接触电阻获取方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本公开提供一种接触电阻获取方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包应用于晶体管器件的模型仿真，晶体管器件包括有源区以及位于在有源区上的栅极和多个与源极或漏极电连接的接触结构，该方法包括：确定晶体管器件的类型，根据晶体管器件的类型，确定该类型对应的晶体管器件的设计参数；根据晶体管器件的设计参数，确定晶体管器件的接触电阻，其中，接触电阻为多个接触结构的等效电阻。本公开根据不同的晶体管器件的类型采用对应的设计参数来计算接触电阻的阻值，有利于精确晶体管器件的电性特征，进而提高晶体管器件的仿真精度和可靠性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
接触电阻获取方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种接触电阻获取方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)中应用有大量的金属氧化物半场效晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor)。随着DRAM技术节点的微缩，对于晶体管器件的设计，衍生出多种设计规则，使得晶体管中栅极、源极、漏极等结构呈现多种布局，相应地，晶体管的接触电阻也随设计规则的变化而不同。
[0003]在对晶体管器件进行仿真时，对于源极或漏极产生的接触电阻的计算，将根据先前单一设计规则下晶体管的结构布局确定的接触电阻的计算方法或经验值，应用到当前衍生的多种设计规则下晶体管的结构布局中。
[0004]然而，上述方法得到接触电阻的计算精确度低，进而降低了仿真精度和可靠性。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种接触电阻获取方法、装置、电子设备及存储介质，用以提高接触电阻的计算精确度，进而提高仿真精度和可靠性。
[0006]根据一些实施例，本公开第一方面提供一种接触电阻获取方法，应用于晶体管器件的模型仿真，晶体管器件包括有源区以及位于在有源区上的栅极和多个与源极或漏极电连接的接触结构；其特征在于，包括：确定晶体管器件的类型，根据晶体管器件的类型，确定晶体管器件的设计参数；根据晶体管器件的设计参数，确定晶体管器件的接触电阻；其中，晶体管器件的接触电阻为多个接触结构的等效电阻。
[0007]一些实施例中，晶体管器件的类型的分类依据通过下述至少一项确定：沟道类型、栅极厚度、栅极端部结构。
[0008]一些实施例中，确定晶体管器件的类型，包括：获取晶体管器件的沟道类型，根据晶体管器件的沟道类型，确定晶体管器件的类型包括P型晶体管器件或N型晶体管器件；和/或，获取晶体管器件的栅极厚度，根据晶体管器件的栅极厚度，确定晶体管器件的类型为厚栅晶体管器件或薄栅晶体管器件；其中，厚栅晶体管器件的栅极厚度满足第一预设厚度范围；薄栅晶体管器件满足第二预设厚度范围；和/或，获取晶体管器件的栅极端部结构，根据晶体管器件的栅极端部结构，确定晶体管器件的类型为有锤头型晶体管器件或无锤头型晶体管器件。
[0009]一些实施例中，获取晶体管器件的栅极端部结构，包括：获取晶体管器件的栅极长度，根据晶体管器件的沟道类型、晶体管器件的栅极厚度和晶体管器件的栅极长度，确定晶体管器件的栅极端部结构；其中，晶体管器件的栅极端部结构包括有锤头型和无锤头型。
[0010]一些实施例中，根据晶体管器件的沟道类型、晶体管器件的栅极厚度和晶体管器件的栅极长度，确定晶体管器件的栅极端部结构，包括：根据晶体管器件的沟道类型和晶体
管器件的栅极厚度，确定晶体管器件的栅极长度的预设阈值；判断晶体管器件的栅极长度是否低于预设阈值；若是，则晶体管器件的栅极端部结构为有锤头型；否则，晶体管器件的栅极端部结构为无锤头型。
[0011]一些实施例中，晶体管器件的设计参数包括：有源区的长度、相邻两个接触结构之间的间隔、接触结构的最大长度；接触结构与有源区的边缘之间的最小长度；根据晶体管器件的设计参数，确定晶体管器件的接触电阻，包括：根据晶体管器件的设计参数，确定接触结构的数量；根据晶体管器件的设计参数及接触结构的数量，确定接触结构的长度；获取接触结构的标准单位电阻，根据接触结构的数量、接触结构的长度和接触结构的标准单位电阻，确定晶体管器件的接触电阻。
[0012]一些实施例中，根据晶体管器件的设计参数，确定接触结构的数量，包括：根据晶体管器件的设计参数，基于第一公式，确定接触结构的数量；其中，第一公式包括：N＝ceiling[(W
‑2×
S+P)/Lmax]；其中，N为接触结构的数量，为正整数；ceiling[]为向上取整的计算规则；W为有源区的长度；S为接触结构与有源区的边缘之间的最小长度；P为相邻两个接触结构之间的间隔；Lmax为接触结构的最大长度。
[0013]一些实施例中，根据晶体管器件的设计参数及接触结构的数量，确定接触结构的长度，包括：根据晶体管器件的设计参数及接触结构的数量，基于第二公式，确定接触结构的长度；其中，第二公式包括：Lg＝(W
‑2×
S+P)/N
‑
P；其中，Lg为接触结构的长度；N为接触结构的数量，为正整数；W为有源区的长度；S为接触结构与有源区的边缘之间的最小长度；P为相邻两个接触结构之间的间隔。
[0014]一些实施例中，根据接触结构的数量、接触结构的长度和接触结构的标准单位电阻，确定晶体管器件的接触电阻，包括：根据接触结构的数量、接触结构的长度和接触结构的标准单位电阻，基于第三公式，确定晶体管器件的接触电阻；其中，第三公式包括：Rlicon＝Rx
×
Lg/N；其中，Rlicon为晶体管器件的接触电阻；Rx为接触结构的标准单位电阻；Lg为接触结构的长度；N为接触结构的数量，为正整数。
[0015]一些实施例中，获取接触结构的标准单位电阻，包括：根据晶体管器件的类型，确定接触结构的标准电阻和标准长度；根据接触结构的标准电阻和标准长度，获得接触结构的标准单位电阻。
[0016]根据一些实施例，本公开第二方面提供一种接触电阻获取装置，应用于晶体管器件的模型仿真，晶体管器件包括有源区以及位于在有源区上的栅极和多个与源极或漏极电连接的接触结构；其特征在于，包括：第一确定单元，用于确定晶体管器件的类型，根据晶体管器件的类型，确定晶体管器件的设计参数；第二确定单元，用于根据晶体管器件的设计参数，确定晶体管器件的接触电阻；其中，晶体管器件的接触电阻为多个接触结构的等效电阻。
[0017]一些实施例中，晶体管器件的类型的分类依据通过下述至少一项确定：沟道类型、栅极厚度、栅极端部结构。
[0018]一些实施例中，晶体管器件的设计参数包括：有源区的长度、相邻两个接触结构之间的间隔、接触结构的最大长度；接触结构与有源区的边缘之间的最小长度；第二确定单元，具体用于根据晶体管器件的设计参数，确定接触结构的数量；第二确定单元，具体还用于根据晶体管器件的设计参数及接触结构的数量，确定接触结构的长度；第二确定单元，具
体还用于获取接触结构的标准单位电阻，根据接触结构的数量、接触结构的长度和接触结构的标准单位电阻，确定晶体管器件的接触电阻。
[0019]根据一些实施例，本公开第三方面提供一种电子设备，包括：处理器，以及与处理器通信连接的存储器；存储器存储计算机执行指令；处理器执行存储器存储的计算机执行指令，以实现如第一方面的方法。
[0020]根据一些实施例，本公开第四方面提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，计算机执行指令被处理器执行时用于实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接触电阻获取方法，应用于晶体管器件的模型仿真，所述晶体管器件包括有源区以及位于在所述有源区上的栅极和多个与源极或漏极电连接的接触结构；其特征在于，包括：确定所述晶体管器件的类型，根据所述晶体管器件的类型，确定所述晶体管器件的设计参数；根据所述晶体管器件的设计参数，确定所述晶体管器件的接触电阻；其中，所述晶体管器件的接触电阻为多个所述接触结构的等效电阻。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管器件的类型的分类依据通过下述至少一项确定：沟道类型、栅极厚度、栅极端部结构。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述晶体管器件的类型，包括：获取所述晶体管器件的沟道类型，根据所述晶体管器件的沟道类型，确定所述晶体管器件的类型包括P型晶体管器件或N型晶体管器件；和/或，获取所述晶体管器件的栅极厚度，根据所述晶体管器件的栅极厚度，确定所述晶体管器件的类型为厚栅晶体管器件或薄栅晶体管器件；其中，所述厚栅晶体管器件的栅极厚度满足第一预设厚度范围；所述薄栅晶体管器件满足第二预设厚度范围；和/或，获取所述晶体管器件的栅极端部结构，根据所述晶体管器件的栅极端部结构，确定所述晶体管器件的类型为有锤头型晶体管器件或无锤头型晶体管器件。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取所述晶体管器件的栅极端部结构，包括：获取所述晶体管器件的栅极长度，根据所述晶体管器件的沟道类型、所述晶体管器件的栅极厚度和所述晶体管器件的栅极长度，确定所述晶体管器件的栅极端部结构；其中，所述晶体管器件的栅极端部结构包括有锤头型和无锤头型。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述晶体管器件的沟道类型、所述晶体管器件的栅极厚度和所述晶体管器件的栅极长度，确定所述晶体管器件的栅极端部结构，包括：根据所述晶体管器件的沟道类型和所述晶体管器件的栅极厚度，确定所述晶体管器件的栅极长度的预设阈值；判断所述晶体管器件的栅极长度是否低于所述预设阈值；若是，则所述晶体管器件的栅极端部结构为有锤头型；否则，所述晶体管器件的栅极端部结构为无锤头型。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管器件的设计参数包括：所述有源区的长度、相邻两个所述接触结构之间的间隔、所述接触结构的最大长度；所述接触结构与所述有源区的边缘之间的最小长度；所述根据所述晶体管器件的设计参数，确定所述晶体管器件的接触电阻，包括：根据所述晶体管器件的设计参数，确定所述接触结构的数量；根据所述晶体管器件的设计参数及所述接触结构的数量，确定所述接触结构的长度；获取所述接触结构的标准单位电阻，根据所述接触结构的数量、所述接触结构的长度和所述接触结构的标准单位电阻，确定所述晶体管器件的接触电阻。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述晶体管器件的设计参数，确定所述接触结构的数量，包括：根据所述晶体管器件的设计参数，基于第一公式，确定所述接触结构的数量；其中，所述第一公式包括：N＝ceiling[(W
‑2×
S+P)/Lmax]；其中，N为所述接触结构的数量，为正整数；ceiling[]为向上取整的计算规则；W为所述有源区的长度；S为所述接触结构与所述有源区的边缘之间的最小长度；P为相邻两个所述接触结构之间的间隔；Lmax为所述接触结...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾青青，林仕杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：