真空泵系统及真空泵技术方案

技术编号:35633134 阅读:15 留言:0更新日期:2022-11-19 16:20
本发明专利技术涉及一种真空泵系统及真空泵。本发明专利技术的课题在于抑制真空泵内部的反应生成物的生成并维持排气性能。真空泵系统(100)包括第一真空泵(1)及第二真空泵(3)。第二真空泵(3)与第一真空泵(1)的第一排气口(19)连接。第二真空泵(3)具有泵部(5)及捕集部(7)。泵部(5)具有第二转子(51)。捕集部(7)中堆积由通过泵部(5)的吸气自第一排气口(19)导入第三内部空间(S3)的气体生成的反应生成物。(S3)的气体生成的反应生成物。(S3)的气体生成的反应生成物。

【技术实现步骤摘要】
真空泵系统及真空泵


[0001]本专利技术涉及一种真空泵系统及真空泵。

技术介绍

[0002]真空泵有包括涡轮叶片泵部及拖曳泵部的真空泵,其中所述涡轮叶片泵部包含固定叶片与旋转叶片,所述拖曳泵部设置于较涡轮叶片泵部而言更靠排气下游侧。包括所述真空泵的真空泵系统例如可用作使执行干式蚀刻、或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)等工艺的工艺腔室内成为高真空的手段。
[0003]在真空泵系统用于使工艺腔室内成为高真空的情况下,在真空泵系统中所含的真空泵、真空泵以外的其他装置(例如干式泵)和/或气体配管中有可能生成反应生成物并堆积。真空泵系统中的反应生成物的生成需要抑制。原因在于:若在真空泵的内部反应生成物堆积,则真空泵的零件(例如转子)与反应生成物有可能接触。另外,原因在于:若在所述其他装置及气体配管中反应生成物堆积,则会降低真空泵系统的排气能力。
[0004]作为抑制真空泵内部的反应生成物的生成的方法,已知有使真空泵内部升温的方法。例如,在专利文献1中,通过加热器对真空泵的主体进行加热来使内部升温。另外,在专利文献2中,将高温的吹扫气体导入真空泵的内部进行升温。另一方面,为了抑制与真空泵的排气侧连接的气体配管及装置中的反应生成物的堆积,在专利文献3中,在真空泵的排气侧设置过滤器。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007][专利文献1]日本专利特开2020

112133号公报
[0008][专利文献2]日本专利特开2020

90922号公报
[0009][专利文献3]日本专利特开2006

74362号公报

技术实现思路

[0010][专利技术所要解决的问题][0011]然而,优选为抑制真空泵的内部的升温。原因在于:随着真空泵的内部的升温,转子升温而膨胀,容易与其他零件接触。原因在于:其结果,由因转子膨胀而与其他零件接触的时间所决定的真空泵的寿命变短。
[0012]另外,在通过专利文献1及专利文献2的方法使真空泵的内部升温的情况下,为了抑制进一步的升温,无法增大真空泵的排气流量。具体而言,需要减小真空泵的排气流量,降低对使转子旋转的马达施加的负荷,抑制来自所述马达的发热。
[0013]进而,当如专利文献3那样在真空泵的排气侧设置过滤器的情况下,随着反应生成物在过滤器堆积,真空泵的排气侧的气体的流动恶化。若真空泵的排气侧的气体的流动恶化,则真空泵的排气侧的压力(背压)变高。其结果,真空泵的排气性能降低和/或马达的负荷增大而发热变多。
[0014]本专利技术的目的在于在真空泵系统中抑制真空泵内部的反应生成物的生成并维持排气性能。
[0015][解决问题的技术手段][0016]本专利技术的一态样的真空泵系统包括第一真空泵及第二真空泵。第二真空泵与第一真空泵的排气口连接。第二真空泵具有泵部及捕集部。泵部具有转子。捕集部中堆积由通过泵部的吸气自第一真空泵的排气口导入内部空间的气体生成的反应生成物。
[0017]本专利技术的一态样的真空泵,包括:泵部,具有转子;以及捕集部,所述捕集部中堆积由通过所述泵部的吸气导入内部空间的气体生成的反应生成物。
[0018][专利技术的效果][0019]在所述本专利技术的一态样的真空泵系统中,第二真空泵的泵部通过吸气自第一真空泵的排气口向第二真空泵的捕集部的内部空间导入气体。由此,可降低自第一真空泵的内部到第二真空泵的排气路径的压力,因此第一真空泵的内部以及自第一真空泵到第二真空泵的排气路径中的反应生成物的生成得到抑制。其结果,可降低第一真空泵及气体配管的维护频率。另外,由于在第二真空泵的捕集部的内部空间反应生成物堆积,因此可抑制泵部中的反应生成物的生成。
[0020]另外,通过在自第一真空泵到第二真空泵的排气路径中抑制反应生成物的生成,所述排气路径的电导维持为高状态。其结果,泵部对第一真空泵的排气口进行吸气的能力不会降低,因此可将第一真空泵的排气侧的压力(背压)维持得低。进而,为了抑制反应生成物的生成,不需要第一真空泵的内部的升温。所述结果,可将真空泵系统的排气性能维持为高状态。另外,第一真空泵的排气能力提高。
附图说明
[0021]图1是表示实施形态的真空泵系统的结构的图。
[0022]图2是第一真空泵的剖面图。
[0023]图3是第二真空泵的剖面图。
[0024]图4是在泵部的中途设置有捕集部的第二真空泵的剖面图。
[0025][符号的说明][0026]100:真空泵系统
[0027]1:第一真空泵
[0028]11:第一吸气口
[0029]13:第一转子
[0030]13A:转子叶片
[0031]13B:转子圆筒部
[0032]15:第一定子
[0033]15A:定子叶片
[0034]15B:定子圆筒部
[0035]17:第一马达
[0036]19:第一排气口
[0037]21:第一基座
[0038]23:第一轴承
[0039]S1:第一内部空间
[0040]S2:第二内部空间
[0041]2:开闭阀
[0042]3:第二真空泵
[0043]5:泵部
[0044]51:第二转子
[0045]51A:轴
[0046]51B:第二转子圆筒部
[0047]53:第二定子
[0048]53A:第一端
[0049]53B:第二端
[0050]O1:开口
[0051]55A~55D:第二轴承
[0052]57:第二基座
[0053]59:第二马达
[0054]61:第二排气口
[0055]63:第一加热器
[0056]7:捕集部
[0057]7A:底面部
[0058]7B:侧面部
[0059]S3:第三内部空间
[0060]71:第二吸气口
[0061]73:冷却部
[0062]75:等离子体产生部
[0063]77:第二加热器
[0064]9:第三真空泵
[0065]CH:排气对象装置
[0066]L1:第一气体管路
[0067]L2:第二气体管路
[0068]L3:第三气体管路
[0069]L4:第四气体管路
[0070]L5:第五气体管路
[0071]V1:第一阀
[0072]V2:第二阀
具体实施方式
[0073]1.真空泵系统的结构
[0074]以下,参照附图对一实施形态的真空泵系统的结构进行说明。图1是表示实施形态
的真空泵系统100的结构的图。真空泵系统100是对排气对象装置CH内部的气体进行排气的系统。排气对象装置CH例如是半导体制造装置的工艺腔室。真空泵系统100包括第一真空泵1、本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空泵系统,其特征在于,包括:第一真空泵;以及第二真空泵,与所述第一真空泵的排气口连接,所述第二真空泵包括:泵部,具有转子;以及捕集部,所述捕集部中堆积由通过所述泵部的吸气自所述排气口导入内部空间的气体生成的反应生成物。2.根据权利要求1所述的真空泵系统,其中,还包括冷却所述捕集部的冷却部。3.根据权利要求1或2所述的真空泵系统,其中所述捕集部配置于较所述泵部而言更靠铅垂方向下侧。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:渡边耕太
申请(专利权)人:株式会社岛津制作所
类型:发明
国别省市:

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