一种射频开关电路及射频模块制造技术

本申请公开了一种射频开关电路及射频模块，在射频开关支路和偏置电路的基础上设置旁路电路，射频开关支路由多个MOS管串联而成；偏置电路的第一端与偏置电压输出端连接，偏置电路的第二端与MOS管的控制端连接；旁路电路与偏置电路中的电阻并联，用于在电阻两端电压突变时将电阻旁路。在偏置电压输出端的逻辑信号切换时，偏置电路的电阻两端电压会发生突变，使旁路电路导通将偏置电路的电阻旁路，MOS管的栅极被快速充电，使得MOS管快速打开或关闭；当充放电过程结束后，偏置电路的电阻两端电压恢复稳定，从而继续从偏置电路导通，不影响射频性能，进而在保证射频性能的同时大大降低了射频开关的切换时间。射频开关的切换时间。射频开关的切换时间。

【技术实现步骤摘要】
一种射频开关电路及射频模块


[0001]本申请涉及通信
，特别是涉及一种射频开关电路及射频模块。

技术介绍

[0002]射频模组是移动智能终端产品的核心组成部分，主要包括功率放大器、天线开关、滤波器、双工器和低噪声放大器(LNA)等。射频开关电路是射频模组中重要的一部分，其核心是通常由多个MOS管串联而成的射频开关支路。图1为现有技术中的一种射频开关电路的电路图。如图1所示，由MOS管M1、M2、M3、M4串联形成了射频通路。此外，控制器的偏置电压输出端(bias)和各MOS管的栅极之间的偏置电路上，还需要设置偏置电阻，具体连接方式可以如图1所述的电阻R1、R2、R3、R4、R5。这是由于MOS管寄生电容的存在，若不设置偏置电阻或偏置电阻的阻值较小，将导致在射频信号发生变化时MOS管的栅源压差无法保持，进而导致MOS管频繁切换开关，因此需要设置阻值较大的偏置电阻与MOS管寄生电容分压来保证MOS管状态的稳定性。
[0003]然而，阻值较大的偏置电阻和MOS管寄生电容组成的RC电路又造成了偏置电压输出端的电压变化到MOS管栅极电压变化的较大延迟，导致射频开关切换时间较长。
[0004]因此，现有技术中需要考虑偏置电阻阻值大小的均衡设置，难以在保证射频性能的同时降低射频开关的切换时间。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供一种射频开关电路及射频模块，用于在保证射频性能的同时降低射频开关的切换时间。
[0006]为解决上述技术问题，本申请提供一种射频开关电路，其特征在于，包括：射频开关支路，偏置电路和旁路电路；
[0007]其中，所述射频开关支路由多个MOS管串联而成；所述偏置电路的第一端与偏置电压输出端连接，所述偏置电路的第二端与所述MOS管的控制端连接；所述旁路电路与所述偏置电路中的电阻并联，以在所述电阻两端电压突变时将所述电阻旁路。
[0008]可选的，所述旁路电路具体为双向二极管电路。
[0009]可选的，所述偏置电路具体包括第一电阻和第二电阻；
[0010]其中，所述第二电阻与所述MOS管一一对应；所述第一电阻的第一端与所述偏置电压输出端连接，所述第一电阻的第二端与各所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与对应的所述MOS管的栅极连接。
[0011]可选的，所述旁路电路具体包括第一旁路电路和第二旁路电路；
[0012]其中，所述第一旁路电路并联于所述第一电阻两端；所述第二旁路电路与所述第二电阻一一对应，各所述第二旁路电路的第一端均与所述第一电阻的第一端连接，所述第二旁路电路的第二端与对应的所述第二电阻的第二端连接。
[0013]可选的，所述旁路电路具体为并联于所述第一电阻两端的第三旁路电路。
[0014]可选的，所述旁路电路具体包括至少一个第四旁路电路；
[0015]所述第四旁路电路的第一端与所述第一电阻的第一端连接，所述第四旁路电路的第二端与对应的所述第二电阻的第二端连接。
[0016]可选的，所述第四旁路电路与所述第二电阻一一对应。
[0017]可选的，所述MOS管的数量具体为四个。
[0018]为解决上述技术问题，本申请还提供一种射频模块，包括上述任意一项所述的射频开关电路。
[0019]本申请所提供的射频开关电路，在射频开关支路和偏置电路的基础上设置旁路电路，其中，射频开关支路由多个MOS管串联而成；偏置电路的第一端与偏置电压输出端连接，偏置电路的第二端与MOS管的控制端连接；旁路电路与偏置电路中的电阻并联，用于在电阻两端电压突变时将电阻旁路。由于设置了旁路电路，在偏置电压输出端的逻辑信号切换时，偏置电路的电阻两端电压会发生突变，使旁路电路导通将偏置电路的电阻旁路，MOS管的栅极被快速充电，使得MOS管快速打开或关闭；当充放电过程结束后，偏置电路的电阻两端电压恢复稳定，从而继续从偏置电路导通，不影响射频性能。因此，偏置电路电阻的阻值可以充分考虑射频性能来设置，从而在保证射频性能的同时大大降低了射频开关的切换时间。
[0020]本申请还提供一种射频模块，具有上述有益效果，在此不再赘述。
附图说明
[0021]为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为现有技术中的一种射频开关电路的电路图；
[0023]图2为本申请实施例提供的第一种射频开关电路的电路图；
[0024]图3为本申请实施例提供的第二种射频开关电路的电路图；
[0025]图4为本申请实施例提供的第三种射频开关电路的电路图；
[0026]图5为本申请实施例提供的第四种射频开关电路的电路图。
具体实施方式
[0027]本申请的核心是提供一种射频开关电路及射频模块，用于在保证射频性能的同时降低射频开关的切换时间。
[0028]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0029]图2为本申请实施例提供的第一种射频开关电路的电路图。
[0030]如图2所示，本申请实施例提供的射频开关电路包括：射频开关支路，偏置电路和旁路电路；
[0031]其中，射频开关支路由多个MOS管串联而成；偏置电路的第一端与偏置电压输出端
bias连接，偏置电路的第二端与MOS管的控制端连接；旁路电路与偏置电路中的电阻并联，以在电阻两端电压突变时将电阻旁路。
[0032]在具体实施中，MOS管的数量大于一个即可，如可以采用四个MOS管串联形成射频开关支路，即与图1相同的MOS管(M1、M2、M3、M4)，相邻的MOS管的源极和漏极连接，从而串联形成射频通路。
[0033]与图1类似的，如图2所示，偏置电路具体可以包括第一电阻R1和第二电阻(R2、R3、R4、R5)；
[0034]其中，第二电阻(R2、R3、R4、R5)与MOS管(M1、M2、M3、M4)一一对应；第一电阻R1的第一端与偏置电压输出端bias连接，第一电阻R1的第二端与各第二电阻(R2、R3、R4、R5)的第一端连接，第二电阻(R2、R3、R4、R5)的第二端与对应的MOS管(M1、M2、M3、M4)的栅极连接。
[0035]此外，偏置电路还可以为其他形式，如仅设置与MOS管一一对应的第二电阻。
[0036]当切换射频开关的状态时，偏置电压输出端输出的电压发生变化，使得偏置电路中的电阻电压发生突变，利用并联于偏置电路的电阻两端的旁路电路以在电阻两端电压发生突变时将电阻旁路，从而MOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频开关电路，其特征在于，包括：射频开关支路，偏置电路和旁路电路；其中，所述射频开关支路由多个MOS管串联而成；所述偏置电路的第一端与偏置电压输出端连接，所述偏置电路的第二端与所述MOS管的控制端连接；所述旁路电路与所述偏置电路中的电阻并联，以在所述电阻两端电压突变时将所述电阻旁路。2.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述旁路电路具体为双向二极管电路。3.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述偏置电路具体包括第一电阻和第二电阻；其中，所述第二电阻与所述MOS管一一对应；所述第一电阻的第一端与所述偏置电压输出端连接，所述第一电阻的第二端与各所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与对应的所述MOS管的栅极连接。4.根据权利要求3所述的射频开关电路，其特征在于，所述旁路电路具体包括第一旁路电路和第二旁路电路；其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾真，张春栋，朱俊锋，陈晓哲，胡念楚，贾斌，
申请(专利权)人：麦姆斯通信技术上海有限公司麦姆斯通信技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：