一种MCU上电控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及芯片领域，尤其涉及一种MCU上电控制电路。其中，MCU上电控制电路包括：NMOS管、可调电阻、控制开关、MCU芯片和供电电源；控制开关与可调电阻的输入端连接，可调电阻的输出端与NMOS管的栅极连接；NMOS管的漏极与MCU芯片的供电端口连接，所述NMOS管的源极与供电电源连接；所述可调电阻通过改变阻值来改变经过所述可调电阻之后的控制信号的电流，进而改变所述MCU芯片的供电时间，所述控制信号由所述控制开关发出；所述NMOS管根据所述控制信号控制所述供电电源与MCU芯片之间的导通或断开。本实用新型专利技术中，通过改变可调电阻的阻值，进而改变控制信号的电流值，从而控制MCU芯片上电时间，由此对MCU芯片进行上电启动检测。由此对MCU芯片进行上电启动检测。由此对MCU芯片进行上电启动检测。

【技术实现步骤摘要】
一种MCU上电控制电路


[0001]本技术涉及芯片领域，尤其涉及一种MCU上电控制电路。

技术介绍

[0002]微处理器芯片或微控制器芯片等均为数字电路芯片，其正常工作只有低电平和高电平这两个电平状态，属于离散系统。而供给芯片的电源输入却是模拟电路，属于连续线性系统。当开关闭合，芯片的VDD和VSS之间的电压要达到数字芯片可正常工作的电压是需要几毫秒到十几毫秒的过程的。在此过程中容易导致处理器工作错误，所以需要进行上电复位操作，从而控制芯片在达到可正常工作电压之前不要进行处理工作。而上电复位电路往往根据芯片的性能参数确定，但是当用户为了满足特殊需求而采用非正常上电方式时(例如快上电或慢上电等)，由于上电复位电路的延时时间和芯片的实际上电时间不符从而导致芯片损坏。因此，在芯片的设计制造过程中，如何对芯片进行上电启动的有效测试是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]基于上述问题，本技术提供了一种MCU上电控制电路，可以控制电源的上电时间，进而可以对MCU芯片的上电启动功能进行有效检测。
[0004]第一方面，本技术实施例提供一种MCU上电控制电路，包括：
[0005]NMOS管、可调电阻、控制开关、MCU芯片和供电电源；
[0006]所述控制开关与所述可调电阻的输入端连接，所述可调电阻的输出端与所述NMOS管的栅极连接；
[0007]所述NMOS管的漏极与MCU芯片的供电端口连接，所述NMOS管的源极与供电电源连接；
[0008]所述可调电阻通过改变阻值来改变经过所述可调电阻之后的控制信号的电流，进而改变所述MCU芯片的供电时间，所述控制信号由所述控制开关发出；
[0009]所述NMOS管根据所述控制信号控制所述供电电源与MCU芯片之间的导通或断开。
[0010]本技术提供的MCU上电控制电路，通过改变可调电阻的阻值来改变控制信号的电流大小，进而改变MCU芯片的供电时间。因此可以测试MCU芯片在不同供电时间下的不同启动情况。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述控制开关为脉冲发生器，所述脉冲发生器用于发出高电平信号或低电平信号；
[0012]当所述脉冲发生器发出的控制信号为高电平信号时，所述NMOS管控制所述供电电源与所述MCU芯片之间导通；
[0013]当所述脉冲发生器发出的控制信号为低电平信号时，所述NMOS管控制所述供电电源与所述MCU芯片之间断开。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述控制开关为波形发生器，所述波形发生器用于发
出模拟信号；
[0015]所述NMOS管根据所述波形发生器发出的模拟信号控制所述供电电源与所述MCU芯片之间的导通或断开。
[0016]在一种可能的实现方式中，还包括：二极管；
[0017]所述二极管的正极与所述NMOS管的源极连接，所述二极管的负极与所述NMOS管的漏极连接，用于防止源极至漏极之间的电流倒流。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述MCU芯片上设置有数字端口、模拟端口和接地端口。
[0019]在一种可能的实现方式中，还包括：第一电阻和电容；
[0020]所述第一电阻串联在所述MCU芯片的数字端口和模拟端口之间；
[0021]所述电容串联在所述MCU芯片的模拟端口和接地端口之间；
[0022]所述第一电阻用于对所述数字端口和模拟端口进行隔离；
[0023]所述供电电源的供电电流经过MCU芯片的供电端口后，通过所述数字端口对MCU芯片进行数字电源供电；
[0024]所述供电电源的供电电流经过所述第一电阻后，通过所述模拟端口对MCU芯片进行模拟电源供电；
[0025]所述电容用于对模拟端口的模拟供电进行延时。
[0026]在一种可能的实现方式中，所述供电电源为直流稳压电源，所述MCU芯片的供电端口为VDD端口。
[0027]本技术实施例提供的MCU上电控制电路，根据NMOS的开关特性和可调电阻，构建了可以自由控制上电时间快慢的电路。通过改变可调电阻的阻值来控制电源的上电时间从纳秒级到秒级，进而可以对MCU芯片的上电启动功能进行有效检测，并可以对MCU进行模拟和数字分开供电，达到对供电电源上电时序的管控。
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0029]图1为本技术实施例提供的一种MCU上电控制电路的电路图；
[0030]图2为本技术实施例提供的另一种MCU上电控制电路的电路图；
[0031]图3为本技术实施例提供的一种MCU芯片的结构示意图；
[0032]图4为本技术实施例提供的另一种MCU上电控制电路的电路图；
【具体实施方式】
[0033]为了更好的理解本说明书的技术方案，下面结合附图对本技术实施例进行详细描述。
[0034]应当明确，所描述的实施例仅仅是本说明书一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本说明书中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所
有其它实施例，都属于本说明书保护的范围。
[0035]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0036]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0037]为了解决无法对芯片进行有效的上电测试问题，本技术提供了一种MCU上电控制电路，通过可调电阻来控制供电电源的上电时间，进而对MCU芯片的上电启动功能进行有效检测。
[0038]本技术实施例提供了一种MCU上电控制电路的电路图，如图1所示，MCU上电控制电路包含NMOS管101、可调电阻102、控制开关103、MCU芯片(图中未示出)以及供电电源(图中未示出)。
[0039]如图1中所示，控制开关103与可调电阻102的输入端连接，可调电阻102的输出端与NMOS管101的栅极(G极)连接。
[0040]NMOS管101的漏极(D极)与MCU芯片的供电端口连接，NMOS管101的源极(S极)与供电电源连接。其中，MCU芯片的供电端口可以根据MCU芯片的结构决定。例如，对于双极器件，MCU芯片的供电端口为VCC端口。其中，VCC指电源电压(双极器件)。对于单极器件，MCU本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MCU上电控制电路，其特征在于，包括：NMOS管、可调电阻、控制开关、MCU芯片和供电电源；所述控制开关与所述可调电阻的输入端连接，所述可调电阻的输出端与所述NMOS管的栅极连接；所述NMOS管的漏极与MCU芯片的供电端口连接，所述NMOS管的源极与供电电源连接；所述可调电阻通过改变阻值来改变经过所述可调电阻之后的控制信号的电流，进而改变所述MCU芯片的供电时间，所述控制信号由所述控制开关发出；所述NMOS管根据所述控制信号控制所述供电电源与MCU芯片之间的导通或断开。2.根据权利要求1所述的MCU上电控制电路，其特征在于，所述控制开关为脉冲发生器，所述脉冲发生器用于发出高电平信号或低电平信号；当所述脉冲发生器发出的控制信号为高电平信号时，所述NMOS管控制所述供电电源与所述MCU芯片之间导通；当所述脉冲发生器发出的控制信号为低电平信号时，所述NMOS管控制所述供电电源与所述MCU芯片之间断开。3.根据权利要求1所述的MCU上电控制电路，其特征在于，所述控制开关为波形发生器，所述波形发生器用于发出模拟信号；所述NMOS管根据所述波形发生器发出...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭承省，章小平，温禄泉，曹竟元，王炯，曾豪，
申请(专利权)人：成都极海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：