电荷位置确定方法及装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸

本公开提供一种电荷位置确定方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉及半导体生产与制造技术领域。该方法包括：配置作用于目标器件的至少一测量条件；确定目标器件在每个测量条件下对应的目标平带电压；获取预先配置的电压距离关联规则；电压距离关联规则包括电荷位置与平带电压之间的关联关系；基于电压距离关联规则与至少一目标平带电压，确定目标器件中的移动电荷在目标器件中的电荷位置。本公开可以快速确定出移动例子电荷在栅氧化层中的电荷位置，并对半导体器件的器件阈值电压进行分析。进行分析。进行分析。

【技术实现步骤摘要】
电荷位置确定方法及装置、电子设备和存储介质


[0001]本公开涉及半导体生产与制造
，具体而言，涉及一种电荷位置确定方法、电荷位置确定装置、电子设备以及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]MOSFET金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET)；其中，MOS是MOSFET的缩写。在实际生产制造过程中，影响MOS器件及其集成电路可靠性的因素很多，包括：设计方面，如材料、器件和工艺等的选取；工艺方面，如物理、化学等工艺的不稳定性；使用方面，如电、热、机械等的应力和水汽等的侵入等。
[0003]在实际制备的MOS器件的栅氧化层中存在大量电荷，过剩电荷在栅氧化层中的位置将影响器件的平带电压，从而影响器件阈值电压。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于提供一种电荷位置确定方法、电荷位置确定装置、电子设备以及计算机可读存储介质，进而至少在一定程度上克服无法快速确定出可动离子电荷在半导体器件的栅氧化层中的位置的问题。
[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。
[0007]根据本公开的第一方面，提供一种电荷位置确定方法，包括：配置作用于目标器件的至少一测量条件；确定所述目标器件在每个所述测量条件下对应的目标平带电压；获取预先配置的电压距离关联规则；所述电压距离关联规则包括电荷位置与平带电压之间的关联关系；基于所述电压距离关联规则与至少一所述目标平带电压，确定所述目标器件中的移动电荷在所述目标器件中的电荷位置。
[0008]在本公开的一种示例性实施方案中，所述测量条件包括第一测量条件、第二测量条件与基准测量条件；所述确定所述目标器件在每个所述测量条件下对应的目标平带电压，包括：确定所述目标器件在所述第一测量条件下的第一目标平带电压；所述第一测量条件包括测量温度大于温度阈值且测量电压小于电压阈值；确定所述目标器件在所述第二测量条件下的第二目标平带电压；所述第二测量条件包括所述测量温度大于所述温度阈值且所述测量电压大于或等于所述电压阈值；确定所述目标器件在所述基准测量条件下的基准平带电压。
[0009]在本公开的一种示例性实施方案中，在所述确定所述目标器件在每个所述测量条件下对应的目标平带电压之前，上述方法还包括：获取多个半导体器件；确定各所述半导体器件在所述第一测量条件下分别对应的第一平带电压；确定各所述半导体器件在所述第二
测量条件下分别对应的第二平带电压；根据多个所述半导体器件各自对应的所述第一平带电压与所述第二平带电压，构建器件电压数据库。
[0010]在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定各所述半导体器件在所述第一测量条件下分别对应的第一平带电压，包括：获取多个所述半导体器件各自对应的生产制程类型；获取属于同一生产制程类型的半导体器件，并生成对应的同类型器件集合；所述同类型器件集合包括多个同类型器件；确定所述同类型器件集合中多个所述同类型器件对应的所述第一平带电压。
[0011]在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定所述同类型器件集合中多个所述同类型器件对应的所述第一平带电压，包括：确定各所述同类型器件在所述第一测量条件下分别对应的第一初始平带电压；根据得到的多个所述第一初始平带电压确定所述第一平带电压。
[0012]在本公开的一种示例性实施方案中，多个所述半导体器件的均具有不同的生产制程类型；所述确定各所述半导体器件在所述第一测量条件下分别对应的第一平带电压，包括：对多个所述半导体器件逐一执行下述操作：对所述半导体器件施加所述第一测量条件，使得所述半导体器件中的移动电荷移动至栅极氧化层侧；在间隔预设时间段后，将所述第一测量条件中的测量温度从初始的第一测量温度降低至第二测量温度；所述第二测量温度小于所述温度阈值；将所述半导体器件在所述第二测量温度下的平带电压，作为所述第一平带电压。
[0013]在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定各所述半导体器件在所述第二测量条件下分别对应的第二平带电压，包括：获取基于所述生产制程类型确定出的至少一同类型器件集合；所述同类型器件集合包括多个同类型器件；确定每个所述同类型器件集合中包含的多个所述同类型器件对应的所述第二平带电压。
[0014]在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定每个所述同类型器件集合中包含的多个所述同类型器件对应的所述第二平带电压，包括：确定各所述同类型器件在所述第二测量条件下分别对应的第二初始平带电压；根据得到的多个所述第二初始平带电压确定所述第二平带电压。
[0015]在本公开的一种示例性实施方案中，多个所述半导体器件的均具有不同的生产制程类型；所述确定各所述半导体器件在所述第二测量条件下分别对应的第二平带电压，包括：对多个所述半导体器件逐一执行下述操作：对所述半导体器件施加所述第二测量条件，使得所述半导体器件中的移动电荷移动至固定氧化层侧；在间隔预设时间段后，将所述第二测量条件中的测量温度从初始的第一测量温度降低至第二测量温度；所述第二测量温度小于所述温度阈值；将所述半导体器件在所述第二测量温度下的平带电压，作为所述第二平带电压。
[0016]在本公开的一种示例性实施方案中，所述方法还包括：确定所述目标器件对应的目标生产制程类型；确定预先构建的器件电压数据库中是否包含所述目标生产制程类型；如果所述器件电压数据库中包含所述目标生产制程类型，则从所述器件电压数据库中获取所述第一目标平带电压与所述第二目标平带电压；如果所述器件电压数据库中不包含所述目标生产制程类型，则分别对所述目标器件施加第一测量条件与第二测量条件，以得到所述第一目标平带电压与所述第二目标平带电压。
[0017]在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定所述目标器件在基准测量条件下的基准平带电压，包括：将所述目标器件的测量温度配置为基准测试温度值；将所述目标器件的测量电压配置为基准测试电压值；将所述目标器件在所述基准测试温度值与基准测试电压值共同作用下的平带电压，确定为所述基准平带电压。
[0018]在本公开的一种示例性实施方案中，所述目标平带电压包括基准平带电压、第一目标平带电压与第二目标平带电压；所述基于所述电压距离关联规则与至少一所述目标平带电压，确定所述目标器件中的移动电荷在所述目标器件中的电荷位置，包括：确定所述目标器件中栅氧化层的栅氧化层厚度；根据所述栅氧化层厚度、所述基准平带电压、所述第一目标平带电压与所述第二目标平带电压，结合所述电压距离关联规则确定所述移动电荷的电荷位置。
[0019]在本公开的一种示例性实施方案中，所述电荷位置包括所述移动电荷距离所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电荷位置确定方法，其特征在于，包括：配置作用于目标器件的至少一测量条件；确定所述目标器件在每个所述测量条件下对应的目标平带电压；获取预先配置的电压距离关联规则；所述电压距离关联规则包括电荷位置与平带电压之间的关联关系；基于所述电压距离关联规则与至少一所述目标平带电压，确定所述目标器件中的移动电荷在所述目标器件中的电荷位置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量条件包括第一测量条件、第二测量条件与基准测量条件；所述确定所述目标器件在每个所述测量条件下对应的目标平带电压，包括：确定所述目标器件在所述第一测量条件下的第一目标平带电压；所述第一测量条件包括测量温度大于温度阈值且测量电压小于电压阈值；确定所述目标器件在所述第二测量条件下的第二目标平带电压；所述第二测量条件包括所述测量温度大于所述温度阈值且所述测量电压大于或等于所述电压阈值；确定所述目标器件在所述基准测量条件下的基准平带电压。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述确定所述目标器件在每个所述测量条件下对应的目标平带电压之前，所述方法还包括：获取多个半导体器件；确定各所述半导体器件在所述第一测量条件下分别对应的第一平带电压；确定各所述半导体器件在所述第二测量条件下分别对应的第二平带电压；根据多个所述半导体器件各自对应的所述第一平带电压与所述第二平带电压，构建器件电压数据库。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定各所述半导体器件在所述第一测量条件下分别对应的第一平带电压，包括：获取多个所述半导体器件各自对应的生产制程类型；获取属于同一生产制程类型的半导体器件，并生成对应的同类型器件集合；所述同类型器件集合包括多个同类型器件；确定所述同类型器件集合中多个所述同类型器件对应的所述第一平带电压。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述确定所述同类型器件集合中多个所述同类型器件对应的所述第一平带电压，包括：确定各所述同类型器件在所述第一测量条件下分别对应的第一初始平带电压；根据得到的多个所述第一初始平带电压确定所述第一平带电压。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，多个所述半导体器件的均具有不同的生产制程类型；所述确定各所述半导体器件在所述第一测量条件下分别对应的第一平带电压，还包括：对多个所述半导体器件逐一执行下述操作：对所述半导体器件施加所述第一测量条件，使得所述半导体器件中的移动电荷移动至栅极氧化层侧；在间隔预设时间段后，将所述第一测量条件中的测量温度从初始的第一测量温度降低
至第二测量温度；所述第二测量温度小于所述温度阈值；将所述半导体器件在所述第二测量温度下的平带电压，作为所述第一平带电压。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定各所述半导体器件在所述第二测量条件下分别对应的第二平带电压，包括：获取基于所述生产制程类型确定出的至少一同类型器件集合；所述同类型器件集合包括多个同类型器件；确定每个所述同类型器件集合中包含的多个所述同类型器件对应的所述第二平带电压。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述确定每个所述同类型器件集合中包含的多个所述同类型器件对应的所述第二平...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：