一种发光二极管器件及封装方法技术

本申请公开了一种发光二极管器件及封装方法。该发光二极管器件包括基板、发光芯片和封装层，发光芯片设置于基板一侧表面，封装层盖设于发光芯片的表面；其中，封装层由包括低熔点玻璃粉和荧光粉的混合材料制成。发光二极管器件通过低熔点玻璃粉自身熔化及固化成型实现封装，对发光芯片的封装更加紧密，形成的发光二极管器件可以完全避免水汽、硫元素等的渗入而损害发光芯片，提高了发光二极管器件的可靠性和寿命。与传统使用胶体封装形成的发光二极管器件相比，避免了胶体因老化而吸光而使光二极管器件的光效下降以及使发光二极管器件出现胶裂失去封装作用。且封装层为无机材料，可支持发光二极管器件在大功率或高温环境下正常工作。下正常工作。下正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管器件及封装方法


[0001]本申请涉及发光二极管
，特别涉及一种发光二极管器件及封装方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)作为一种固态光源，因其相对白炽灯、荧光灯等传统光源具有发光效率高、使用寿命长、体积小易光学设计等优点，已经在照明、显示、信号指示等领域成为主流的光源产品。作为一种半导体发光元件，目前主要的白光LED为通过氮化镓芯片发出蓝光，钇铝石榴石(YAG)荧光粉将部分蓝光转化为黄光，剩余蓝光与黄光共同射出而实现白光。
[0003]通常的LED封装为将YAG荧光粉与硅胶或者环氧树脂混合后涂布与氮化镓芯片表面并固化，或者将含有YAG荧光粉的陶瓷玻璃片通过有机胶体贴于芯片表面并在芯片周围点围坝胶的方式实现。这些封装方式的芯片均与有机胶体直接接触，LED芯片在发光同时会有大量热产生，而有机胶体对水阻隔性较差，渗入的水汽易使元件失效，且在高温的芯片和高光子能量的蓝光环境下，有机胶体易老化变性。有机胶体在老化变性后会吸收更多光线使LED光效下降，严重时胶体会与封装基板分离或自身产生胶裂失去封装作用，损坏元件电路使LED失效。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种发光二极管器件及封装方法，以解决传统发光二极管器件的封装阻隔性差，封装材料易老化变性而使发光二极管器件失效的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种发光二极管器件，包括：基板；发光芯片，所述发光芯片设置于基板一侧表面；封装层，所述封装层盖设于所述芯片的表面；其中，所述封装层由包括低熔点玻璃粉和荧光粉的混合材料制成。
[0006]可选地，所述封装层贴合设置于所述芯片的表面。
[0007]可选地，所述封装层的厚度范围为10
‑
1000微米。
[0008]可选地，所述芯片焊接固连于所述基板一侧表面。
[0009]为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种发光二极管器件的封装方法，包括：提供芯片，将所述芯片设置于基板的一侧表面；在所述芯片表面涂布混合材料，其中，所述混合材料包括低熔点玻璃粉以及荧光粉；加热所述混合材料至所述低熔点玻璃粉熔化，并在冷却后形成封装层盖设于所述芯片的表面，得到所述发光二极管器件。
[0010]可选地，所述加热所述混合材料至所述低熔点玻璃粉熔化，并在冷却后形成封装层盖设于所述芯片的表面，得到所述发光二极管器件的步骤，包括：将所述混合材料加热至300
‑
400摄氏度，使所述低熔点玻璃粉熔化，并在冷却后形成封装层盖设于所述芯片的表面，得到所述发光二极管器件。
[0011]可选地，所述加热所述混合材料至所述低熔点玻璃粉熔化，并在冷却后形成封装
层盖设于所述芯片的表面，得到所述发光二极管器件的步骤，包括：在负压环境下加热所述混合材料至所述低熔点玻璃粉熔化，并在冷却后形成封装层盖设于所述芯片的表面，得到所述发光二极管器件。
[0012]可选地，所述芯片焊接于所述基板表面。
[0013]可选地，提供多个所述芯片，并将多个所述芯片呈阵列分布设置于所述基板的一侧表面；所述在所述芯片表面涂布混合材料，其中，所述混合材料包括低熔点玻璃粉以及荧光粉的步骤，包括：将所述芯片表面以及多个所述芯片之间的间隔区域均涂布混合材料，以在所述芯片表面以及所述间隔区域均形成所述封装层；所述加热所述混合材料至所述低熔点玻璃粉熔化，并在冷却后形成封装层盖设于所述芯片的表面的步骤之后，还包括：将所述基板沿所述多个芯片形成的间隔区域进行切割，以将各个所述发光二极管器件一一分离开。
[0014]可选地，所述将所述基板沿所述多个芯片形成的间隔区域进行切割，以将各个所述发光二极管器件一一分离开的步骤，包括：通过激光切割或者机械切割的方式，将所述基板沿所述多个芯片形成的间隔区域进行切割，以将各个所述发光二极管器件一一分离开。
[0015]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供一种发光二极管器件及封装方法，该发光二极管器件包括基板、发光芯片和封装层，发光芯片设置于基板一侧表面，封装层盖设于发光芯片的表面；其中，封装层由包括低熔点玻璃粉和荧光粉的混合材料制成。发光二极管器件通过低熔点玻璃粉自身熔化及固化成型实现封装，对发光芯片的封装更加紧密，形成的发光二极管器件可以完全避免水汽、硫元素等的渗入而损害其中的发光芯片及焊盘，提高了发光二极管器件的可靠性和寿命。同时与传统使用胶体封装形成的发光二极管器件相比，避免了胶体因老化而吸光而使光二极管器件的光效下降以及使发光二极管器件出现胶裂失去封装作用。另外，由包括低熔点玻璃粉和荧光粉的混合材料形成的玻璃态封装层能够更加充分紧密接触，且玻璃态封装层材料的折射率处于空气和发光芯片之间，能够更加高效的提取发光芯片产生的光线，提高发光二极管器件发光效率。且封装层为无机材料，可支持发光二极管器件在大功率或高温环境下正常工作。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例技术方案，下面将对实施例和现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0017]图1是本申请提供的发光二极管器件一实施例的结构示意图；
[0018]图2是本申请提供的发光二极管器件的封装方法一实施例的流程示意图；
[0019]图3是本申请提供的发光二极管器件的封装方法另一实施例的流程示意图；
[0020]图4是多个发光芯片的分布结构示意图；
[0021]图5是多个发光芯片形成封装层后的结构示意图。
具体实施方式
[0022]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例
中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0023]本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管器件，其特征在于，包括：基板；发光芯片，所述发光芯片设置于基板一侧表面；封装层，所述封装层盖设于所述发光芯片的表面；其中，所述封装层由包括低熔点玻璃粉和荧光粉的混合材料制成。2.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述封装层贴合设置于所述发光芯片的表面。3.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述封装层的厚度范围为10
‑
1000微米。4.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述发光芯片焊接固连于所述基板一侧表面。5.一种发光二极管器件的封装方法，其特征在于，包括：提供发光芯片，将所述发光芯片设置于基板的一侧表面；在所述发光芯片表面涂布混合材料，其中，所述混合材料包括低熔点玻璃粉以及荧光粉；加热所述混合材料至所述低熔点玻璃粉熔化，并在冷却后形成封装层盖设于所述发光芯片的表面，得到所述发光二极管器件。6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述加热所述混合材料至所述低熔点玻璃粉熔化，并在冷却后形成封装层盖设于所述发光芯片的表面，得到所述发光二极管器件的步骤，包括：将所述混合材料加热至300
‑
400摄氏度，使所述低熔点玻璃粉熔化，并在冷却后形成封装层盖设于所述发光芯片的表面，得到所述发光二极管器件。7.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述加热所述混合材料至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张旺，柴广跃，
申请(专利权)人：深圳技术大学，
类型：发明
国别省市：