基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法技术

本发明专利技术公开了一种基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法、装置、设备及可读存储介质，涉及半导体制造领域，其中，所述方法包括：当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值；若达到所述阈值，则将预设拉式控制策略作为所述真空端工艺流程中的最佳控制策略；若未达到所述阈值，则将预设交换式控制策略作为所述真空端工艺流程的最佳控制策略；基于预设ROPN控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件。本发明专利技术基于最佳控制策略控制待处理工件的传输，减少待处理工件的传输时间。使得得到的机械手动作序列质量更优。更优。更优。

【技术实现步骤摘要】
基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法


[0001]本专利技术半导体制造领域，尤其涉及一种基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法、装置、设备及可读存储介质。

技术介绍

[0002]晶圆制造为半导体微电路生产中设备自动化程度最高、工艺最复杂的核心环节，它包括沉积、涂胶、曝光、显影、刻蚀、清洗等工艺过程。薄膜沉积是半导体制造过程中的一个重要环节，通过薄膜沉积工艺可以在晶圆上生长出各种导电薄膜层和绝缘薄膜层，为后续工艺打下基础。根据工作原理不同，薄膜沉积工艺可分为物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)、化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)和原子层沉积(ALD，Atomic layer deposition)三大类，所需的设备是薄膜沉积设备，而设备薄膜沉积工序作业周期是制约半导体芯片产量的重要因素。因此，薄膜沉积设备采用高效调度控制方式是当前实现其工序快速完成的关键问题。其中，PVD主要由真空区、大气区以及负责衔接真空与大气的真空锁三部分组成。根据真空与大气特性，划分不同类型机械手传输物料。
[0003]目前，理论研究上多为仅存在真空区域的PVD设备单臂或双臂机械手动作序列研究，机械手控制调度策略兼容性差；而实际生产多局限于混合整数规划方法生成PVD设备机械手动作序列的调度方案，模型规模极易受离散变量增加而呈指数型增长，易导致算法在有效时间内无法得到有效解，进而影响设备实时调度运行，以致设备整体生产效率低下。为了得到解与压缩求解时间，工程师往往借助减少模型晶圆产品量、松弛一些约束条件以及做出一些假设条件的方式来解决。然而该方式下得到的解往往非最优且实时调度性差。因此，目前PVD设备机械手动作序列的控制调度方案主要存在解(机械手动作序列)质量差的技术问题。
[0004]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法、装置、设备及可读存储介质，旨在解决目前PVD设备机械手动作序列的控制调度方案主要存在解生成解质量差的技术问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法，所述基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法包括：
[0007]当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值；
[0008]若达到所述阈值，则将预设拉式控制策略作为所述真空端工艺流程中的最佳控制策略；
[0009]若未达到所述阈值，则将预设交换式控制策略作为所述真空端工艺流程的最佳控
制策略；
[0010]基于预设ROPN控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件。
[0011]进一步的，在所述当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值的步骤之前所述方法包括：
[0012]判断所述薄膜沉积设备的工艺流程的工作环境，若所述工作环境为真空环境，则判定所述工艺流程阶段为所述真空端工艺流程。
[0013]进一步的，所述工艺流程阶段还包括大气端工艺流程，所述大气端工艺流程包括冷却区，在所述判断所述薄膜沉积设备的工艺流程的工作环境的步骤之后，所述方法还包括：
[0014]若所述工作环境为大气环境，则判定所述工艺流程为所述真空端工艺流程；
[0015]当所述大气端工艺流程中的传输装置夹取待冷却工件移动至所述冷却区时，判断所述冷却区的冷却区处理状态是否为存在处理完成的工件；
[0016]若所述冷却区处理状态为存在处理完成的工件，则将所述预设交换式控制策略作为所述大气端工艺流程的最佳控制策略；
[0017]若所述冷却区处理状态为不存在处理完成的工件，则将所述预设拉式控制策略作为所述大气端工艺流程的最佳控制策略；
[0018]基于所述大气端工艺流程的最佳控制策略传输所述大气端工艺流程中的待处理工件。
[0019]进一步的，所述真空端工艺流程对应的所述预设ROPN控制逻辑图中各工艺步骤设有控制库所，所述基于预设ROPN控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件的步骤包括：
[0020]根据所述真空端工艺流程中待处理工件的当前工艺步骤确定所述待处理工件的下一可选工艺步骤集；
[0021]从所述预设ROPN控制逻辑图中获取所述下一可选工艺步骤集中各工艺步骤对应控制库所的令牌状态得到令牌状态集；
[0022]根据所述令牌状态集从所述下一可选工艺步骤集中选取所述待处理工件的下一目标工艺步骤；
[0023]基于所述最佳控制策略将所述待处理工件传输至所述下一目标工艺步骤处理，并将所述下一目标工艺步骤在所述预设ROPN控制逻辑图中对应的控制库所的令牌状态变更为占用。
[0024]进一步的，所述根据所述真空端工艺流程中待处理工件的当前工艺步骤确定所述待处理工件的下一可选工艺步骤集的步骤包括：
[0025]根据所述待处理工件所处的工件组，确定所述待处理工件的工艺工序；
[0026]根据所述当前工艺步骤在所述工艺工序中的位置确定所述待处理工件的下一工艺步骤得到所述下一可选工艺步骤集。
[0027]进一步的，所述令牌状态还包括空闲，所述根据所述令牌状态集从所述下一可选工艺步骤集选取所述待处理工件的下一目标工艺步骤的步骤包括：
[0028]将下一可选工艺步骤集中令牌状态为空闲的控制库所对应的工艺步骤作为所述待处理工件的下一目标工艺步骤。
[0029]进一步的，所述将下一可选工艺步骤集中令牌状态为空闲的控制库所对应的工艺步骤作为所述待处理工件的下一目标工艺步骤的步骤还包括：
[0030]若所述下一可选工艺步骤集中令牌状态为空闲的控制库所的数量大于等于一，则从所述下一可选工艺步骤集随机选取一个令牌状态为空闲的控制库所对应的工艺步骤作为所述下一目标工艺步骤。
[0031]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制装置，所述薄膜沉积设备的控装置包括：
[0032]决策模块，用于当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值；若达到所述阈值，则将预设拉式控制策略作为所述真空端工艺流程中的最佳控制策略；若未达到所述阈值，则将预设交换式控制策略作为所述真空端工艺流程的最佳控制策略；
[0033]传输模块，用于基于预设ROPN控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件。
[0034]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制设备，所述基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制设备包括：存储器、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，所述基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法包括：当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值；若达到所述阈值，则将预设拉式控制策略作为所述真空端工艺流程中的最佳控制策略；若未达到所述阈值，则将预设交换式控制策略作为所述真空端工艺流程的最佳控制策略；基于预设ROPN控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件。2.如权利要求1所述的基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，在所述当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值的步骤之前，所述方法包括：判断所述薄膜沉积设备的工艺流程的工作环境，若所述工作环境为真空环境，则判定所述工艺流程阶段为所述真空端工艺流程。3.如权利要求2所述基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，所述工艺流程阶段还包括大气端工艺流程，所述大气端工艺流程包括冷却区，在所述判断所述薄膜沉积设备的工艺流程的工作环境的步骤之后，所述方法还包括：若所述工作环境为大气环境，则判定所述工艺流程为所述真空端工艺流程；当所述大气端工艺流程中的传输装置夹取待冷却工件移动至所述冷却区时，判断所述冷却区的冷却区处理状态是否为存在处理完成的工件；若所述冷却区处理状态为存在处理完成的工件，则将所述预设交换式控制策略作为所述大气端工艺流程的最佳控制策略；若所述冷却区处理状态为不存在处理完成的工件，则将所述预设拉式控制策略作为所述大气端工艺流程的最佳控制策略；基于所述大气端工艺流程的最佳控制策略传输所述大气端工艺流程中的待处理工件。4.如权利要求1所述的基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，所述真空端工艺流程对应的所述预设ROPN控制逻辑图中各工艺步骤设有控制库所，所述基于预设ROPN控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件的步骤包括：根据所述真空端工艺流程中待处理工件的当前工艺步骤确定所述待处理工件的下一可选工艺步骤集；从所述预设ROPN控制逻辑图中获取所述下一可选工艺步骤集中各工艺步骤对应控制库所的令牌状态得到令牌状态集；根据所述令牌状态集从所述下一可选工艺步骤集中选取所述待处理工件的下一目标工艺步骤；基于所述最佳控制策略将所述待处理工件传输至所述下一目标工艺步骤处理，并将所述下一目标工艺步骤在所述预设ROPN控...

【专利技术属性】
技术研发人员：付锦超，刘斌，李杰，郭宇翔，
申请(专利权)人：埃克斯工业广东有限公司，
类型：发明
国别省市：