯曲基板材料，包括氟聚合物和陶瓷填充材；
[0006]其特征在于，所述陶瓷填充材包括陶瓷Al2O3粉末，镁橄榄石粉末，硼硅酸玻璃粉末；
[0007]所述氟聚合物为聚四氟乙烯、六氟丙烯、四氟乙烯以及全氟烷基乙烯基醚中任意一种或多种；
[0008]还包括去甲苯
‑
乙醇共沸混合物溶剂和分散剂，粘合剂。
[0009]优选的，所述陶瓷粉末包括二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、氮化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌以及氧化钡中的任意一种或多种，设置30
‑
40份。
[0010]优选的，所述镁橄榄石粉末设置20
‑
30份。
[0011]优选的，所述硼硅酸玻璃粉末设置35
‑
45份。
[0012]优选的，所述甲苯
‑
乙醇共沸混合物溶剂：分散剂＝95
‑
100：95。
[0013]优选的，所述分散剂为磷酸三乙酯。
[0014]优选的，所述所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛。
[0015]本专利技术的有益效果：提高基板使用寿命。
具体实施方式
[0016]下面对本实用进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本专利技术的保护范围有任何的限制作用。
[0017]本专利技术提供一种高温无弯曲基板材料，
[0018]一种高温无弯曲基板材料，包括氟聚合物和陶瓷填充材；
[0019]其特征在于，所述陶瓷填充材包括陶瓷Al2O3粉末，镁橄榄石粉末，硼硅酸玻璃粉末；
[0020]所述氟聚合物为聚四氟乙烯、六氟丙烯、四氟乙烯以及全氟烷基乙烯基醚中任意一种或多种；
[0021]还包括去甲苯
‑
乙醇共沸混合物溶剂和分散剂，粘合剂。
[0022]本实施例中优选的，所述陶瓷粉末包括二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、氮化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌以及氧化钡中的任意一种或多种，设置30
‑
40份。
[0023]本实施例中优选的，所述镁橄榄石粉末设置20
‑
30份。
[0024]本实施例中优选的，所述硼硅酸玻璃粉末设置35
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45份。
[0025]本实施例中优选的，所述甲苯
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乙醇共沸混合物溶剂：分散剂＝95
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100：95。
[0026]本实施例中优选的，所述分散剂为磷酸三乙酯。
[0027]本实施例中优选的，所述所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛。
[0028]需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0029]以上所述的本专利技术实施方式，并不构成对本专利技术保护范围的限定。任何在本专利技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的权利要求保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温无弯曲基板材料，包括氟聚合物和陶瓷填充材；其特征在于，所述陶瓷填充材包括陶瓷Al2O3粉末，镁橄榄石粉末，硼硅酸玻璃粉末；所述氟聚合物为聚四氟乙烯、六氟丙烯、四氟乙烯以及全氟烷基乙烯基醚中任意一种或多种；还包括去甲苯
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乙醇共沸混合物溶剂和分散剂，粘合剂。2.根据权利要求1所述的高温无弯曲基板材料，其特征在于：所述陶瓷粉末包括二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、氮化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌以及氧化钡中的任意一种或多种，设置30
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40份。3.根据权利要求2所述的高温无弯曲基板材...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，
申请(专利权)人：海太半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：