晶圆异常预警方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆异常预警方法，首先获取在当前测试站点需要进行异常分析的当前晶圆测试图，然后获取所述当前晶圆测试图对应的晶圆在所述当前测试站点之前的至少一个前层测试站点的前层晶圆测试图，之后获取所述当前晶圆测试图相对于若干所述前层晶圆测试图的新增异常点，基于所述新增异常点可以判定是否需要进行晶圆异常预警。由于所述新增异常点是所述当前晶圆测试图相对于所述前层晶圆测试图新增的异常点，所述新增异常点是当前制程站点产生而并非是前层制程站点产生，因此可以及时并准确地发现当前制程站点是否出现异常，有效预警晶圆异常，避免批量性不良品产生。避免批量性不良品产生。避免批量性不良品产生。

【技术实现步骤摘要】
晶圆异常预警方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆异常预警方法。

技术介绍

[0002]集成电路芯片的制造工艺十分复杂，生产周期长，最终出货一般要经过几百个甚至上千个步骤，涉及几百个机台，而执行同一工艺步骤的机台通常被划分为一个制程站点，晶圆依次在每个制程站点中进行相应的加工制作。为了确保最终产品性能合格、稳定可靠和高的成品率，对所有工艺步骤都要有严格的要求，因此会在每个制程站点的末尾设置检测站点，用于检测晶圆的异常(如缺陷等异常)，从而监控每一个工艺步骤，以对晶圆异常进行早期预警，便于及时发现当前制程站点是否出现异常，从而避免批量性不良品产生。
[0003]然而，由于晶圆是依次经过不同的制程站点并在每个制程站点执行相应的工艺步骤的，在当前检测站点检测到的晶圆异常并非一定是在当前制程站点中产生的，也有可能是在当前制程站点之前的前层制程站点中产生的，因此如何及时并准确地发现当前制程站点是否出现异常是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种晶圆异常预警方法，以解决目前无法及时并准确地发现当前制程站点是否出现异常的问题。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种晶圆异常预警方法，包括：
[0006]获取在当前测试站点需要进行异常分析的当前晶圆测试图；
[0007]获取所述当前晶圆测试图对应的晶圆在所述当前测试站点之前的至少一个前层测试站点的前层晶圆测试图；
[0008]获取所述当前晶圆测试图相对于所述前层晶圆测试图的新增异常点；以及，
[0009]基于所述新增异常点判定是否需要进行晶圆异常预警。
[0010]可选的，所述当前晶圆测试图及所述前层晶圆测试图均为晶圆缺陷测试图，所述当前晶圆测试图及所述前层晶圆测试图中的异常点均为缺陷所在的位置。
[0011]可选的，当所述当前晶圆测试图中的异常点的数量大于第一阈值时，判定所述当前晶圆测试图需要进行异常分析。
[0012]可选的，获取所述当前晶圆测试图相对于若干所述前层晶圆测试图的新增异常点的步骤包括：
[0013]在所述当前晶圆测试图及每个所述前层晶圆测试图中，以每个异常点的中心为圆心、以预设公差为半径画圆圈，分别得到当前异常公差图和若干前层异常公差图，在所述当前异常公差图和所述前层异常公差图中，所述圆圈内的区域为有效区域，所述有效区域用于表征异常点可能存在的位置；
[0014]获取所述当前异常公差图相对于若干所述前层异常公差图的新增有效区域，所述新增有效区域用于表征所述新增异常点可能存在的位置；以及，
[0015]将所述新增有效区域与所述当前晶圆测试图的异常点叠加，与所述新增有效区域重叠的异常点为所述新增异常点。
[0016]可选的，在所述当前异常公差图和所述前层异常公差图中，所述有效区域的灰度值为1，其他区域的灰度值为0，在所述当前晶圆测试图中，异常点的灰度值为1，其他区域的灰度值为0；
[0017]获取所述当前异常公差图相对于若干所述前层异常公差图的新增有效区域时，是将所述当前异常公差图与所有所述前层异常公差图之和相减，以得到新增有效区域图，所述新增有效区域图中灰度值为1的区域为所述新增有效区域；以及，
[0018]将所述新增有效区域与所述当前晶圆测试图的异常点叠加时，是将所述新增有效区域图与所述当前晶圆测试图相乘，以得到新增异常图，所述新增异常图中灰度值为1的区域为所述新增异常点。
[0019]可选的，当判定需要进行晶圆异常预警之后，还包括：
[0020]基于所述新增异常点的位置获取所述新增异常点的异常来源。
[0021]可选的，基于所述新增异常点的位置获取所述新增异常点的异常来源的步骤包括：
[0022]获取与所述当前测试站点对应的当前制程站点中会导致晶圆发生异常的所有机台结构；
[0023]获取每个所述机台结构对晶圆的作用分析图，所述作用分析图中具有若干作用区域，所述作用区域用于表征所述机台结构对晶圆的作用面；
[0024]将每个所述作用分析图的每个所述作用区域逐一与所述新增异常点叠加，与所述作用区域重叠的所述新增异常点为疑似异常点；以及，
[0025]基于每个所述机台结构对应的所述疑似异常点判定产生所述新增异常点的机台结构。
[0026]可选的，所述机台结构包括机械臂，所述作用分析图包括所述机械臂的每个夹持方位在晶圆上的投影图像；和/或，所述机台结构包括加热台，所述作用分析图包括所述加热台的所有加热区域在晶圆上的投影图像；和/或，所述机台结构包括真空吸附台，所述作用分析图包括所述真空吸附台的所有吸附区域在晶圆上的投影图像。
[0027]可选的，在所述作用分析图中，需要与所述新增异常点叠加的所述作用区域的灰度值为1，其他区域的灰度值为0；以及，
[0028]将所述作用分析图的所述作用区域与所述新增异常点叠加时，是将所述作用分析图与所述新增异常图相乘，以得到疑似异常图，所述疑似异常图中灰度值为1的区域为所述疑似异常点。
[0029]可选的，判定所述疑似异常点的最大数量大于第二阈值对应的所述机台结构为产生所述新增异常点的机台结构；或者，判定所述疑似异常点的最大数量与所述当前晶圆测试图中的异常点的总数量之间的占比大于第三阈值对应的所述机台结构为产生所述新增异常点的机台结构。
[0030]可选的，当所述新增异常点的数量大于第四阈值时，判定需要进行晶圆异常预警。
[0031]在本专利技术提供的晶圆异常预警方法中，首先获取在当前测试站点需要进行异常分析的当前晶圆测试图，然后获取所述当前晶圆测试图对应的晶圆在所述当前测试站点之前
的至少一个前层测试站点的前层晶圆测试图，之后获取所述当前晶圆测试图相对于所述前层晶圆测试图的新增异常点，基于所述新增异常点可以判定是否需要进行晶圆异常预警。由于所述新增异常点是所述当前晶圆测试图相对于若干所述前层晶圆测试图新增的异常点，所述新增异常点是当前制程站点产生而并非是前层制程站点产生，因此可以及时并准确地发现当前制程站点是否出现异常，有效预警晶圆异常，避免批量性不良品产生。
附图说明
[0032]图1为本专利技术实施例提供的晶圆异常预警方法的流程图；
[0033]图2a为本专利技术实施例提供的需要进行异常分析的当前晶圆测试图的示意图；
[0034]图2b为本专利技术实施例提供的前层晶圆测试图的示意图；
[0035]图2c为本专利技术实施例提供的另一前层晶圆测试图的示意图；
[0036]图3a为本专利技术实施例提供的当前异常公差图的示意图；
[0037]图3b为本专利技术实施例提供的前层异常公差图的示意图；
[0038]图3c为本专利技术实施例提供的另一前层异常公差图的示意图；
[0039]图4为本专利技术实施例提供的新增有效区域图的示意图；
[0040]图5a为本专利技术本实施例提供的将新增有效区域与当前晶圆测试图的异常点叠加的示意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆异常预警方法，其特征在于，包括：获取在当前测试站点需要进行异常分析的当前晶圆测试图；获取所述当前晶圆测试图对应的晶圆在所述当前测试站点之前的至少一个前层测试站点的前层晶圆测试图；获取所述当前晶圆测试图相对于所述前层晶圆测试图的新增异常点；以及，基于所述新增异常点判定是否需要进行晶圆异常预警。2.如权利要求1所述的晶圆异常预警方法，其特征在于，所述当前晶圆测试图及所述前层晶圆测试图均为晶圆缺陷测试图，所述当前晶圆测试图及所述前层晶圆测试图中的异常点均为缺陷所在的位置。3.如权利要求1所述的晶圆异常预警方法，其特征在于，当所述当前晶圆测试图中的异常点的数量大于第一阈值时，判定所述当前晶圆测试图需要进行异常分析。4.如权利要求1所述的晶圆异常预警方法，其特征在于，获取所述当前晶圆测试图相对于若干所述前层晶圆测试图的新增异常点的步骤包括：在所述当前晶圆测试图及每个所述前层晶圆测试图中，以每个异常点的中心为圆心、以预设公差为半径画圆圈，分别得到当前异常公差图和若干前层异常公差图，在所述当前异常公差图和所述前层异常公差图中，所述圆圈内的区域为有效区域，所述有效区域用于表征异常点可能存在的位置；获取所述当前异常公差图相对于若干所述前层异常公差图的新增有效区域，所述新增有效区域用于表征所述新增异常点可能存在的位置；以及，将所述新增有效区域与所述当前晶圆测试图的异常点叠加，与所述新增有效区域重叠的异常点为所述新增异常点。5.如权利要求4所述的晶圆异常预警方法，其特征在于，在所述当前异常公差图和所述前层异常公差图中，所述有效区域的灰度值为1，其他区域的灰度值为0，在所述当前晶圆测试图中，异常点的灰度值为1，其他区域的灰度值为0；获取所述当前异常公差图相对于若干所述前层异常公差图的新增有效区域时，是将所述当前异常公差图与所有所述前层异常公差图之和相减，以得到新增有效区域图，所述新增有效区域图中灰度值为1的区域为所述新增有效区域；以及，将所述新增有效区域与所述当前晶圆测试图的异常点叠加时，是将所述新增有效区域图与所述当前晶圆测试图相乘，以得到新增异常图，所述新增异常...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗莹莹，吴冲，陈燕华，张亮，江杨，
申请(专利权)人：厦门士兰集科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：